公开(公告)号：US20060081932A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11292911

申请日：2005-12-01

申请人： Been-Yih Jin ,  Brian Doyle ,  Scott Hareland ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Boyan Boyanov ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

发明人： Been-Yih Jin ,  Brian Doyle ,  Scott Hareland ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Boyan Boyanov ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/01 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

摘要： A method including forming a via dielectric layer on a semiconductor device substrate; forming a trench dielectric layer on the via dielectric layer; forming a trench through the trench dielectric layer to expose the via dielectric layer; forming a via in the via dielectric layer through the trench to expose the substrate; and forming a semiconductor material in the via and in the trench. An apparatus including a device substrate; a dielectric layer formed on a surface of the device substrate; and a device base formed on the dielectric layer including a crystalline structure derived from the device substrate.

公开(公告)号：US20050064616A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10669064

申请日：2003-09-23

申请人： Been-Yih Jin ,  Brian Doyle ,  Scott Hareland ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Boyan Boyanov ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

发明人： Been-Yih Jin ,  Brian Doyle ,  Scott Hareland ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Boyan Boyanov ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

摘要： A method including forming a via dielectric layer on a semiconductor device substrate; forming a trench dielectric layer on the via dielectric layer; forming a trench through the trench dielectric layer to expose the via dielectric layer; forming a via in the via dielectric layer through the trench to expose the substrate; and forming a semiconductor material in the via and in the trench. An apparatus including a device substrate; a dielectric layer formed on a surface of the device substrate; and a device base formed on the dielectric layer including a crystalline structure derived from the device substrate.

摘要翻译： 一种包括在半导体器件基板上形成通孔电介质层的方法; 在所述通孔电介质层上形成沟槽电介质层; 通过所述沟槽电介质层形成沟槽以暴露所述通孔电介质层; 在所述通孔电介质层中通过所述沟槽形成通孔以暴露所述衬底; 以及在通孔和沟槽中形成半导体材料。 一种装置，包括：装置基板; 形成在所述器件基板的表面上的电介质层; 以及形成在所述电介质层上的器件基底，其包括衍生自所述器件基板的晶体结构。

公开(公告)号：US20050136677A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10739173

申请日：2003-12-18

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dummy dielectric layer that is at least about 10 angstroms thick on a substrate, and forming a sacrificial layer on the dummy dielectric layer. After removing the sacrificial layer and the dummy dielectric layer to generate a trench that is positioned between first and second spacers, a gate dielectric layer is formed on the substrate at the bottom of the trench, and a metal layer is formed on the gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成至少约10埃厚的虚拟电介质层，并在虚拟电介质层上形成牺牲层。 在除去牺牲层和虚设电介质层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在沟槽的底部的衬底上形成栅介质层，并且在栅介质层上形成金属层 。

公开(公告)号：US20050048791A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10652546

申请日：2003-08-28

申请人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

发明人： Justin Brask ,  Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau ,  Robert Turkot ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31111

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and modifying a first portion of the high-k gate dielectric layer to ensure that it may be removed selectively to a second portion of the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，以及修改高k栅极电介质层的第一部分，以确保其可被选择性地去除到高k栅极电介质层的第二部分。

公开(公告)号：US20050202644A1

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：US11120353

申请日：2005-05-02

申请人： Mark Doczy ,  Mark Liu ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Mark Liu ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Those methods comprise providing a substrate comprising source/drain and gate regions, wherein the gate region comprises a metal layer disposed on a gate dielectric layer, and then laser annealing the substrate.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法包括提供包括源极/漏极和栅极区域的衬底，其中栅极区域包括设置在栅极介电层上的金属层，然后激光退火衬底。

公开(公告)号：US20050101134A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10704498

申请日：2003-11-06

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

IPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： C23F1/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for etching a metal layer is described. That method comprises forming a metal layer on a substrate, then exposing part of the metal layer to a wet etch chemistry that comprises an active ingredient with a diameter that exceeds the thickness of the metal layer.

摘要翻译： 描述了蚀刻金属层的方法。 该方法包括在基底上形成金属层，然后将金属层的一部分暴露于包含直径超过金属层厚度的活性成分的湿式蚀刻化学物质。

公开(公告)号：US20050101113A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10704497

申请日：2003-11-06

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。

公开(公告)号：US20050048794A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10652796

申请日：2003-08-28

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Scott Hareland ,  John Barnak ,  Matthew Metz ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Scott Hareland ,  John Barnak ,  Matthew Metz ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02244 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a metal oxide layer on a substrate, converting at least part of the metal oxide layer to a metal layer; and oxidizing the metal layer to generate a metal oxide high-k gate dielectric layer.

公开(公告)号：US20050145893A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10748345

申请日：2003-12-29

申请人： Mark Doczy ,  Mark Liu ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Mark Liu ,  Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L29/495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Those methods comprise providing a substrate comprising source/drain and gate regions, wherein the gate region comprises a metal layer disposed on a gate dielectric layer, and then laser annealing the substrate.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法包括提供包括源极/漏极和栅极区域的衬底，其中栅极区域包括设置在栅极介电层上的金属层，然后激光退火衬底。

公开(公告)号：US20070145487A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11320309

申请日：2005-12-27

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Suman Datta ,  Brian Doyle ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of the invention provide a device with a multiple gates. Stress material within recesses of a device body metal gate may cause a stress in channel regions of the device, thereby improving performance of the device.

摘要翻译： 本发明的实施例提供具有多个门的装置。 器件金属门的凹槽内的应力材料可能在器件的沟道区域中引起应力，从而提高器件的性能。