公开(公告)号：US20100178732A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12618477

申请日：2009-11-13

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L21/98

CPC分类号： B23K26/24 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： Methods and structures using laser bonding for stacking semiconductor substrates are described. In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming a trench in a first substrate, and a bond pad on a second substrate comprising active circuitry. A top surface of the bond pad includes a first material. The first substrate is aligned over the second substrate to align the trench over the bond pad. An electromagnetic beam is directed into the trench to form a bond between the first material on the bond pad and a second material at a bottom surface of the first substrate.

摘要翻译： 描述了使用激光键合堆叠半导体衬底的方法和结构。 在一个实施例中，形成半导体器件的方法包括在第一衬底中形成沟槽，以及在包括有源电路的第二衬底上的接合焊盘。 接合焊盘的顶表面包括第一材料。 第一衬底在第二衬底上对准以使沟槽在结合焊盘上对准。 电磁波束被引导到沟槽中以在接合焊盘上的第一材料和第一衬底的底表面处的第二材料之间形成结合。

公开(公告)号：US20100175479A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12352449

申请日：2009-01-12

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

IPC分类号： G01H9/00

CPC分类号： G01C19/56 ,  Y10T29/49002

摘要： A gyroscope sensor includes a gyro disk. A first light source is configured to provide a first light beam adjacent to a first edge of the gyro disk. A first light receiver is configured to receive the first light beam for sensing a vibration at a first direction of the gyro disk.

摘要翻译： 陀螺传感器包括陀螺盘。 第一光源被配置为提供与陀螺盘的第一边缘相邻的第一光束。 第一光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第一方向上的振动的第一光束。

公开(公告)号：US20100120260A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12347250

申请日：2008-12-31

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： B81C1/00071 ,  B81B2201/052 ,  B81B2201/058 ,  H01L21/76898

摘要： A method of forming an integrated circuit structure includes forming an opening in a substrate, with the opening extending from a top surface of the substrate into the substrate. The opening is filled with a filling material until a top surface of the filling material is substantially level with the top surface of the substrate. A device is formed over the top surface of the substrate, wherein the device includes a storage opening adjoining the filling material. A backside of the substrate is grinded until the filling material is exposed. The filling material is removed from the channel until the storage opening of the device is exposed.

摘要翻译： 形成集成电路结构的方法包括在衬底中形成开口，其中开口从衬底的顶表面延伸到衬底中。 开口填充有填充材料，直到填充材料的顶表面基本上与基板的顶表面平齐。 在衬底的顶表面上形成器件，其中该器件包括与填充材料相邻的存储开口。 研磨衬底的背面，直到填充材料暴露。 将填充材料从通道中取出直到设备的存储开口露出。

公开(公告)号：US09138994B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US12683550

申请日：2010-01-07

申请人： Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu

发明人： Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu

IPC分类号： B41J2/05 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16

CPC分类号： B41J2/14088 ,  B41J2/14016 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646

摘要： MEMS devices and methods of fabrication thereof are described. In one embodiment, the MEMS device includes a bottom alloy layer disposed over a substrate. An inner material layer is disposed on the bottom alloy layer, and a top alloy layer is disposed on the inner material layer, the top and bottom alloy layers including an alloy of at least two metals, wherein the inner material layer includes the alloy and nitrogen. The top alloy layer, the inner material layer, and the bottom alloy layer form a MEMS feature.

摘要翻译： 描述了MEMS器件及其制造方法。 在一个实施例中，MEMS器件包括设置在衬底上的底部合金层。 内层材料层设置在底层合金层上，顶层合金层设置在内层材料层上，顶层合金层和底层合金层均含有至少两种金属的合金，其中内层含有合金和氮 。 顶部合金层，内部材料层和底部合金层形成MEMS特征。

公开(公告)号：US08905293B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US12964347

申请日：2010-12-09

申请人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Ping-Yin Liu ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Shang-Ying Tsai ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Jung-Huei Peng ,  Lan-Lin Chao ,  Chia-Shiung Tsai ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： B23K1/20 ,  B32B15/04 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B32B7/12 ,  B32B15/043 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/746 ,  B32B2457/00 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12986

摘要： A bond free of an anti-stiction layer and bonding method is disclosed. An exemplary method includes forming a first bonding layer; forming an interlayer over the first bonding layer; forming an anti-stiction layer over the interlayer; and forming a liquid from the first bonding layer and interlayer, such that the anti-stiction layer floats over the first bonding layer. A second bonding layer can be bonded to the first bonding layer while the anti-stiction layer floats over the first bonding layer, such that a bond between the first and second bonding layers is free of the anti-stiction layer.

摘要翻译： 公开了没有抗静电层和粘合方法的键。 一种示例性方法包括形成第一粘合层; 在所述第一接合层上形成中间层; 在中间层上形成抗静电层; 以及从所述第一接合层和中间层形成液体，使得所述抗静电层浮在所述第一接合层上。 第二接合层可以结合到第一接合层，同时抗静电层漂浮在第一接合层上，使得第一和第二接合层之间的接合没有抗静电层。

公开(公告)号：US08853801B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13450728

申请日：2012-04-19

申请人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Lung Yuan Pan ,  Hung-Hua Lin

发明人： Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Hsin-Ting Huang ,  Yao-Te Huang ,  Lung Yuan Pan ,  Hung-Hua Lin

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： B81B7/0006 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00166 ,  B81C1/00341 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0871 ,  H01G5/18 ,  H01L28/60

摘要： A device includes a substrate, a routing conductive line over the substrate, a dielectric layer over the routing conductive line, and an etch stop layer over the dielectric layer. A Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) device has a portion over the etch stop layer. A contact plug penetrates through the etch stop layer and the dielectric layer. The contact plug connects the portion of the MEMS device to the routing conductive line. An escort ring is disposed over the etch stop layer and under the MEMS device, wherein the escort ring encircles the contact plug.

摘要翻译： 器件包括衬底，衬底上的布线导线，路由导线上的电介质层以及介电层上的蚀刻停止层。 微机电系统（MEMS）器件具有超过蚀刻停止层的部分。 接触插塞穿过蚀刻停止层和电介质层。 接触插头将MEMS器件的部分连接到布线导线。 保护环设置在蚀刻停止层上方和MEMS器件下方，其中护送环环绕接触插塞。

公开(公告)号：US08728845B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13071334

申请日：2011-03-24

申请人： Shih-Wei Lin ,  Ping-Yin Liu ,  Lan-Lin Chao ,  Jung-Huei Peng ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Shih-Wei Lin ,  Ping-Yin Liu ,  Lan-Lin Chao ,  Jung-Huei Peng ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： B81B3/0005 ,  B81C1/00269

摘要： The present disclosure provides various methods for removing an anti-stiction layer. An exemplary method includes forming an anti-stiction layer over a substrate, including over a first substrate region of a first material and a second substrate region of a second material, wherein the second material is different than the first material; and selectively removing the anti-stiction layer from the second substrate region of the second material without using a mask.

摘要翻译： 本公开提供了用于去除抗静电层的各种方法。 一种示例性方法包括在衬底上形成抗静电层，包括在第一材料的第一衬底区域和第二材料的第二衬底区域上，其中第二材料不同于第一材料; 并且不使用掩模，从第二材料的第二基板区域选择性地去除抗静电层。

公开(公告)号：US20140042625A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13571260

申请日：2012-08-09

申请人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Li-Min Hung ,  Yao-Te Huang ,  Yi-Chuan Teng ,  Chin-Yi Cho

发明人： Hsin-Ting Huang ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Li-Min Hung ,  Yao-Te Huang ,  Yi-Chuan Teng ,  Chin-Yi Cho

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/48 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： A structure comprises a first semiconductor substrate, a first bonding layer deposited on a bonding side the first semiconductor substrate, a second semiconductor substrate stacked on top of the first semiconductor substrate and a second bonding layer deposited on a bonding side of the second semiconductor substrate, wherein the first bonding layer is of a horizontal length greater than a horizontal length of the second semiconductor substrate, and wherein there is a gap between an edge of the second bonding layer and a corresponding edge of the second semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种结构包括第一半导体衬底，沉积在第一半导体衬底的接合侧上的第一接合层，堆叠在第一半导体衬底的顶部上的第二半导体衬底和沉积在第二半导体衬底的接合侧上的第二接合层， 其中所述第一接合层的水平长度大于所述第二半导体衬底的水平长度，并且其中在所述第二接合层的边缘和所述第二半导体衬底的对应边缘之间存在间隙。

公开(公告)号：US08455999B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13240540

申请日：2011-09-22

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： B81C1/00666 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/95 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，包括提供包括前表面和后表面的晶片，其中所述晶片包括芯片; 形成从后表面延伸到芯片中的开口; 在开口中填充有机材料，其中基本上没有部分有机材料在晶片的开口和背面之外; 并烘烤有机材料以引起有机材料的收缩。

公开(公告)号：US08367516B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12618477

申请日：2009-11-13

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： B23K26/24 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： Methods and structures using laser bonding for stacking semiconductor substrates are described. In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming a trench in a first substrate, and a bond pad on a second substrate comprising active circuitry. A top surface of the bond pad includes a first material. The first substrate is aligned over the second substrate to align the trench over the bond pad. An electromagnetic beam is directed into the trench to form a bond between the first material on the bond pad and a second material at a bottom surface of the first substrate.