公开(公告)号：US5330606A

公开(公告)日：1994-07-19

申请号：US805864

申请日：1991-12-10

申请人： Masafumi Kubota ,  Noboru Nomura ,  Tokuhiko Tamaki

发明人： Masafumi Kubota ,  Noboru Nomura ,  Tokuhiko Tamaki

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32165

摘要： An apparatus for generating plasma is disclosed. The apparatus comprises: a plasma chamber; pairs of parallel plate electrodes; and a power supply for applying high-frequency powers on the pairs of electrodes. The frequencies of the high-frequency powers and the phase difference between the high-frequency powers are adjusted so as to cause each of electrons in the plasma to move in a circular path. A dense and highly uniform plasma is generated at a low pressure level, by utilizing the phenomenon of the oscillation, revolution or cycloidal motion of electrons in a high-frequency electric field formed between the parallel plate electrodes. This plasma is suitable for etching in the LSI fabrication process.

摘要翻译： 公开了一种用于产生等离子体的装置。 该装置包括：等离子体室; 成对平行板电极; 以及用于在所述电极对上施加高频功率的电源。 调整高频功率的频率和高频功率之间的相位差，使得等离子体中的每个电子以圆形路径移动。 通过利用在平行板电极之间形成的高频电场中的电子的振荡，旋转或摆线运动的现象，在低压水平下产生致密且高度均匀的等离子体。 该等离子体适用于在LSI制造工艺中的蚀刻。

公开(公告)号：US5198326A

公开(公告)日：1993-03-30

申请号：US695328

申请日：1991-05-03

申请人： Kazuhiko Hashimoto ,  Noboru Nomura

发明人： Kazuhiko Hashimoto ,  Noboru Nomura

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2059 ,  Y10S430/143 ,  Y10S438/949

摘要： In a process using a single-layer or multi-layer resist, by using a resist material comprising an acid-decomposable polymer, an acid generator and a conducting polymer or a resist material comprising a monomer to be made reactive by an acid, an acid generator and a conducting polymer, there can be formed a fine pattern precisely without inviting charging during charged beam writing.

摘要翻译： 在使用单层或多层抗蚀剂的方法中，通过使用包含酸可分解聚合物，酸产生剂和导电聚合物的抗蚀剂材料或包含由酸反应的单体的抗蚀材料，酸 发电机和导电聚合物，可以精确地形成精细图案，而不会在带电波束写入期间带电充电。

公开(公告)号：US5102688A

公开(公告)日：1992-04-07

申请号：US695327

申请日：1991-05-03

申请人： Kazuhiko Hashimoto ,  Noboru Nomura

发明人： Kazuhiko Hashimoto ,  Noboru Nomura

IPC分类号： G03F7/039 ,  C08G79/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/16 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/3121 ,  C08G79/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/16 ,  G03F7/0754 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0279 ,  C08G77/06

摘要： A positive type fine resist pattern can be formed at a high sensitivity at a high precision by using, as a resist film for a di-layer resist, a mixture or alternating copolymer of a silicon-containing resin and a polysulfone.

摘要翻译： 通过使用二层抗蚀剂的抗蚀剂膜，含硅树脂和聚砜的混合物或交替共聚物，可以以高精度高灵敏度地形成正型精细抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US4936951A

公开(公告)日：1990-06-26

申请号：US262871

申请日：1988-10-26

申请人： Kazuhiko Hashimoto ,  Taichi Koizumi ,  Kenji Kawakita ,  Noboru Nomura

发明人： Kazuhiko Hashimoto ,  Taichi Koizumi ,  Kenji Kawakita ,  Noboru Nomura

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/09

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/004 ,  Y10S438/949

摘要： A fine pattern forming method capable of forming an accurate fine pattern without charge-up at the time of electron beam or focus ion beam exposure is provided by treating the bottom layer or intermediate layer or silicon containing resist of a multi-layer resist with ion shower irradiation or reducing solvent.

摘要翻译： 通过用离子淋洗处理多层抗蚀剂的底层或中间层或含硅抗蚀剂，可以提供在电子束或聚焦离子束曝光时无需充电形成精确精细图案的精细图案形成方法 照射或还原溶剂。

公开(公告)号：US4734345A

公开(公告)日：1988-03-29

申请号：US869844

申请日：1986-05-28

申请人： Noboru Nomura ,  Koichi Kugimiya

发明人： Noboru Nomura ,  Koichi Kugimiya

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03H1/04

CPC分类号： G03F7/70408 ,  G03F7/2006 ,  G03H1/04

摘要： A method and apparatus for making a semiconductor device involves placing a semiconductor wafer in a position where two coherent light beams can interfere thereon. One of the coherent light beams is modulated by a hologram inserted in the path of the beam projected onto a surface of the semiconductor wafer. The other of the coherent light beams is also projected onto the same surface of the semiconductor wafer. The two interfering light beams form a pattern on a photoresist film found on the surface of the semiconductor wafer, which can be developed by photoresist techniques.

摘要翻译： 用于制造半导体器件的方法和装置包括将半导体晶片放置在两个相干光束可能在其上干涉的位置。 相干光束中的一个被插入在投影到半导体晶片的表面上的光束的路径中的全息图调制。 相干光束中的另一个也投射到半导体晶片的相同表面上。 两个干涉光束在半导体晶片的表面上形成的光致抗蚀剂膜上形成图案，其可通过光致抗蚀剂技术显影。

公开(公告)号：US4636077A

公开(公告)日：1987-01-13

申请号：US599734

申请日：1984-04-12

申请人： Noboru Nomura ,  Koichi Kugimiya ,  Takayoshi Matsumura ,  Taketoshi Yonezawa

发明人： Noboru Nomura ,  Koichi Kugimiya ,  Takayoshi Matsumura ,  Taketoshi Yonezawa

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  G01B9/02

CPC分类号： G03F9/7049 ,  G03F7/70408 ,  G03F9/7076

摘要： Disclosed in an aligning and exposing method suitable for use in the production of LSIs. Coherent ray beams are applied from two directions to form interference fringe through interference of the coherent rays. A diffraction grid is disposed in the optic paths of the ray beams substantially in parallel with the interference fringe. The ray beams reflected and transmitted by the grid are converged by a lens system and the intensities of the ray beams are measured to detect the relative position between the interference fringe formed by two coherent ray beams and the diffraction grid, thereby to permit a highly accurate alignment of fine semiconductor element. The pitch of the grid on the substrate is selected to be n (n being an integer) times as large as the pitch of the interference fringe, so that the grid for alignment purpose is formed simultaneously with the formation of the LSI pattern by photolithographic technic. With this method, it is possible to attain a high degree of accuracy of alignment, and to conduct the subsequent exposure using the same ray beam source as that used for the alignment.

摘要翻译： 公开了适用于制造LSI的对准和曝光方法。 从两个方向施加相干射线束，以形成干涉条纹通过相干射线的干涉。 衍射栅格设置在基本上与干涉条纹平行的射线束的光路中。 由栅格反射和透射的光束由透镜系统会聚，并且测量射线束的强度以检测由两个相干射线束和衍射栅格形成的干涉条纹之间的相对位置，从而允许高精度 精细半导体元件的对准。 衬底上的栅格的间距选择为干涉条纹的间距的n（n是整数）倍，使得用于对准目的的栅格与通过光刻技术形成LSI图案同时形成 。 利用该方法，可以获得高精度的对准，并且可以使用与用于对准的相同的光束源进行后续曝光。

公开(公告)号：US4622613A

公开(公告)日：1986-11-11

申请号：US540154

申请日：1983-10-07

申请人： Noboru Nomura ,  Kenji Kanai ,  Nobuyuki Kaminaka

发明人： Noboru Nomura ,  Kenji Kanai ,  Nobuyuki Kaminaka

IPC分类号： G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  G11B5/12 ,  G11B5/30

CPC分类号： G11B5/39 ,  H01L43/08

摘要： In a magnetoresistive (MR) effect head, electrodes for supplying a current to an MR element and a bias current conductor are not exposed at a contact surface of the MR head which is brought into sliding contact with a magnetic recording medium, thus preventing surface roughening of the contact surface.

摘要翻译： 在磁阻（MR）效应头中，用于向MR元件供给电流的电极和偏置电流导体不暴露在与磁记录介质滑动接触的MR头的接触表面处，从而防止表面粗糙化 的接触面。

公开(公告)号：US4558385A

公开(公告)日：1985-12-10

申请号：US647259

申请日：1984-09-04

申请人： Nobuyuki Kaminaka ,  Kenji Kanai ,  Noboru Nomura

发明人： Nobuyuki Kaminaka ,  Kenji Kanai ,  Noboru Nomura

IPC分类号： G11B5/31 ,  H01F10/28 ,  G11B5/12

CPC分类号： G11B5/3116 ,  G11B5/3163

摘要： In a thin film magnetic head in which a lower magnetic layer is formed on a non-magnetic substrate through a non-magnetic layer, and a conductive layer constituting a signal winding and an upper magnetic layer are formed on the lower magnetic layer, the lower magnetic layer is formed within a recess formed in the non-magnetic layer. The recess may pass through the magnetic layer. The lower magnetic layer formed within the recess in the non-magnetic layer can considerably reduce raised portions associated with respective upper layers so that the thin film magnetic head can be improved in magnetic efficienty and yield rate during manufacture.

摘要翻译： 在通过非磁性层在非磁性基板上形成下部磁性层的薄膜磁头中，在下部磁性层上形成构成信号绕组和上部磁性层的导体层，下部 磁性层形成在形成在非磁性层中的凹部内。 凹部可以穿过磁性层。 形成在非磁性层中的凹部内的下磁性层可以显着地减少与各个上层相关联的凸起部分，从而可以在制造过程中提高磁性和磁化率。

公开(公告)号：US4362767A

公开(公告)日：1982-12-07

申请号：US96562

申请日：1979-11-21

申请人： Norimoto Nouchi ,  Kenji Kanai ,  Nobuyuki Kaminaka ,  Noboru Nomura

发明人： Norimoto Nouchi ,  Kenji Kanai ,  Nobuyuki Kaminaka ,  Noboru Nomura

IPC分类号： C01G51/04 ,  C01G49/00 ,  C23C16/40 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F10/18 ,  H01F10/20 ,  H01F41/20 ,  H01F41/22 ,  G11B5/64 ,  G11B5/84

CPC分类号： H01F10/16 ,  G11B5/851 ,  H01F41/20 ,  Y10S428/90

摘要： A magnetic thin film is composed of an oxide of Fe.sub.x Co.sub.y Cu.sub.z having spinel structure wherein x, y and z represent respective atomic ratios, x+y+z=1, 0.50.ltoreq.x

摘要翻译： 磁性薄膜由具有尖晶石结构的FexCoyCuz的氧化物组成，其中x，y和z表示各自的原子比，x + y + z = 1，0.50

公开(公告)号：US4353102A

公开(公告)日：1982-10-05

申请号：US165941

申请日：1980-07-03

申请人： Kenji Kanai ,  Nobuyuki Kaminaka ,  Noboru Nomura ,  Norimoto Nouchi

发明人： Kenji Kanai ,  Nobuyuki Kaminaka ,  Noboru Nomura ,  Norimoto Nouchi

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/22 ,  G11B5/20 ,  G11B5/25

CPC分类号： G11B5/31

摘要： A thin-film magnetic head constructed in the manner that a magnetic circuit is composed of a base of magnetic material and a thin-film magnetic core layer, which form an operating gap at the front end thereof and a rear junction at the rear end of the magnetic core layer, and a conductor layer forming a winding is provided between the base and the magnetic core layer. The magnetic core layer has a larger width at the portion where it crosses over the conductor layer, than at the operating gap portion, whereby magnetic fluxes generated by electric current flowing through the conductor layer are effectively passed through the magnetic core layer and so recording efficiency is improved.

摘要翻译： 一种薄膜磁头，其构造为磁路由磁性材料的基底和薄膜磁性核心层构成，所述基底在其前端形成工作间隙，在后端形成后接合部 磁芯层和形成绕组的导体层设置在基座和磁芯层之间。 磁芯层在与导体层交叉的部分处的宽度比在工作间隙部分具有较大的宽度，由此流过导体层的电流产生的磁通有效地通过磁芯层，因此记录效率 改进了