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    High dielectric constant transition metal oxide materials
    51.
    发明授权
    High dielectric constant transition metal oxide materials 有权
    高介电常数过渡金属氧化物材料

    公开(公告)号：US07172947B2

    公开(公告)日：2007-02-06

    申请号：US10940803

    申请日：2004-08-31

    申请人： Jiutao Li ,  Shuang Meng

    发明人： Jiutao Li ,  Shuang Meng

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/02181 ,  C04B35/48 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40

    摘要： A transition metal oxide dielectric material is doped with a non-metal in order to enhance the electrical properties of the metal oxide. In a preferred embodiment, a transition metal oxide is deposited over a bottom electrode and implanted with a dopant. In a preferred embodiment, the metal oxide is hafnium oxide or zirconium oxide and the dopant is nitrogen. The dopant can convert the crystal structure of the hafnium oxide or zirconium oxide to a tetragonal structure and increase the dielectric constant of the metal oxide.

    摘要翻译： 过渡金属氧化物电介质材料掺杂有非金属，以增强金属氧化物的电性能。 在优选实施例中，过渡金属氧化物沉积在底部电极上并注入掺杂剂。 在优选的实施方案中，金属氧化物是氧化铪或氧化锆，掺杂剂是氮。 掺杂剂可将氧化铪或氧化锆的晶体结构转变为四方结构，并增加金属氧化物的介电常数。

    High dielectric constant transition metal oxide materials
    53.
    发明申请
    High dielectric constant transition metal oxide materials 有权
    高介电常数过渡金属氧化物材料

    公开(公告)号：US20060051978A1

    公开(公告)日：2006-03-09

    申请号：US10940803

    申请日：2004-08-31

    申请人： Jiutao Li ,  Shuang Meng

    发明人： Jiutao Li ,  Shuang Meng

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/02181 ,  C04B35/48 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40

    摘要： A transition metal oxide dielectric material is doped with a non-metal in order to enhance the electrical properties of the metal oxide. In a preferred embodiment, a transition metal oxide is deposited over a bottom electrode and implanted with a dopant. In a preferred embodiment, the metal oxide is hafnium oxide or zirconium oxide and the dopant is nitrogen. The dopant can convert the crystal structure of the hafnium oxide or zirconium oxide to a tetragonal structure and increase the dielectric constant of the metal oxide.

    摘要翻译： 过渡金属氧化物电介质材料掺杂有非金属，以增强金属氧化物的电性能。 在优选实施例中，过渡金属氧化物沉积在底部电极上并注入掺杂剂。 在优选的实施方案中，金属氧化物是氧化铪或氧化锆，掺杂剂是氮。 掺杂剂可将氧化铪或氧化锆的晶体结构转变为四方结构，并增加金属氧化物的介电常数。

    Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate
    56.
    发明授权
    Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate 有权
    在衬底上沉积氧化物的原子层沉积方法

    公开(公告)号：US07431966B2

    公开(公告)日：2008-10-07

    申请号：US10733201

    申请日：2003-12-09

    申请人： Garo J. Derderian ,  Shuang Meng ,  Danny Dynka

    发明人： Garo J. Derderian ,  Shuang Meng ,  Danny Dynka

    IPC分类号： C23C16/00 ,  B05D3/06 ,  B05D5/12 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40

    CPC分类号： C23C16/45542 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45531

    摘要： The invention includes atomic layer deposition methods of depositing an oxide on a substrate. In one implementation, a substrate is positioned within a deposition chamber. A first species is chemisorbed onto the substrate to form a first species monolayer within the deposition chamber from a gaseous precursor. The chemisorbed first species is contacted with remote plasma oxygen derived at least in part from at least one of O2 and O3 and with remote plasma nitrogen effective to react with the first species to form a monolayer comprising an oxide of a component of the first species monolayer. The chemisorbing and the contacting with remote plasma oxygen and with remote plasma nitrogen are successively repeated effective to form porous oxide on the substrate. Other aspects and implementations are contemplated.

    摘要翻译： 本发明包括在衬底上沉积氧化物的原子层沉积方法。 在一个实施方式中，衬底位于沉积室内。 第一种物质被化学吸附到基底上以在气相前体的沉积室内形成第一物质单层。 化学吸附的第一物质与至少部分从O 2和O 3 3中的至少一个导出的远程等离子体氧接触，并且与远程等离子体氮有效地与第一物质反应 物质形成包含第一物质单层的组分的氧化物的单层。 连续重复化学吸附和与远程等离子体氧和远程等离子体氮的接触，以在衬底上形成多孔氧化物。 考虑了其他方面和实现。

    Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process
    58.
    发明授权
    Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process 有权
    用于在间距乘法过程中整合间隔物的多次沉积

    公开(公告)号：US07390746B2

    公开(公告)日：2008-06-24

    申请号：US11213486

    申请日：2005-08-25

    申请人： Jingyi Bai ,  Gurtej S. Sandhu ,  Shuang Meng

    发明人： Jingyi Bai ,  Gurtej S. Sandhu ,  Shuang Meng

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088

    摘要： Pitch multiplication is performed using a two step process to deposit spacer material on mandrels. The precursors of the first step react minimally with the mandrels, forming a barrier layer against chemical reactions for the deposition process of the second step, which uses precursors more reactive with the mandrels. Where the mandrels are formed of amorphous carbon and the spacer material is silicon oxide, the silicon oxide is first deposited by a plasma enhanced deposition process and then by a thermal chemical vapor deposition process. Oxygen gas and plasma-enhanced tetraethylorthosilicate (TEOS) are used as reactants in the plasma enhanced process, while ozone and TEOS are used as reactants in the thermal chemical vapor deposition process. The oxygen gas is less reactive with the amorphous carbon than ozone, thereby minimizing deformation of the mandrels caused by oxidation of the amorphous carbon.

    摘要翻译： 使用两步法将间隔物材料沉积在心轴上进行间距倍增。 第一步的前体与心轴发生最小的反应，形成抵抗第二步骤沉积过程的化学反应的阻挡层，其使用与心轴更具反应性的前体。 在心轴由非晶碳形成并且间隔物材料是氧化硅的情况下，首先通过等离子体增强沉积工艺沉积氧化硅，然后通过热化学气相沉积工艺沉积。 在等离子体增强过程中使用氧气和等离子体增强的四乙基原硅酸盐（TEOS）作为反应物，而在热化学气相沉积工艺中使用臭氧和TEOS作为反应物。 氧气与无定形碳的反应性低于臭氧，从而最小化由无定形碳的氧化引起的心轴的变形。