公开(公告)号：US08637361B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13041740

申请日：2011-03-07

申请人： Joerg Appenzeller ,  Supratik Guha ,  Emanuel Tutuc

发明人： Joerg Appenzeller ,  Supratik Guha ,  Emanuel Tutuc

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/30604 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/125 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/78696

摘要： A semiconductor structure is provided, which includes multiple sections arranged along a longitudinal axis. Preferably, the semiconductor structure comprises a middle section and two terminal sections located at opposite ends of the middle section. A semiconductor core having a first dopant concentration preferably extends along the longitudinal axis through the middle section and the two terminal sections. A semiconductor shell having a second, higher dopant concentration preferably encircles a portion of the semiconductor core at the two terminal sections, but not at the middle section, of the semiconductor structure. It is particularly preferred that the semiconductor structure is a nanostructure having a cross-sectional dimension of not more than 100 nm.

公开(公告)号：US08617915B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13153381

申请日：2011-06-03

申请人： Supratik Guha ,  David B. Mitzi ,  Teodor K. Todorov ,  Kejia Wang

发明人： Supratik Guha ,  David B. Mitzi ,  Teodor K. Todorov ,  Kejia Wang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02491 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： In an annealing process, a Kesterite film is provided on a substrate. The Kesterite film and the substrate are generally planar, have an interface, and have a substrate exterior side and a Kesterite exterior side. An additional step includes locating the cap adjacent the Kesterite exterior side. A further step includes applying sufficient heat to the Kesterite film and the substrate for a sufficient time to anneal the Kesterite film. The annealing is carried out with the cap adjacent the Kesterite exterior side. In another aspect, the film is not limited to Kesterite, and the cap is employed without any precursor layer thereon. Solar cell manufacturing techniques employing the annealing techniques are also disclosed.

摘要翻译： 在退火工艺中，在基材上提供Kesterite薄膜。 Kesterite膜和基材通常是平面的，具有界面，并且具有基材外侧和Kesterite外侧。 另外的步骤包括将盖子定位在Kesterite外侧附近。 另外的步骤包括向Kesterite薄膜和基底施加足够的时间以使Kesterite薄膜退火足够的时间。 退火是在与Kesterite外侧相邻的盖上进行的。 另一方面，该膜不限于Kesterite，并且在其上没有任何前体层的情况下使用该盖。 还公开了采用退火技术的太阳能电池制造技术。

公开(公告)号：US08592675B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12039900

申请日：2008-02-29

申请人： Supratik Guha ,  Oki Gunawan

发明人： Supratik Guha ,  Oki Gunawan

IPC分类号： H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/035227 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/07 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

摘要： Photovoltaic devices and techniques for enhancing efficiency thereof are provided. In one aspect, a photovoltaic device is provided. The photovoltaic device comprises a photocell having a first photoactive layer and a second photoactive layer adjacent to the first photoactive layer so as to form a heterojunction between the first photoactive layer and the second photoactive layer; and a plurality of high-aspect-ratio nanostructures on one or more surfaces of the second photoactive layer. The plurality of high-aspect-ratio nanostructures are configured to act as a scattering media for incident light. The plurality of high-aspect-ratio nanostructures can also be configured to create an optical resonance effect in the incident light.

摘要翻译： 提供了用于提高效率的光伏器件和技术。 一方面，提供一种光电器件。 光电器件包括具有第一光活性层的光电池和与第一光活性层相邻的第二光活性层，以在第一光活性层和第二光活性层之间形成异质结; 以及在所述第二光敏层的一个或多个表面上的多个高纵横比纳米结构。 多个高纵横比纳米结构被配置为用作入射光的散射介质。 多个高纵横比纳米结构也可以被配置为在入射光中产生光学共振效应。

公开(公告)号：US08518766B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13536366

申请日：2012-06-28

申请人： Nestor A. Bojarczuk ,  Michael P. Chudzik ,  Matthew W. Copel ,  Supratik Guha ,  Richard A. Haight ,  Vijay Narayanan ,  Martin P. O'Boyle ,  Vamsi K. Paruchuri

发明人： Nestor A. Bojarczuk ,  Michael P. Chudzik ,  Matthew W. Copel ,  Supratik Guha ,  Richard A. Haight ,  Vijay Narayanan ,  Martin P. O'Boyle ,  Vamsi K. Paruchuri

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/70

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51

摘要： A field effect transistor (FET) includes a body region and a source region disposed at least partially in the body region. The FET also includes a drain region disposed at least partially in the body region and a molybdenum oxynitride (MoNO) gate. The FET also includes a dielectric having a high dielectric constant (k) disposed between the body region and the MoNO gate.

摘要翻译： 场效应晶体管（FET）包括至少部分地设置在身体区域中的体区和源区。 FET还包括至少部分地设置在体区中的漏极区域和氮氧化钼（MoNO）栅极。 FET还包括具有高介电常数（k）的电介质，其布置在体区和MoNO门之间。

公开(公告)号：US20120318327A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13600482

申请日：2012-08-31

申请人： Supratik Guha ,  Yves C. Martin ,  Robert L. Sandstrom ,  Theodore G. van Kessel

发明人： Supratik Guha ,  Yves C. Martin ,  Robert L. Sandstrom ,  Theodore G. van Kessel

IPC分类号： H01L31/052

CPC分类号： F24S23/31 ,  F24S2025/011 ,  F28D15/0233 ,  F28D15/046 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0521 ,  H01L31/0543 ,  Y02E10/43 ,  Y02E10/52

摘要： A method of cooling a solar concentrator includes absorbing heat from solar energy collectors into a chamber section. The chamber section is arranged below, in a heat exchange relationship, the solar energy collectors.

摘要翻译： 一种冷却太阳能聚光器的方法包括将太阳能收集器的热量吸收到室部分中。 室部分以热交换关系布置在太阳能收集器的下方。

公开(公告)号：US20120196401A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13445101

申请日：2012-04-12

申请人： William Graham ,  Supratik Guha ,  Oki Gunawan ,  George S. Tulevski ,  Kejia Wang ,  Ying Zhang

发明人： William Graham ,  Supratik Guha ,  Oki Gunawan ,  George S. Tulevski ,  Kejia Wang ,  Ying Zhang

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/035227 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/827

摘要： Techniques for fabricating nanowire/microwire-based solar cells are provided. In one, a method for fabricating a solar cell is provided. The method includes the following steps. A doped substrate is provided. A monolayer of spheres is deposited onto the substrate. The spheres include nanospheres, microspheres or a combination thereof. The spheres are trimmed to introduce space between individual spheres in the monolayer. The trimmed spheres are used as a mask to pattern wires in the substrate. The wires include nanowires, microwires or a combination thereof. A doped emitter layer is formed on the patterned wires. A top contact electrode is deposited over the emitter layer. A bottom contact electrode is deposited on a side of the substrate opposite the wires.

摘要翻译： 提供了制造纳米线/微丝基太阳能电池的技术。 其中，提供了太阳能电池的制造方法。 该方法包括以下步骤。 提供掺杂的衬底。 单层球体沉积在基材上。 球体包括纳米球，微球或其组合。 球体被修剪以在单层中的单个球体之间引入空间。 修剪的球体用作掩模以在基底中图案线。 电线包括纳米线，微丝或其组合。 在图案化的导线上形成掺杂的发射极层。 顶部接触电极沉积在发射极层上。 底部接触电极沉积在与电线相对的基板的一侧上。

公开(公告)号：US20120125433A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13364171

申请日：2012-02-01

申请人： Supratik Guha ,  Yves Martin ,  Naim Moumen ,  Robert L. Sandstrom ,  Theodore G. Van Kessel

发明人： Supratik Guha ,  Yves Martin ,  Naim Moumen ,  Robert L. Sandstrom ,  Theodore G. Van Kessel

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： Electrical contact to the front side of a photovoltaic cell is provided by an array of conductive through-substrate vias, and optionally, an array of conductive blocks located on the front side of the photovoltaic cell. A dielectric liner provides electrical isolation of each conductive through-substrate via from the semiconductor material of the photovoltaic cell. A dielectric layer on the backside of the photovoltaic cell is patterned to cover a contiguous region including all of the conductive through-substrate vias, while exposing a portion of the backside of the photovoltaic cell. A conductive material layer is deposited on the back surface of the photovoltaic cell, and is patterned to form a first conductive wiring structure that electrically connects the conductive through-substrate vias and a second conductive wiring structure that provides electrical connection to the backside of the photovoltaic cell.

摘要翻译： 与光伏电池正面的电接触由导电贯穿衬底通孔的阵列以及可选地位于光伏电池正面的导电块的阵列提供。 电介质衬垫提供每个导电贯穿衬底通孔与光伏电池的半导体材料的电隔离。 在光伏电池的背面上的电介质层被图案化以覆盖包括所有导电贯穿衬底通孔的连续区域，同时暴露光伏电池的背面的一部分。 导电材料层沉积在光伏电池的背表面上，并被图案化以形成第一导电布线结构，其电连接导电贯穿衬底通孔和第二导电布线结构，该第二导电布线结构提供与光伏背面的电连接 细胞。

公开(公告)号：US20120070936A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13153381

申请日：2011-06-03

申请人： Supratik Guha ,  David B. Mitzi ,  Teodor K. Todorov ,  Kejia Wang

发明人： Supratik Guha ,  David B. Mitzi ,  Teodor K. Todorov ,  Kejia Wang

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/36 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L21/02491 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： In an annealing process, a Kesterite film is provided on a substrate. The Kesterite film and the substrate are generally planar, have an interface, and have a substrate exterior side and a Kesterite exterior side. An additional step includes locating the cap adjacent the Kesterite exterior side. A further step includes applying sufficient heat to the Kesterite film and the substrate for a sufficient time to anneal the Kesterite film. The annealing is carried out with the cap adjacent the Kesterite exterior side. In another aspect, the film is not limited to Kesterite, and the cap is employed without any precursor layer thereon. Solar cell manufacturing techniques employing the annealing techniques are also disclosed.

摘要翻译： 在退火工艺中，在基材上提供Kesterite薄膜。 Kesterite膜和基材通常是平面的，具有界面，并且具有基材外侧和Kesterite外侧。 另外的步骤包括将盖子定位在Kesterite外侧附近。 另外的步骤包括向Kesterite薄膜和基底施加足够的时间以使Kesterite薄膜退火足够的时间。 退火是在与Kesterite外侧相邻的盖上进行的。 另一方面，该膜不限于Kesterite，并且在其上没有任何前体层的情况下使用该盖。 还公开了采用退火技术的太阳能电池制造技术。

公开(公告)号：US20110235390A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12729856

申请日：2010-03-23

申请人： Tymon Barwicz ,  Keith A. Jenkins ,  Supratik Guha

发明人： Tymon Barwicz ,  Keith A. Jenkins ,  Supratik Guha

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/404 ,  G11C13/0007 ,  H01L28/40 ,  H01L49/003

摘要： A memory device and a method of forming the same are provided. The memory device includes a substrate; a set of electrodes disposed on the substrate; a dielectric layer formed between the set of electrodes; and a transition metal oxide layer formed between the set of electrodes, the transition metal oxide layer configured to undergo a metal-insulator transition (MIT) to perform a read or write operation.

摘要翻译： 提供了一种存储器件及其形成方法。 存储器件包括衬底; 设置在基板上的一组电极; 形成在该组电极之间的电介质层; 以及形成在所述电极组之间的过渡金属氧化物层，所述过渡金属氧化物层被配置为经历金属 - 绝缘体转变（MIT）以执行读取或写入操作。

公开(公告)号：US20110168247A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069403

申请日：2011-03-23

申请人： Supratik Guha ,  Theodore Gerard van Kessel ,  Yves C. Martin

发明人： Supratik Guha ,  Theodore Gerard van Kessel ,  Yves C. Martin

IPC分类号： H01L31/024 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/0521 ,  H01L31/054 ,  Y02E10/52

摘要： Solar concentrator devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a solar concentrator device is provided. The solar concentrator device comprises at least one solar converter cell; a heat sink; and a liquid metal between the solar converter cell and the heat sink, configured to thermally couple the solar converter cell and the heat sink during operation of the device. The solar converter cell can comprise a triple junction semiconductor solar converter cell fabricated on a germanium (Ge) substrate. The heat sink can comprise a vapor chamber heat sink. The liquid metal can comprise a gallium (Ga) alloy and have a thermal resistance of less than or equal to about five square millimeter degree Celsius per Watt (mm2° C./W).

摘要翻译： 提供太阳能集热装置及其制造技术。 一方面，提供一种太阳能集中器装置。 太阳能集中器装置包括至少一个太阳能转换器电池; 散热器 以及在所述太阳能转换器单元和所述散热器之间的液态金属，被配置为在所述装置的操作期间热耦合所述太阳能转换器单元和所述散热器。 太阳能转换器单元可以包括在锗（Ge）衬底上制造的三结半导体太阳能转换器单元。 散热器可以包括蒸气室散热器。 液体金属可以包括镓（Ga）合金，并且具有小于或等于约5平方毫米摄氏度/瓦（mm 2℃/ W）的热阻。