公开(公告)号：US20050017272A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10494616

申请日：2002-11-27

申请人： Kenya Yamashita ,  Makoto Kitabatake ,  Kunimasa Takahasi ,  Osamu Kusumoto ,  Masao Uchida ,  Ryoko Miyanaga

发明人： Kenya Yamashita ,  Makoto Kitabatake ,  Kunimasa Takahasi ,  Osamu Kusumoto ,  Masao Uchida ,  Ryoko Miyanaga

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7838

摘要： An upper part of a SIC substrate 1 is oxidized at a temperature of 800 to 1400° C., inclusive, in an oxygen atmosphere at 1.4×102 Pa or less, thereby forming a first insulating film 2 which is a thermal oxide film of 20 nm or less in thickness. Thereafter, annealing is performed, and then a first cap layer 3, which is a nitride film of about 5 nm in thickness, is formed thereon by CVD. A second insulating film 4, which is an oxide film of about 130 nm in thickness, is deposited thereon by CVD. A second cap layer 5, which is a nitride film of about 10 nm in thickness, is formed thereon. In this manner, a gate insulating film 6 made of the first insulating film 2 through the second cap layer 5 is formed, thus obtaining a low-loss highly-reliable semiconductor device.

摘要翻译： SIC基板1的上部在氧气气氛中在800〜1400℃的温度下被氧化，在1.4×10 2 Pa以下，由此形成作为热氧化膜的第一绝缘膜2 厚度为20nm以下。 然后，进行退火，然后通过CVD在其上形成厚度为约5nm的氮化物膜的第一盖层3。 作为厚度约130nm的氧化物膜的第二绝缘膜4通过CVD沉积在其上。 在其上形成厚度为约10nm的氮化膜的第二盖层5。 以这种方式，形成通过第二盖层5由第一绝缘膜2制成的栅极绝缘膜6，从而获得低损耗高可靠性的半导体器件。

公开(公告)号：US06709881B2

公开(公告)日：2004-03-23

申请号：US09993771

申请日：2001-11-27

申请人： Yoshiaki Hasegawa ,  Gaku Sugahara ,  Ryoko Miyanaga

发明人： Yoshiaki Hasegawa ,  Gaku Sugahara ,  Ryoko Miyanaga

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/30612 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/3083 ,  H01L33/007

摘要： A method for manufacturing a semiconductor includes: a first step of forming an etching stop layer on a first semiconductor layer; and a second step of forming a second semiconductor layer made of a group III-V compound semiconductor on the etching stop layer. An etching rate for the etching stop layer by dry etching is less than an etching rate for the second semiconductor layer.

摘要翻译： 一种制造半导体的方法包括：在第一半导体层上形成蚀刻停止层的第一步骤; 以及在蚀刻停止层上形成由III-V族化合物半导体制成的第二半导体层的第二步骤。 通过干蚀刻蚀刻停止层的蚀刻速率小于第二半导体层的蚀刻速率。

公开(公告)号：US6087725A

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：US161498

申请日：1998-09-28

申请人： Shigeo Yoshii ,  Yoichi Sasai ,  Satoshi Kamiyama ,  Tohru Saitoh ,  Takashi Nishikawa ,  Ryoko Miyanaga

发明人： Shigeo Yoshii ,  Yoichi Sasai ,  Satoshi Kamiyama ,  Tohru Saitoh ,  Takashi Nishikawa ,  Ryoko Miyanaga

IPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/28

摘要： On a substrate of n-type GaAs, an n-type cladding layer of n-type Zn.sub.0.9 Mg.sub.0.1 S.sub.0.13 Se.sub.0.87, an n-type light guiding layer of n-type ZnS.sub.0.06 Se.sub.0.94, an active layer of ZnCdSe and a p-type light guiding layer of p-type ZnS.sub.0.06 Se.sub.0.94 are successively formed. On the p-type light guiding layer, a p-type contact structure is formed. The p-type contact structure includes a first layer of p-type ZnS.sub.0.31 Se.sub.0.54 Te.sub.0.15, a second layer of ZnS.sub.0.47 Se.sub.0.28 Te.sub.0.25, a third layer of p-type ZnS.sub.0.65 Te.sub.0.35, a fourth layer of p-type ZnS.sub.0.5 Te.sub.0.5 and a fifth layer of p-type ZnTe.

摘要翻译： 在n型GaAs的衬底上，n型Zn0.9Mg0.1S0.13Se0.87的n型覆层，n型ZnS0.06Se0.94的n型导光层，n型ZnS0.06Se0.94的有源层 ZnCdSe和p型ZnS0.06Se0.94的p型导光层依次形成。 在p型导光层上形成p型接触结构。 p型接触结构包括第一层p型ZnS0.31Se0.54Te0.15，第二层ZnS0.47Se0.28Te0.25，第三层p型ZnS0.65Te0.35，第四层 的p型ZnS0.5Te0.5和第五层p型ZnTe。

公开(公告)号：US6072762A

公开(公告)日：2000-06-06

申请号：US289984

申请日：1999-04-13

申请人： Masahiro Kume ,  Yuzaburo Ban ,  Isao Kidoguchi ,  Satoshi Kamiyama ,  Ayumu Tsujimura ,  Akihiko Ishibashi ,  Yoshiaki Hasegawa ,  Ryoko Miyanaga

发明人： Masahiro Kume ,  Yuzaburo Ban ,  Isao Kidoguchi ,  Satoshi Kamiyama ,  Ayumu Tsujimura ,  Akihiko Ishibashi ,  Yoshiaki Hasegawa ,  Ryoko Miyanaga

IPC分类号： G11B7/005 ,  G11B7/125 ,  G11B7/135 ,  G11B11/105

CPC分类号： G11B7/126 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10543 ,  G11B7/005 ,  G11B7/128 ,  G11B7/1369 ,  G11B7/135

摘要： Between a semiconductor laser diode and an optical disk, a collimator lens for collimating a laser beam output from the semiconductor laser diode, a liquid crystal optical shutter for attenuating the collimated beam having passed through the collimator lens, and a beam splitter for splitting reflected light from the optical disk are disposed. In addition, a collective lens for collecting the collimated beam obtained by the collimator lens on a data holding surface of the optical disk is further disposed.

摘要翻译： 在半导体激光二极管和光盘之间，用于准直半导体激光二极管输出的激光束的准直透镜，用于衰减通过准直透镜的准直光束的液晶光学快门，以及用于分离反射光的分束器 从光盘配置。 此外，还设置有用于收集由准直透镜获得的准直光束在光盘的数据保持表面上的集体透镜。