公开(公告)号：US20080191244A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11862452

申请日：2007-09-27

申请人： Ki chul Kim ,  Ho Lee ,  Jung-deog Lee

发明人： Ki chul Kim ,  Ho Lee ,  Jung-deog Lee

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： A method of fabricating an integrated circuit device includes forming first and second gate patterns on surfaces of a semiconductor substrate in PMOS and NMOS regions, respectively, of the substrate. P-type source/drain regions are epitaxially grown on opposite sides of the first gate pattern in the PMOS region to exert compressive stress on a first channel region therebetween adjacent the first gate pattern. N-type source/drain regions are epitaxially grown on opposite sides of the second gate pattern in the NMOS region to exert tensile stress on a second channel region therebetween adjacent the second gate pattern. Related devices are also discussed.

摘要翻译： 一种制造集成电路器件的方法包括分别在衬底的PMOS和NMOS区域中的半导体衬底的表面上形成第一和第二栅极图案。 P型源极/漏极区域在PMOS区域中的第一栅极图案的相对侧上外延生长，以在邻近第一栅极图案的第一沟道区域上施加压应力。 N型源极/漏极区域在NMOS区域中的第二栅极图案的相对侧上外延生长，以在邻近第二栅极图案的第二沟道区域上施加拉伸应力。 还讨论了相关设备。

公开(公告)号：US20070113527A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11518282

申请日：2006-09-11

申请人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Ki Bang

发明人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Ki Bang

IPC分类号： B01D46/00

CPC分类号： F24F3/1603 ,  F24F1/0047 ,  F24F1/0071 ,  F24F7/08 ,  F24F12/006 ,  F24F2003/1614 ,  F24F2013/0616 ,  Y02A50/21 ,  Y02B30/563

摘要： An air conditioning system is provided. The air conditioning system includes an air cleaning unit. The air cleaning unit includes a grill having a discharge grill on a side portion, a fan sucking indoor air and/or outdoor air, a filter cleaning the sucked air, and an installation case attached to one side of the discharge grill and having a suction hole and an exhaust hole. A ventilation unit operates in association with the air cleaning unit. A duct member connects the air cleaning unit and the ventilation unit.

摘要翻译： 提供空调系统。 空调系统包括空气净化单元。 空气净化单元包括在侧面具有放电格栅的格栅，吸入室内空气和/或室外空气的风扇，清洁吸入的空气的过滤器和附接到排放格栅的一侧的安装壳体， 孔和排气孔。 通风单元与空气净化单元相关联地操作。 管道构件连接空气净化单元和通风单元。

公开(公告)号：US07217326B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US10750023

申请日：2003-12-31

申请人： Ho Lee

发明人： Ho Lee

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/5096

摘要： A chemical vapor deposition apparatus is provided, which includes: a chamber having an inner space; a gas feed member for supplying a gas into the chamber; a susceptor disposed in the chamber and supporting a substrate; a diffuser partitioning the inner space of the chamber into first and second partitions and having a plurality of holes connecting the first partition and the second partition for gas communication; a diffuser frame incorporated into the diffuser; and an insulating frame disposed between the chamber and the diffuser.

摘要翻译： 提供一种化学气相沉积设备，其包括：具有内部空间的室; 用于将气体供应到所述室中的气体供给构件; 设置在所述室中并支撑基板的感受体; 扩散器，将所述室的内部空间分隔成第一和第二隔板，并且具有连接所述第一隔板和所述第二隔板的多个孔，用于气体连通; 结合到扩散器中的扩散器框架; 以及设置在室和扩散器之间的绝缘框架。

公开(公告)号：US20070066215A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11491165

申请日：2006-07-24

申请人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Kang Ko

发明人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Kang Ko

IPC分类号： F24F13/06 ,  B01D46/00 ,  F25D17/04

CPC分类号： F24F3/1603 ,  B01D46/0004 ,  B01D46/0023 ,  B01D46/0038 ,  B01D46/0039 ,  B01D46/008 ,  B01D2267/40 ,  B01D2273/30 ,  B01D2279/50 ,  F24F1/0071 ,  F24F11/30 ,  F24F13/32 ,  F24F2003/1614 ,  F24F2013/0616 ,  F24F2110/50 ,  F24F2110/70 ,  F24F2221/14 ,  Y02A50/21

摘要： An air conditioning apparatus is provided. The air conditioning apparatus includes a cover assembly having an indoor air suction hole, a filter assembly cleaning indoor air sucked through the indoor air suction hole, and a grill. The grill includes a discharge grill formed on a side for discharging the indoor air cleaned by the filter assembly to an indoor area, and an exhaust grill for discharging indoor air to an outdoor area. A fan assembly draws indoor or outdoor air toward the grill. A rear panel is coupled to the grill. The rear panel includes a suction hole formed in one side for introducing outdoor air and an exhaust hole formed beside the suction hole for discharging indoor air to the outdoor area.

摘要翻译： 提供一种空调装置。 该空气调节装置包括具有室内空气吸入孔的盖组件，清洁通过室内空气吸入孔吸入的室内空气的过滤器组件和格栅。 格栅包括形成在用于将由过滤器组件清洁的室内空气排放到室内的侧面的排放格栅和用于将室内空气排放到室外区域的排气格栅。 风扇组件将室内或室外空气朝向烤架抽吸。 后面板连接到格栅。 后面板包括形成在一侧的用于引入室外空气的吸入孔和形成在吸入孔旁边的用于将室内空气排放到室外区域的排气孔。

公开(公告)号：US20060291730A1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：US11472584

申请日：2006-06-21

申请人： Ho Lee ,  Jae Lee

发明人： Ho Lee ,  Jae Lee

IPC分类号： G06K9/36

CPC分类号： G09G5/391

摘要： Provided is a device for resizing a JPEG image having a nonstandard size at a predetermined ratio to output the resized image on a display unit without distortion in a mobile communication terminal. A method for processing a JPEG image in a mobile communication terminal comprises extracting image sizes (X, Y) from JPEG data of a JPEG file stored in an image data storing unit, comparing display area sizes (dx, dy) of the display unit with the image sizes (X, Y), and resizing the image sizes (X, Y) while maintaining the ratio of width:length in consideration of the display area sizes (dx, dy) to output the resized image to the display unit.

摘要翻译： 提供了一种用于在预定比例下调整具有非标准尺寸的JPEG图像的设备，以便在移动通信终端中在显示单元上输出调整大小的图像而不失真。 用于在移动通信终端中处理JPEG图像的方法包括从存储在图像数据存储单元中的JPEG文件的JPEG数据中提取图像尺寸（X，Y），将​​显示单元的显示区域大小（dx，dy）与 图像尺寸（X，Y），并且考虑到显示区域尺寸（dx，dy），同时保持宽度：长度的比例来调整图像尺寸（X，Y）的大小，以将调整大小的图像输出到显示单元。

公开(公告)号：US20060204595A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11372101

申请日：2006-03-10

申请人： Sun Park ,  Ho Lee

发明人： Sun Park ,  Ho Lee

IPC分类号： A61K36/254 ,  A61K36/752 ,  A61K36/886 ,  A61K36/48 ,  A61K36/28 ,  A61K36/258

CPC分类号： A61K36/31 ,  A23L33/105 ,  A23L33/15 ,  A23L33/155 ,  A23V2002/00 ,  A61K36/236 ,  A61K36/254 ,  A61K36/28 ,  A61K36/346 ,  A61K36/484 ,  A61K36/61 ,  A61K36/704 ,  A61K36/734 ,  A61K36/752 ,  A61K36/886 ,  A61K2300/00 ,  A23V2250/21 ,  A23V2250/708 ,  A23V2250/211 ,  A23V2200/30 ,  A23V2200/02

摘要： An antioxidant supplement composition includes a mixture including 20-27% Glycyrrhiza uralensis, 2-6% Crataegus pinnatifida, 1-3% Ligusticum tenuissimum, 2-4% Acathopanax sessiliflorus, 2-5% Polygonum multiflorum, 3-6% Eugenia aromaticum, 8-10% Citrus reticulatae, 3-6% Raphani seed, 5-10% Platycodon grandiflorum, 21-26% Aloe arborescens, 18-20% Arctium lappa, 30-200 mg vitamin-C, and 1,500-20,000 IU β-carotene.

摘要翻译： 一种抗氧化剂补充剂组合物包括20-27％甘草，2-6％山楂，1-3％枸杞，2-4％刺五加，2-5％茯苓，3-6％香草， 8-10％柑橘柑橘，3-6％Raphani种子，5-10％桔梗，21-26％芦荟，18-20％牛蒡，30-200mg维生素C和1,500-20,000IUβ- 胡萝卜素。

公开(公告)号：US07084041B2

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10795175

申请日：2004-03-05

申请人： Hwa-sung Rhee ,  Jae-yoon Yoo ,  Ho Lee ,  Seung-hwan Lee ,  Byou-ree Lim

发明人： Hwa-sung Rhee ,  Jae-yoon Yoo ,  Ho Lee ,  Seung-hwan Lee ,  Byou-ree Lim

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/7375 ,  H01L29/7378

摘要： A method of manufacturing a bipolar device including pre-treatment using germane gas and a bipolar device manufactured by the same. The method includes forming a single crystalline silicon layer for a base region on a collector region; and forming a polysilicon layer for an emitter region thereon. Here, before the polysilicon layer is formed, the single crystalline silicon layer is pre-treated using germane gas. Thus, an oxide layer is removed from the single crystalline silicon layer, and a germanium layer is formed on the single crystalline silicon layer, thus preventing Si-rearrangement.

摘要翻译： 一种制造双极器件的方法，其包括使用锗烷气体的预处理和由其制造的双极器件。 该方法包括在集电区上形成用于基区的单晶硅层; 并在其上形成发射极区的多晶硅层。 这里，在形成多晶硅层之前，使用锗烷气预处理单晶硅层。 因此，从单晶硅层去除氧化物层，并且在单晶硅层上形成锗层，从而防止Si重排。

公开(公告)号：US20060163558A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11388868

申请日：2006-03-24

申请人： Seung-hwan Lee ,  Moon-han Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Jae-yoon Yoo

发明人： Seung-hwan Lee ,  Moon-han Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Jae-yoon Yoo

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

摘要： In a metal-oxide semiconductor (MOS) transistor with an elevated source/drain structure and in a method of fabricating the MOS transistor with the elevated source/drain structure using a selective epitaxy growth (SEG) process, a source/drain extension junction is formed after an epi-layer is formed, thereby preventing degradation of the source/drain junction region. In addition, the source/drain extension junction is partially overlapped by a lower portion of the gate layer, since two gate spacers are formed and two elevated source/drain layers are formed in accordance with the SEG process. This mitigates the short channel effect and reduces sheet resistance in the source/drain layers and the gate layer.

摘要翻译： 在具有升高的源极/漏极结构的金属氧化物半导体（MOS）晶体管中，并且使用选择性外延生长（SEG）工艺制造具有升高的源极/漏极结构的MOS晶体管的方法中，源极/漏极延伸结是 在形成外延层之后形成，从而防止源极/漏极结区域的劣化。 此外，源极/漏极延伸结部分由栅极层的下部部分地重叠，因为形成了两个栅极间隔物，并且根据SEG工艺形成两个升高的源极/漏极层。 这减轻了短沟道效应并降低了源极/漏极层和栅极层中的薄层电阻。

公开(公告)号：US20060127818A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11280393

申请日：2005-11-17

申请人： Sung Cho ,  Euk Hwang ,  Jin Kim ,  Chang Noh ,  Ki Song ,  Ho Lee

发明人： Sung Cho ,  Euk Hwang ,  Jin Kim ,  Chang Noh ,  Ki Song ,  Ho Lee

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/11 ,  G03F7/265 ,  G03F7/32 ,  G03F7/423

摘要： A method for manufacturing a high-transmittance optical filter for image display devices, which may include the steps of coating a photocatalytic compound on a transparent substrate to form a photocatalytic film, selectively exposing the photocatalytic film to light and growing a metal crystal thereon by plating to form a metal pattern, and selectively etching and removing the photocatalytic compound remaining on the transparent substrate using a buffered oxide etchant (BOE). According to the method, a high-transmittance, high-resolution and low-resistivity optical filter can be manufactured in a simple manner at low costs.

摘要翻译： 一种用于图像显示装置的高透光率滤光器的制造方法，其可以包括在透明基板上涂布光催化剂以形成光催化膜的步骤，选择性地将光催化膜曝光并通过电镀在其上生长金属结晶 以形成金属图案，并使用缓冲氧化物蚀刻剂（BOE）选择性地蚀刻和除去留在透明基板上的光催化化合物。 根据该方法，可以以低成本以简单的方式制造高透光率，高分辨率和低电阻率的滤光器。

公开(公告)号：US06987310B2

公开(公告)日：2006-01-17

申请号：US10851336

申请日：2004-05-24

申请人： Ho Lee ,  Moon-Han Park ,  Hwa-Sung Rhee ,  Jae-Yoon Yoo ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ho Lee ,  Moon-Han Park ,  Hwa-Sung Rhee ,  Jae-Yoon Yoo ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L31/328 ,  H01L31/72 ,  H01L31/336 ,  H01L31/109 ,  H01L39/60

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251

摘要： A multi-layered structure of a semiconductor device includes a substrate, and a heteroepitaxial layer having a low dislocation defect density on the substrate. The heteroepitaxial layer consists of a main epitaxial layer and at least one intermediate epitaxial layer sandwished in the main epitaxial layer. At their interface, the heteroepitaxial layer, i.e., the bottom portion of the main epitaxial layer, and the substrate have different lattice constants. Also, the intermediate epitaxial layer has a different lattice constant from that of the portions of the main epitaxial layer contiguous to the intermediate epitaxial layer. The intermediate epitaxial layer also has a thickness smaller than the net thickness of the main epitaxial layer such that the intermediate epitaxial layer absorbs the strain in the heteroepitaxial layer. Thus, it is possible to obtain a multi-layered structure comprising an epitaxial layer that is relatively thin and has a low dislocation defect density.

摘要翻译： 半导体器件的多层结构包括衬底和在衬底上具有低位错缺陷密度的异质外延层。 异质外延层由主外延层和在外延层中形成的至少一个中间外延层组成。 在其界面处，异质外延层，即主外延层的底部，以及基板具有不同的晶格常数。 此外，中间外延层具有与与外延层相邻的主外延层的部分的晶格常数不同的晶格常数。 中间外延层的厚度也小于主外延层的净厚度，使得中间外延层吸收异质外延层中的应变。 因此，可以获得包括相对薄且具有低位错缺陷密度的外延层的多层结构。