公开(公告)号：US20110121424A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12771848

申请日：2010-04-30

申请人： James Carey ,  Xia Li ,  Susan Alie ,  Martin U. Pralle

发明人： James Carey ,  Xia Li ,  Susan Alie ,  Martin U. Pralle

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/223 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

摘要： Radiation-absorbing semiconductor devices and associated methods of making and using are provided. In one aspect, for example, a method for making a radiation-absorbing semiconductor device having enhanced photoresponse can include forming an active region on a surface of a low oxygen content semiconductor, and annealing the low oxygen content semiconductor to a temperature of from about 300° C. to about 1100° C., wherein the forming of the active region and the annealing of the low oxygen content semiconductor are performed in a substantially oxygen-depleted environment.

摘要翻译： 提供了辐射吸收半导体器件及相关的制造和使用方法。 在一个方面，例如，用于制造具有增强的光响应的辐射吸收半导体器件的方法可以包括在低氧含量半导体的表面上形成有源区，并将低氧含量半导体退火至约300 约1100℃，其中活性区的形成和低氧含量半导体的退火在基本上耗氧的环境中进行。

公开(公告)号：US20110049656A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12557611

申请日：2009-09-11

申请人： Xia Li ,  Seung H. Kang

发明人： Xia Li ,  Seung H. Kang

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246 ,  G06F19/00

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic tunnel junction (MTJ) device and fabrication method is disclosed. In a particular embodiment, a method of forming a magnetic tunnel junction (MTJ) device includes forming a top electrode layer over an MTJ structure. The top electrode layer includes a first nitrified metal.

摘要翻译： 公开了一种磁性隧道结（MTJ）器件及其制造方法。 在特定实施例中，形成磁性隧道结（MTJ）器件的方法包括在MTJ结构上形成顶部电极层。 顶部电极层包括第一硝化金属。

公开(公告)号：US20100302843A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12474608

申请日：2009-05-29

申请人： Xia Li ,  Kangho Lee ,  Xiaochun Zhu ,  Seung H. Kang

发明人： Xia Li ,  Kangho Lee ,  Xiaochun Zhu ,  Seung H. Kang

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/416

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659

摘要： A method is disclosed that includes controlling current flow direction for current sent over a source line or a bit line of a magnetic memory device. A current generated magnetic field assists switching of a direction of a magnetic field of a free layer of a magnetic element within a spin transfer torque magnetic tunnel junction (STT-MTJ) device.

摘要翻译： 公开了一种方法，其包括控制通过磁存储器件的源极线或位线发送的电流的电流流动方向。 电流产生的磁场有助于在自旋转移转矩磁隧道结（STT-MTJ）装置内的磁性元件自由层的磁场方向的切换。

公开(公告)号：US20100176471A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：US12352648

申请日：2009-01-13

申请人： Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Seung H. Kang

发明人： Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Seung H. Kang

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01L43/12

摘要： According to an embodiment of the invention, a magnetic tunnel junction (MTJ) element includes a reference ferromagnetic layer, a storage ferromagnetic layer, and an insulating layer. The storage ferromagnetic layer includes a CoFeB sub-layer coupled to a CoFe sub-layer and/or a NiFe sub-layer through a non-magnetic sub-layer. The insulating layer is disposed between the reference and storage ferromagnetic layers.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，磁性隧道结（MTJ）元件包括参考铁磁层，存储铁磁层和绝缘层。 存储铁磁层包括通过非磁性子层耦合到CoFe子层和/或NiFe子层的CoFeB子层。 绝缘层设置在参考和存储铁磁层之间。

公开(公告)号：US20070287154A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11578472

申请日：2005-04-14

申请人： Xia Li ,  Weihua Li ,  Joseph Brand

发明人： Xia Li ,  Weihua Li ,  Joseph Brand

IPC分类号： C12Q1/68 ,  C07K14/00 ,  C12N1/20 ,  C12N15/00 ,  G01N33/00 ,  C12N15/11 ,  C12N5/06

CPC分类号： C12Q1/6883 ,  C07K14/705 ,  C12Q2600/124 ,  C12Q2600/158

摘要： The present invention relates to the discovery of several genes of the domestic dog (Canine familiaris) associated with taste perception. The invention provides, inter alia, the nucleotide sequence of the canine Tas1r1, Tas1r2, and Tas1r3 receptor genes, the amino acid sequences of the polypeptides encoded thereby, and antibodies to the polypeptides. The present invention also relates to methods for screening for compounds that modify the genes' function or activity, the compounds identified by such screens, and mimetics of the identified compounds. The invention further provides methods for modifying the taste preferences, ingestive responses, or general behavior of a mammal such as a dog by administering compounds that affect the function or activity of the gene or the polypeptide encoded thereby.

摘要翻译： 本发明涉及与味觉相关的家犬（Canine familiaris）的几种基因的发现。 本发明特别提供了犬Tas1r1，Tas1r2和Tas1r3受体基因的核苷酸序列，由此编码的多肽的氨基酸序列以及针对多肽的抗体。 本发明还涉及用于筛选修饰基因的功能或活性的化合物的方法，由这种筛选鉴定的化合物以及鉴定的化合物的模拟物。 本发明还提供了通过施用影响基因的功能或活性的化合物或由其编码的多肽来修饰哺乳动物（例如狗）的味道偏好，摄入反应或一般行为的方法。

公开(公告)号：US06521486B1

公开(公告)日：2003-02-18

申请号：US09645923

申请日：2000-08-24

申请人： Xia Li ,  Reid Hirata ,  Michael Coiner

发明人： Xia Li ,  Reid Hirata ,  Michael Coiner

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/485 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： A method, and system for reducing switching noise on a device, and an improved capacitor-integrated device is disclosed. At least one conductive line is deposited within a device. Additionally, at least one capacitor is attached to the at least one conductive line. Once the capacitor is attached to the conductive line, an improved capacitor-integrated circuit device results. The method and system of the present invention provides for the addition of at least one capacitor to be added between the power supply pins on at least one IC device. By doing so, switching signal noise is reduced. As a result of the method and system of the present invention, the resulting improved device can be efficiently used to check various qualities such as the level of ground bouncing noise, or switching signal noise reduction, without changing the circuit design of the device.

摘要翻译： 公开了一种用于降低器件上的开关噪声的方法和系统，以及改进的电容器集成器件。 至少一条导线被放置在器件内。 另外，至少一个电容器连接到至少一个导电线。 一旦电容器连接到导线上，就会产生改进的电容集成电路器件。 本发明的方法和系统提供了在至少一个IC器件上添加至少一个要添加在电源引脚之间的电容器。 通过这样做，减少了开关信号噪声。 作为本发明的方法和系统的结果，不改变设备的电路设计，可以有效地利用所得到的改进的装置来检查诸如地面跳动噪声的电平或切换信号噪声降低的各种特性。

公开(公告)号：US06422611B1

公开(公告)日：2002-07-23

申请号：US09600353

申请日：2000-08-22

申请人： Jiesheng Jin ,  Yushi Zhou ,  Yuefang Liu ,  Chicheng Luo ,  Gengwu Li ,  Jiajing Pan ,  Zihan Liao ,  Xiaohong Li ,  Xia Li ,  Youren Rui ,  Shamen Ou ,  Jiyao Yang ,  Xijin Zhao ,  Zhu Li ,  Xueqin Li ,  Jianmin Deng

发明人： Jiesheng Jin ,  Yushi Zhou ,  Yuefang Liu ,  Chicheng Luo ,  Gengwu Li ,  Jiajing Pan ,  Zihan Liao ,  Xiaohong Li ,  Xia Li ,  Youren Rui ,  Shamen Ou ,  Jiyao Yang ,  Xijin Zhao ,  Zhu Li ,  Xueqin Li ,  Jianmin Deng

IPC分类号： F16L2712

CPC分类号： F16L51/028

摘要： An expansion joint device (10) used for metal conduits comprises an inlet short tube (1), an outlet short tube (2), and a sleeve (3). Both the opposed inside ends of the two short tubes (1, 2) are in the inside of the sleeve (3) and form a compensating gap (6) between them. A bellows member (7), axially expansible with an external force applying on, is provided in the compensating gap (6) formed between the opposed inside ends of the two short tubes (1, 2). The two ends of the bellows member (7) are respectively connected with the inside ends of the two short tubes (1, 2) in sealed manner. At least one of the two ends of said sleeve (3) is free end with respect to the two short tubes (1, 2).

摘要翻译： 用于金属导管的膨胀接头装置（10）包括入口短管（1），出口短管（2）和套管（3）。 两个短管（1,2）的相对的内端都位于套筒（3）的内部，并且在它们之间形成补偿间隙（6）。 在形成在两个短管（1,2）的相对的内端之间的补偿间隙（6）中设置有可施加外力的可膨胀的波纹管构件（7）。 波纹管构件（7）的两端分别以密封的方式与两个短管（1,2）的内端连接。 所述套管（3）的两端中的至少一个相对于两个短管（1,2）是自由端。

公开(公告)号：US06306741B1

公开(公告)日：2001-10-23

申请号：US09615809

申请日：2000-07-13

申请人： James Yong Meng Lee ,  Xia Li ,  Yun Qiang Zhang

发明人： James Yong Meng Lee ,  Xia Li ,  Yun Qiang Zhang

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66583

摘要： A buffer layer and a gate dielectric layer overlying a substrate having at least one active area is provided. A sacrificial oxide layer is formed over the gate dielectric layer. A nitride layer is formed over the sacrificial oxide layer. The nitride layer is patterned to form an opening therein within the active area exposing a portion of the sacrificial oxide layer within the opening. The portion of the sacrificial oxide layer within the opening is stripped, exposing a portion of the underlying gate dielectric layer within the opening. A gate electrode is formed within opening over the portion of the gate dielectric layer. The remaining nitride layer is selectively removed. The remaining sacrificial oxide layer is then stripped and removed.

摘要翻译： 提供了具有至少一个有效区域的衬底上的缓冲层和栅介质层。 牺牲氧化物层形成在栅极介电层上。 在牺牲氧化物层上形成氮化物层。 图案化氮化物层以在有效区域内形成开口，露出开口内部的牺牲氧化物层的一部分。 剥离开口内的牺牲氧化物层的部分，将下面的栅极介电层的一部分暴露在开口内。 栅极电极形成在栅极电介质层的部分的开口内。 剩余的氮化物层被选择性地去除。 然后剥离并除去剩余的牺牲氧化物层。

公开(公告)号：US06171944B2

公开(公告)日：2001-01-09

申请号：US09074627

申请日：1998-05-07

申请人： Xia Li ,  Glen Gilfeather

发明人： Xia Li ,  Glen Gilfeather

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76892 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76805

摘要： A method for bringing up lower level metal nodes of multi-layered IC devices (200) includes a step of boring a passage (210) down through the obstructing or non-target metal layers (220) exposing these layers, through the Inter Layer Dielectric layers (230), stopping at the target metal layer (240), and a step of depositing Gallium implanted insulator (250, 260) forming a node structure (280) with a conductive core (250) and an insulative sheath (260). The conductive core (250) brings up the target metal node or layer (240) and the insulative sheath (260) isolates the exposed non-target metal nodes or layers (220) from the target metal node (240) and the conductive core (250).

摘要翻译： 一种用于提升多层IC器件（200）的下层金属节点的方法包括将通道（210）向下穿过暴露这些层的阻挡或非目标金属层（220）穿过层间介质 在所述目标金属层（240）处停止的层（230），以及形成具有导电芯（250）和绝缘护套（260）的形成节点结构（280）的镓注入绝缘体（250,260）的步骤。 导电芯（250）引出目标金属节点或层（240），并且绝缘护套（260）将暴露的非目标金属节点或层（220）与目标金属节点（240）和导电芯 250）。

公开(公告)号：US6147399A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US148666

申请日：1998-09-04

申请人： Xia Li ,  Daniel Yim

发明人： Xia Li ,  Daniel Yim

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/053

CPC分类号： H01L23/525 ,  H01L2924/0002

摘要： Aspects for exposing local areas for desired nodes in a multi-layer integrated circuit from the backside are described. In an exemplary method aspect, the method includes removing a predetermined portion of a first backside layer, opening chosen local areas with focused ion beam etching through at least the first backside layer, and exposing a desired node in a metal layer lower than the first backside layer with reactive ion etching. The method further includes removing the predetermined portion by performing reactive ion etching to a predetermined stop point. Alternatively, the first backside layer is mechanically polished to a predetermined thickness. Additionally, the method includes utilizing a high current ion beam during the focused ion beam etching.

摘要翻译： 描述了用于从背面暴露多层集成电路中的期望节点的局部区域的方面。 在示例性方法方面，该方法包括去除第一背面层的预定部分，通过至少第一背面层的聚焦离子束蚀刻来打开所选择的局部区域，以及在低于第一背面层的金属层中暴露期望的节点 层与反应离子蚀刻。 该方法还包括通过对预定的停止点进行反应离子蚀刻来去除预定部分。 或者，将第一背面层机械抛光至预定厚度。 此外，该方法包括在聚焦离子束蚀刻期间利用高电流离子束。