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    SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE WITH OVER LATTICE
    42.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE WITH OVER LATTICE 有权
    半导体层结构与超导体

    公开(公告)号：US20080054252A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：US11780516

    申请日：2007-07-20

    申请人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Andreas Miler ,  Marc Schillgalies

    发明人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Andreas Miler ,  Marc Schillgalies

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01L33/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00

    摘要： The semiconductor layer structure includes an active layer (6) and a superlattice (9) composed of stacked layers (9a, 9b) of III-V compound semiconductors of a first (a) and at least one second type (b). Adjacent layers of different types in the superlattice (9) differ in composition with respect to at least one element. The layers (9a, 9b) have predefined layer thicknesses, such that the layer thicknesses of layers (9a) of the first type (a) and of the layers (9b) of the second type (b) increase from layer to layer with increasing distance from an active layer (6). An increasing layer thickness within the layers of the first and the second type (a, b) is suitable for adapting the electrical, optical and epitaxial properties of the superlattice (9) to given requirements in the best possible manner.

    摘要翻译： 半导体层结构包括由第一（a）和至少一个第二类型（b）的III-V族化合物半导体的堆叠层（9a，9b）组成的有源层（6）和超晶格（9）。 超晶格（9）中不同类型的相邻层相对于至少一个元素的组成不同。 层（9a，9b）具有预定的层厚度，使得第一类型（a）的层（9a）和第二类型（b）的层（9b）的层的厚度从层 以增加距离有源层（6）的距离。 在第一和第二类型（a，b）的层内增加的层厚度适合于以最佳可能方式使超晶格（9）的电，光学和外延特性适应给定的要求。

    Optoelectronic semiconductor chip
    43.
    发明授权
    Optoelectronic semiconductor chip 有权
    光电半导体芯片

    公开(公告)号：US08916849B2

    公开(公告)日：2014-12-23

    申请号：US13579259

    申请日：2011-02-23

    申请人： Christoph Eichler ,  Teresa Lermer ,  Adrian Stefan Avramescu

    发明人： Christoph Eichler ,  Teresa Lermer ,  Adrian Stefan Avramescu

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01S5/20 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/00 ,  H01S5/065 ,  H01S5/343

    CPC分类号： H01S5/2018 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

    摘要： An optoelectronic semiconductor chip, the latter includes a carrier and a semiconductor layer sequence grown on the carrier. The semiconductor layer sequence is based on a nitride-compound semiconductor material and contains at least one active zone for generating electromagnetic radiation and at least one waveguide layer, which indirectly or directly adjoins the active zone. A waveguide being formed. In addition, the semiconductor layer sequence includes a p-cladding layer adjoining the waveguide layer on a p-doped side and/or an n-cladding layer on an n-doped side of the active zone. The waveguide layer indirectly or directly adjoins the cladding layer. An effective refractive index of a mode guided in the waveguide is in this case greater than a refractive index of the carrier.

    摘要翻译： 光电子半导体芯片，后者包括在载体上生长的载体和半导体层序列。 半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料，并且包含至少一个用于产生电磁辐射的活性区和间接或直接邻接活性区的至少一个波导层。 形成的波导。 此外，半导体层序列包括邻接p掺杂侧的波导层和/或有源区的n掺杂侧上的n包层的p包层。 波导层间接或直接邻接包层。 在这种情况下，在波导中引导的模式的有效折射率大于载体的折射率。

    Edge-emitting semiconductor laser
    44.
    发明授权
    Edge-emitting semiconductor laser 有权
    边缘发射半导体激光器

    公开(公告)号：US08625648B2

    公开(公告)日：2014-01-07

    申请号：US13393167

    申请日：2010-08-19

    申请人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

    发明人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

    摘要： An edge emitting semiconductor laser (1) is specified, comprising an n-side waveguide region (21) and a p-side waveguide region (22); an active zone (20) for generating electromagnetic radiation; at least one reflection layer (24) in the n-side waveguide region (21), wherein the active zone (20) is arranged between the two waveguide regions (21, 22), the thickness of the n-side waveguide region (21) is greater than that of the p-side waveguide region (22), the refractive index of the reflection layer (24) is less than the refractive index of the n-side waveguide region (21) adjoining the reflection layer (24).

    摘要翻译： 指定边缘发射半导体激光器（1），其包括n侧波导区域（21）和p侧波导区域（22）; 用于产生电磁辐射的活动区域（20）; 所述n侧波导区域（21）中的至少一个反射层（24），其中所述有源区域（20）布置在所述两个波导区域（21,22）之间，所述n侧波导区域（21）的厚度 ）大于p侧波导区域（22）的折射率，反射层（24）的折射率小于与反射层（24）相邻的n侧波导区域（21）的折射率。

    Edge-Emitting Semiconductor Laser
    45.
    发明申请
    Edge-Emitting Semiconductor Laser 有权
    边缘发射半导体激光器

    公开(公告)号：US20120201262A1

    公开(公告)日：2012-08-09

    申请号：US13393167

    申请日：2010-08-19

    申请人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

    发明人： Marc Schillgalies ,  Teresa Lermer ,  Christoph Eichler

    IPC分类号： H01S5/026

    CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

    摘要： An edge emitting semiconductor laser (1) is specified, comprising an n-side waveguide region (21) and a p-side waveguide region (22); an active zone (20) for generating electromagnetic radiation; at least one reflection layer (24) in the n-side waveguide region (21), wherein the active zone (20) is arranged between the two waveguide regions (21, 22), the thickness of the n-side waveguide region (21) is greater than that of the p-side waveguide region (22), the refractive index of the reflection layer (24) is less than the refractive index of the n-side waveguide region (21) adjoining the reflection layer (24).

    摘要翻译： 指定边缘发射半导体激光器（1），其包括n侧波导区域（21）和p侧波导区域（22）; 用于产生电磁辐射的活动区域（20）; 所述n侧波导区域（21）中的至少一个反射层（24），其中所述有源区域（20）布置在所述两个波导区域（21,22）之间，所述n侧波导区域（21）的厚度 ）大于p侧波导区域（22）的折射率，反射层（24）的折射率小于与反射层（24）相邻的n侧波导区域（21）的折射率。

    SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE WITH SUPERLATTICE
    46.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE WITH SUPERLATTICE 有权
    半导体层结构与超导

    公开(公告)号：US20110168977A1

    公开(公告)日：2011-07-14

    申请号：US13009422

    申请日：2011-01-19

    申请人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Andreas Miler ,  Marc Schillgalies

    发明人： Christoph Eichler ,  Alfred Lell ,  Andreas Miler ,  Marc Schillgalies

    IPC分类号： H01L33/06

    CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3218 ,  H01L2924/00

    摘要： An optoelectronic component including a semiconductor layer structure, the semiconductor layer structure including a superlattice composed of stacked layers of III-V compound semiconductors of a first and at least one second type. Adjacent layers of different types in the superlattice differ in composition with respect to at least one element, at least two layers of the same type having a different content of the at least one element, the content of the at least one element is graded within a layer of the superlattice, and the layers of the superlattice contain dopants in predefined concentrations, with the superlattice comprising layers that are doped with different dopants. In this way, the electrical, optical and epitaxial properties of the superlattice can be adapted in the best possible manner to given requirements, particularly epitaxial constraints.

    摘要翻译： 一种包括半导体层结构的光电子部件，所述半导体层结构包括由第一和至少一种第二类型的III-V族化合物半导体层叠层构成的超晶格。 超晶格中不同类型的相邻层相对于至少一个元素的组成不同，至少两个相同类型的层具有至少一种元素的不同含量，至少一种元素的含量分级在 超晶格的层，并且超晶格的层含有预定浓度的掺杂剂，超晶格包含掺杂有不同掺杂剂的层。 以这种方式，超晶格的电，光学和外延特性可以以给定的要求，特别是外延约束的最佳可能方式进行调整。

    Method for laterally cutting through a semiconductor wafer and optoelectronic component
    47.
    发明授权
    Method for laterally cutting through a semiconductor wafer and optoelectronic component 有权
    用于横向切割半导体晶片和光电子部件的方法

    公开(公告)号：US07943484B2

    公开(公告)日：2011-05-17

    申请号：US11991488

    申请日：2006-08-07

    申请人： Christoph Eichler ,  Volker Härle

    发明人： Christoph Eichler ,  Volker Härle

    IPC分类号： H01L21/30

    CPC分类号： H01S5/0201 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for laterally dividing a semiconductor wafer (1) comprises the method steps of: providing a growth substrate (2); epitaxially growing a semiconductor layer sequence (3), which comprises a functional semiconductor layer (5), onto the growth substrate (2); applying a mask layer (10) to partial regions of the semiconductor layer sequence (3) in order to produce masked regions (11) and unmasked regions (12); implanting ions through the unmasked regions (12) in order to produce implantation regions (13) in the semiconductor wafer (1); and dividing the semiconductor wafer (1) along the implantation regions (13), wherein the growth substrate (2) or at least one part of the growth substrate (2) is separated from the semiconductor wafer.

    摘要翻译： 一种用于横向分割半导体晶片（1）的方法包括以下方法步骤：提供生长衬底（2）; 在生长衬底（2）上外延生长包括功能半导体层（5）的半导体层序列（3）; 将掩模层（10）施加到所述半导体层序列（3）的部分区域以产生掩蔽区域（11）和未屏蔽区域（12）; 通过未掩模区域（12）注入离子，以便在半导体晶片（1）中产生注入区域（13）; 以及沿着所述注入区域（13）划分所述半导体晶片（1），其中所述生长衬底（2）或所述生长衬底（2）的至少一部分与所述半导体晶片分离。

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY
    48.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY 有权
    光电子半导体器件及其制造光电子半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20110013660A1

    公开(公告)日：2011-01-20

    申请号：US12866589

    申请日：2009-02-11

    申请人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

    发明人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

    IPC分类号： H01S5/22 ,  H01L33/20 ,  H01L21/30

    CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

    摘要： An optoelectronic semiconductor body comprises a substrate (10), which has on a first main area (12) an epitaxial semiconductor layer sequence (20), suitable for generating electromagnetic radiation, in a first region (14) and a first trench (24) in a second region (22) adjacent to the first region (14), and at least one second trench (30) arranged outside the first region (14). The invention also relates to an optoelectronic semiconductor body and a method for producing an optoelectronic semiconductor body.

    摘要翻译： 一种光电子半导体本体包括在第一区域（14）和第一沟槽（24）中在第一主区域（12）上具有适于产生电磁辐射的外延半导体层序列（20）的衬底（10） 在与所述第一区域（14）相邻的第二区域（22）中，以及布置在所述第一区域（14）的外部的至少一个第二沟槽（30）。 本发明还涉及一种光电子半导体体及其制造方法。

    Low-harmonics, polyphase converter circuit
    50.
    发明授权
    Low-harmonics, polyphase converter circuit 有权
    低谐波，多相转换电路

    公开(公告)号：US07499297B2

    公开(公告)日：2009-03-03

    申请号：US11639300

    申请日：2006-12-15

    申请人： Christian Stulz ,  Christoph Eichler ,  Erich Suter ,  Adrian Zuckerberger ,  Pieder Jörg ,  Thomas Berner

    发明人： Christian Stulz ,  Christoph Eichler ,  Erich Suter ,  Adrian Zuckerberger ,  Pieder Jörg ,  Thomas Berner

    IPC分类号： H02M5/458

    CPC分类号： H02M5/458 ,  H02M7/49

    摘要： A polyphase converter circuit having p≧3 phases (R, Y, B) and a converter circuit element provided for each phase (R, Y, B) is specified, each converter circuit element having a rectifier unit, a DC voltage circuit which is connected to the rectifier unit and an inverter unit which is connected to the DC voltage circuit. In addition, a first AC voltage output of each inverter unit forms a phase connection, and second AC voltage outputs of the inverter units are star-connected. In order to produce harmonics which are as low as possible with respect to the fundamental of the voltage and the current of an electrical AC voltage system which is connected on the input side to the converter circuit, n transformers are provided, each having a primary winding and m three-phase secondary windings, where n≧2 and m≧3. Furthermore, p sets of secondary windings are provided, each set of secondary windings being formed by in each case m p three-phase secondary windings of each transformer, and each set of secondary windings with the associated secondary windings being connected to the rectifier unit of a respective converter circuit element.

    摘要翻译： 规定了具有p = 3相（R，Y，B）和为每相（R，Y，B）提供的转换器电路元件的多相转换器电路，每个转换器电路元件具有整流单元，DC电压电路 连接到整流单元和连接到直流电压电路的逆变器单元。 此外，每个逆变器单元的第一AC电压输出形成相位连接，并且逆变器单元的第二AC电压输出是星形连接的。 为了产生相对于在输入侧连接到转换器电路的电气交流电压系统的电压和电流的基极尽可能低的谐波，提供n个变压器，每个变压器具有初级绕组 和三相次级绕组，其中n> = 2且m> = 3。 此外，提供p组次级绕组，每组次级绕组在每种情况下都形成 每个变压器的三相次级绕组，并且具有相关联的次级绕组的每组次级绕组被连接到 相应的转换器电路元件的整流单元。