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    SOLAR ENERGY MODULE HAVING REPAIR LINE, SOLAR ENERGY ASSEMBLY HAVING THE SAME, METHOD OF REPAIRING THE SOLAR ENERGY MODULE AND METHOD OF TRIMMING THE SOLAR ENERGY ASSEMBLY
    7.
    发明申请
    SOLAR ENERGY MODULE HAVING REPAIR LINE, SOLAR ENERGY ASSEMBLY HAVING THE SAME, METHOD OF REPAIRING THE SOLAR ENERGY MODULE AND METHOD OF TRIMMING THE SOLAR ENERGY ASSEMBLY 审中-公开
    具有修理线的太阳能模块，具有该修复线的太阳能组件，修复太阳能模块的方法和太阳能组件的调整方法

    公开(公告)号：US20090229596A1

    公开(公告)日：2009-09-17

    申请号：US12400444

    申请日：2009-03-09

    申请人： Myung-Hun Shin ,  Dong-Uk Choi ,  Byoung-June Kim ,  Jin-Seock Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Seung-Jae Jung ,  Joon-Young Seo

    发明人： Myung-Hun Shin ,  Dong-Uk Choi ,  Byoung-June Kim ,  Jin-Seock Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Seung-Jae Jung ,  Joon-Young Seo

    IPC分类号： F24J2/00

    CPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/046 ,  H01L31/05 ,  H02S40/36 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50 ,  Y10T307/50

    摘要： A method of electrically eliminating defective solar cell units that are disposed within an integrated solar cells module and a method of trimming an output voltage of the integrated solar cells module are provided, where the solar cells module has a large number (e.g., 50 or more) of solar cell units integrally disposed therein and initially connected in series one to the next. The method includes providing a corresponding plurality of repair pads, each integrally extending from a respective electrode layer of the solar cell units, and providing a bypass conductor integrated within the module and extending adjacent to the repair pads. Pad-to-pad spacings and pad-to-bypass spacings are such that pad-to-pad connecting bridges may be selectively created between adjacent ones of the repair pads and such that pad-to-bypass connecting bridges may be selectively created between the repair pads and the adjacently extending bypass conductor.

    摘要翻译： 提供了一种电除去集成太阳能电池模块内的有缺陷的太阳能电池单元的方法和一种微调集成太阳能电池组件的输出电压的方法，其中太阳能电池模块具有大量（例如，50个或更多个） ）的太阳能电池单元整体地设置在其中并且最初串联连接到下一个。 该方法包括提供相应的多个修复焊盘，每个修补焊盘从太阳能电池单元的相应电极层整体延伸，并且提供集成在模块内并在修补焊盘附近延伸的旁路导体。 垫到衬垫间距和衬垫到旁路间隔使得可以在相邻的修补焊盘之间选择性地创建焊盘到焊盘的连接桥，并且可以在焊盘到旁路的连接桥之间选择性地创建焊盘到旁路的连接桥 修补垫和相邻延伸的旁路导体。

    METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
    9.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE 审中-公开
    制造薄膜晶体管基板的方法

    公开(公告)号：US20080176364A1

    公开(公告)日：2008-07-24

    申请号：US11841336

    申请日：2007-08-20

    申请人： Sung-Hoon YANG ,  Byoung-June KIM ,  Yong-Mo CHOI

    发明人： Sung-Hoon YANG ,  Byoung-June KIM ,  Yong-Mo CHOI

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

    摘要： The present invention provides a method for manufacturing a thin film transistor substrate including forming gate wires on an insulation substrate, forming oxide active layer patterns on the gate wires, forming data wires on the oxide active layer patterns so that the data wires cross the gate wires, forming a passivation film on the oxide active layer patterns and the data wires using a non-reductive reaction gas and SiH4, and forming pixel electrodes on the passivation film

    摘要翻译： 本发明提供了一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括在绝缘基板上形成栅极线，在栅极线上形成氧化物有源层图案，在氧化物有源层图案上形成数据线，使得数据线与栅极线交叉 在氧化物活性层图案和数据线上使用非还原反应气体和SiH 4 S 4形成钝化膜，并在钝化膜上形成像素电极

    Method of Forming a Silicon Layer and Method of Manufacturing a Display Substrate by Using the Same
    10.
    发明申请
    Method of Forming a Silicon Layer and Method of Manufacturing a Display Substrate by Using the Same 有权
    形成硅层的方法和使用其形成显示器基板的方法

    公开(公告)号：US20070212827A1

    公开(公告)日：2007-09-13

    申请号：US11675935

    申请日：2007-02-16

    申请人： Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang

    发明人： Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

    摘要： A method of manufacturing a silicon layer includes pretreating a surface of a silicon nitride layer formed on a substrate through a plasma enhanced chemical vapor deposition method using a first reaction gas including at least one of silicone tetrafluoride (SiF4) gas, a nitrogen trifluoride (NF3) gas, SiF4—H2 gas and a mixture thereof Then, a silicon layer is formed on the pretreated silicon nitride layer through the plasma enhanced chemical vapor deposition method using a second reaction gas including a mixture of gas including silicon tetrfluoride (SiF4), hydrogen (H2) and argon (Ar),

    摘要翻译： 一种制造硅层的方法包括：使用第一反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积方法来预处理在衬底上形成的氮化硅层的表面，所述第一反应气体包括四氟化硅（SiF 4 N 4 O 4） ）气体，三氟化氮（NF 3 3）气体，SiF 4 H 2 H 2气体及其混合物然后，形成硅层 通过等离子体增强化学气相沉积方法在预处理的氮化硅层上，使用包括包括四氟化硅（SiF 4 N 4），氢（H 2 O 3）的气体混合物的第二反应气体， ）和氩（Ar），