公开(公告)号：US09123608B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13416004

申请日：2012-03-09

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Volume Chien ,  Szu-An Wu

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Volume Chien ,  Szu-An Wu

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14698

摘要： A backside illuminated CMOS image sensor comprises a photo active region formed over a substrate using a front side ion implantation process and an extended photo active region formed adjacent to the photo active region, wherein the extended photo active region is formed by using a backside ion implantation process. The backside illuminated CMOS image sensor may further comprise a laser annealed layer on the backside of the substrate. The extended photo active region helps to increase the number of photons converted into electrons so as to improve quantum efficiency.

摘要翻译： 背面照明CMOS图像传感器包括使用前侧离子注入工艺和邻近光有源区形成的延伸的光有源区在衬底上形成的光有源区，其中扩展的光有源区通过使用背侧离子注入形成 处理。 背面照明的CMOS图像传感器还可以包括在衬底的背面上的激光退火层。 扩展的光有源区域有助于增加转换成电子的光子数量，以提高量子效率。

公开(公告)号：US20130234202A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13415546

申请日：2012-03-08

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Szu-An Wu

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Szu-An Wu

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/1464

摘要： Image sensors comprising an isolation region according to embodiments are disclosed, as well as methods of forming the image sensors with isolation region. An embodiment is a structure comprising a semiconductor substrate, a photo element in the semiconductor substrate, and an isolation region in the semiconductor substrate. The isolation region is proximate the photo element and comprises a dielectric material and an epitaxial region. The epitaxial region is disposed between the semiconductor substrate and the dielectric material.

摘要翻译： 公开了包括根据实施例的隔离区域的图像传感器，以及形成具有隔离区域的图像传感器的方法。 实施例是包括半导体衬底，半导体衬底中的光电元件和半导体衬底中的隔离区域的结构。 隔离区域靠近光电元件并且包括电介质材料和外延区域。 外延区域设置在半导体衬底和电介质材料之间。

公开(公告)号：US20130207213A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13396426

申请日：2012-02-14

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Szu-An Wu ,  Sheng-Wen Chen

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Szu-An Wu ,  Sheng-Wen Chen

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

摘要： A device includes a semiconductor substrate, which has a front side and a backside. A photo-sensitive device is disposed on the front side of the semiconductor substrate. A first and a second grid line are parallel to each other, and are disposed on the backside of, and overlying, the semiconductor substrate. A stacked layer includes an adhesion layer, a metal layer over the adhesion layer, and a high-refractive index layer over the metal layer. The adhesion layer, the metal layer, and the high-refractive index layer are substantially conformal, and extend on top surfaces and sidewalls of the first and the second grid lines.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底。 光敏装置设置在半导体基板的正面上。 第一和第二栅极线彼此平行，并且设置在半导体衬底的背面并且覆盖其上。 堆叠层包括粘合层，粘合层上的金属层和金属层上的高折射率层。 粘合层，金属层和高折射率层基本上共形，并且在第一和第二栅格线的顶表面和侧壁上延伸。

公开(公告)号：US20120326312A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13167857

申请日：2011-06-24

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Ting-Chun Wang ,  Szu-An Wu

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Ting-Chun Wang ,  Szu-An Wu

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L23/48 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L23/4827 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes forming an opening in a dielectric layer, and forming a silicon rich layer on a surface of the dielectric layer. A portion of the silicon rich layer extends into the opening and contacts the dielectric layer. A tantalum-containing layer is formed over and the contacting the silicon rich layer. An annealing is performed to react the tantalum-containing layer with the silicon rich layer, so that a tantalum-and-silicon containing layer is formed.

摘要翻译： 一种方法包括在电介质层中形成开口，并且在介电层的表面上形成富硅层。 富硅层的一部分延伸到开口中并与电介质层接触。 在富含硅层上方形成含钽层。 进行退火以使含钽层与富硅层反应，从而形成含钽和硅的层。

公开(公告)号：US08021992B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US11218695

申请日：2005-09-01

申请人： Joung-Wei Liou ,  Tsang-Yu Liu ,  Chien-Feng Lin ,  Cheng-Liang Chang ,  Ming-Te Chen ,  Chia-Hui Lin ,  Ying-Hsiu Tsai ,  Szu-An Wu ,  Yin-Ping Lee

发明人： Joung-Wei Liou ,  Tsang-Yu Liu ,  Chien-Feng Lin ,  Cheng-Liang Chang ,  Ming-Te Chen ,  Chia-Hui Lin ,  Ying-Hsiu Tsai ,  Szu-An Wu ,  Yin-Ping Lee

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/46 ,  C23C16/507 ,  H01L21/76837

摘要： A high density plasma chemical vapor deposition process including exciting gas mixture to create a plasma including ions, and directing the plasma into a dense region above the upper surface of the semiconductor wafer, heating the wafer using an additional heat source, and allowing a material from the plasma to deposit onto the semiconductor wafer.

摘要翻译： 一种高密度等离子体化学气相沉积方法，包括激发气体混合物以产生包括离子的等离子体，并将等离子体引导到半导体晶片的上表面上方的致密区域中，使用额外的热源加热晶片， 等离子体沉积到半导体晶片上。

公开(公告)号：US20070153272A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11322540

申请日：2005-12-30

申请人： Joung-Wei Liou ,  Jacky Huang ,  Chih-Ming Ke ,  Szu-An Wu

发明人： Joung-Wei Liou ,  Jacky Huang ,  Chih-Ming Ke ,  Szu-An Wu

IPC分类号： G01J4/00

CPC分类号： G01N21/8422 ,  G01N21/211

摘要： A system for measuring optical properties of a sample is provided. A light source provides incident polarized light. A detector detects reflected light from the sample surface. A processor determines a first coefficient (R) of the reflected light detected by the detector, determines a second coefficient (n), extinction coefficient (k), and thickness of the film based on the measured first coefficient, and determines a first dielectric constant (∈1) and a second dielectric constant (∈2) of the film according to the second coefficient (n) and extinction coefficient (k).

摘要翻译： 提供了一种用于测量样品的光学性质的系统。 光源提供入射偏振光。 检测器检测来自样品表面的反射光。 处理器确定由检测器检测的反射光的第一系数（R），基于测量的第一系数确定胶片的第二系数（n），消光系数（k）和厚度，并且确定第一介电常数 根据第二系数（n）和消光系数（k），薄膜的第二介电常数（εε2）和第二介电常数（ε∈2 <2）。

公开(公告)号：US20070049034A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11218695

申请日：2005-09-01

申请人： Joung-Wei Liou ,  Tsang-Yu Liu ,  Chien-Feng Lin ,  Cheng-Liang Chang ,  Ming-Te Chen ,  Chia-Hui Lin ,  Ying-Hsiu Tsai ,  Szu-An Wu ,  Yin-Ping Lee

发明人： Joung-Wei Liou ,  Tsang-Yu Liu ,  Chien-Feng Lin ,  Cheng-Liang Chang ,  Ming-Te Chen ,  Chia-Hui Lin ,  Ying-Hsiu Tsai ,  Szu-An Wu ,  Yin-Ping Lee

IPC分类号： H01L21/469 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/46 ,  C23C16/507 ,  H01L21/76837

摘要： A high density plasma chemical vapor deposition process including exciting gas mixture to create a plasma including ions, and directing the plasma into a dense region above the upper surface of the semiconductor wafer, heating the wafer using an additional heat source, and allowing a material from the plasma to deposit onto the semiconductor wafer.

摘要翻译： 一种高密度等离子体化学气相沉积方法，包括激发气体混合物以产生包括离子的等离子体，并将等离子体引导到半导体晶片的上表面上方的致密区域中，使用额外的热源加热晶片， 等离子体沉积到半导体晶片上。

公开(公告)号：US20060205232A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11076702

申请日：2005-03-10

申请人： Lih-Ping Li ,  Tzong-Sheng Chang ,  William Kuo ,  Tsung-Hsien Lee ,  Chun-Lin Tsai ,  Szu-An Wu ,  Yin-Ping Lee

发明人： Lih-Ping Li ,  Tzong-Sheng Chang ,  William Kuo ,  Tsung-Hsien Lee ,  Chun-Lin Tsai ,  Szu-An Wu ,  Yin-Ping Lee

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/0276 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

摘要： A method for etching a dielectric material in a semiconductor device is disclosed. After providing a conductive region, a dielectric layer is formed over the conductive region. A dielectric antireflective coating (DARC) layer is further formed on the dielectric layer. Then, a moisture-removal step is performed that removes moisture from the DARC layer and from an interface region between the dielectric and the DARC layer. A masking pattern is transferred into the DARC layer and the dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种在半导体器件中蚀刻介电材料的方法。 在提供导电区域之后，在导电区域上形成电介质层。 在电介质层上进一步形成电介质抗反射涂层（DARC）层。 然后，进行除湿步骤，其从DARC层和电介质层与DARC层之间的界面区域去除水分。 掩模图案被传送到DARC层和电介质层。

公开(公告)号：US20060017166A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10929751

申请日：2004-08-30

申请人： Po-Hsiung Leu ,  Harry Chuang ,  Ying-Hsiu Tsai ,  Shu-Tine Yang ,  Cheng-Hui Yang ,  Chung-Ming Feng ,  Szu-An Wu ,  Tsang-Yu Liu ,  Ming-Te Chen

发明人： Po-Hsiung Leu ,  Harry Chuang ,  Ying-Hsiu Tsai ,  Shu-Tine Yang ,  Cheng-Hui Yang ,  Chung-Ming Feng ,  Szu-An Wu ,  Tsang-Yu Liu ,  Ming-Te Chen

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/31629 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and method of manufacture thereof having a less free fluorine (F) fluorine containing Silica Glass (FSG) dielectric film formed thereon. The FSG dielectric film includes about 25% or less free F, has a porosity of about 5% or less and has a dielectric constant of about 3.8 or less. A first barrier layer may be disposed between a workpiece and the FSG dielectric film, and a second barrier layer may be disposed between the FSG dielectric film and at least one conductive line formed in the FSG dielectric film. The FSG dielectric film is formed by introducing SiF4:SiH4 at a reaction condition ratio of about 2.5 or less at a pressure of about 3 Torr or less and at an RF of about 500 watts to 5000 watts.

摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法，其上形成有较少游离的含氟（F）氟的二氧化硅玻璃（FSG）电介质膜。 FSG介电膜包括约25％或更少的游离F，具有约5％或更小的孔隙率，并且具有约3.8或更小的介电常数。 第一阻挡层可以设置在工件和FSG电介质膜之间，并且第二阻挡层可以设置在FSG电介质膜和形成在FSG绝缘膜中的至少一个导电线之间。 FSG电介质膜通过在约3托或更低的压力和约3托或更低的压力下以约2.5或更小的反应条件比引入SiF 4 Si:4H 4 约500瓦至5000瓦。

公开(公告)号：US20050121751A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：US10729217

申请日：2003-12-04

申请人： Shiu-Ko Jangjian ,  Jun Wu ,  Chi-Wen Liu ,  Ying-Lung Wang ,  Yi-Lung Cheng ,  Michael Chang ,  Szu-An Wu

发明人： Shiu-Ko Jangjian ,  Jun Wu ,  Chi-Wen Liu ,  Ying-Lung Wang ,  Yi-Lung Cheng ,  Michael Chang ,  Szu-An Wu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a dielectric layer provides for use of a carbon source material separate from a halogen source material when forming a carbon and halogen doped silicate glass dielectric layer. The use of separate carbon and halogen source materials provides enhanced process latitude when forming the carbon and halogen doped silicate glass dielectric layer. Such a carbon and halogen doped silicate glass dielectric layer having a dielectric constant greater than about 3.0 is particularly useful as an intrinsic planarizing stop layer within a damascene method. A bilayer dielectric layer construction comprising a carbon and halogen doped silicate glass and a carbon doped silicate glass dielectric layer absent halogen doping is useful within a dual damascene method.