公开(公告)号：US07799610B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11872489

申请日：2007-10-15

申请人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

发明人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/86 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and stacked die assemblies, and methods of fabricating the devices and assemblies are provided.

摘要翻译： 提供半导体器件和堆叠管芯组件，以及制造器件和组件的方法。

公开(公告)号：US07332819B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10068159

申请日：2002-02-05

申请人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

发明人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/86 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and stacked die assemblies, are provided which have at least two semiconductor dies disposed on a substrate in a stacked arrangement, the first and second dies having first surfaces having bond pads, the second die having a second surface with a recessed edge portion along a perimeter of that die, and the recessed edge portion having a height sufficient for clearance of bonding elements extending from the first die.

摘要翻译： 提供半导体器件和堆叠管芯组件，其具有以堆叠方式设置在衬底上的至少两个半导体管芯，第一和第二管芯具有第一表面，具有接合焊盘，第二管芯具有第二表面，沿着 该模具的周边，并且凹入的边缘部分具有足以使从第一模具延伸的结合元件的间隙的高度。

公开(公告)号：US07309623B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US11511653

申请日：2006-08-29

申请人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

发明人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/86 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and stacked die assemblies, and methods of fabricating the devices and assemblies for increasing semiconductor device density are provided.

摘要翻译： 提供半导体器件和堆叠管芯组件，以及制造用于增加半导体器件密度的器件和组件的方法。

公开(公告)号：US06923045B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10892048

申请日：2004-07-15

申请人： Chee Peng Neo ,  Cher Khng Victor Tan ,  Kian Seng Ho ,  Hock Chuan Tan

发明人： Chee Peng Neo ,  Cher Khng Victor Tan ,  Kian Seng Ho ,  Hock Chuan Tan

IPC分类号： G01B11/30 ,  G01B5/34 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01B11/303 ,  Y10T29/49004

摘要： An apparatus and method for detecting characteristics of a microelectronic substrate. The microelectronic substrate can have a first surface with first topographical features, such as roughness elements, and a second surface facing opposite from the first surface and having second topographical features, such as protruding conductive structures. In one embodiment, the apparatus can include a support member configured to carry the microelectronic substrate with a first portion of the first surface exposed and a second portion of the second surface exposed. The apparatus can further include a topographical feature detector positioned proximate to support member and aligned with the first portion of the first surface of the microelectronic substrate to detect characteristics, such as a roughness, of the first surface while the microelectronic substrate is carried by the support member.

摘要翻译： 一种用于检测微电子衬底特性的装置和方法。 微电子衬底可以具有第一表面，其具有第一形貌特征，诸如粗糙元件，以及与第一表面相对的第二表面，并且具有第二形貌特征，例如突出的导电结构。 在一个实施例中，该装置可以包括被配置为承载微电子基板的支撑构件，其中第一表面的第一部分被暴露并且第二表面的第二部分被暴露。 该装置还可以包括位于支撑构件附近并与微电子衬底的第一表面的第一部分对准的形貌特征检测器，以检测第一表面的特性，例如粗糙度，而微电子衬底由支撑体承载 会员。

公开(公告)号：US07575953B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US11959013

申请日：2007-12-18

申请人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

发明人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/86 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and stacked die assemblies, and methods of fabricating the devices and assemblies for increasing semiconductor device density are provided.

摘要翻译： 提供半导体器件和堆叠管芯组件，以及制造用于增加半导体器件密度的器件和组件的方法。

公开(公告)号：US20080136045A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US12020738

申请日：2008-01-28

申请人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

发明人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/86 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and stacked die assemblies, and methods of fabricating the devices and assemblies for increasing semiconductor device density are provided.

公开(公告)号：US07332820B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10424426

申请日：2003-04-28

申请人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

发明人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/86 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and stacked die assemblies, and methods of fabrication are provided. In various embodiments, the die assembly comprises a first die mounted on a substrate and a second die mounted on the first die. In one embodiment, the second die has a recessed edge along the perimeter of the bottom surface to provide clearance for a bonding element extending from bond pads on the first die to pads on the substrate, thus eliminating the need for a spacer between the two dies. In another embodiment, the second die is at least partially disposed within a recess in the upper surface of the first die. In another embodiment, an adhesive element is disposed within a recess in the bottom surface of the first die for attaching the first die to the substrate. In yet another embodiment, the first die is at least partially disposed within a recess within the bottom surface of the second die. The stacked die assemblies can be encapsulated to form semiconductor packages.

摘要翻译： 提供半导体器件和堆叠管芯组件以及制造方法。 在各种实施例中，模具组件包括安装在基板上的第一模具和安装在第一模具上的第二模具。 在一个实施例中，第二管芯具有沿着底表面的周边的凹入边缘，以为从第一管芯上的焊盘延伸到衬底上的焊盘的接合元件提供间隙，从而消除了对两个管芯之间的间隔件的需要 。 在另一个实施例中，第二管芯至少部分地设置在第一管芯的上表面的凹部内。 在另一个实施例中，粘合元件设置在第一管芯的底表面的凹槽内，用于将第一管芯附接到基底。 在另一个实施例中，第一管芯至少部分地设置在第二管芯的底表面内的凹槽内。 堆叠的管芯组件可以被封装以形成半导体封装。

公开(公告)号：US07213447B2

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：US11157338

申请日：2005-06-20

申请人： Chee Peng Neo ,  Cher Khng Victor Tan ,  Kian Seng Ho ,  Hock Chuan Tan

发明人： Chee Peng Neo ,  Cher Khng Victor Tan ,  Kian Seng Ho ,  Hock Chuan Tan

IPC分类号： G01B5/34 ,  G06K9/00

CPC分类号： G01B11/303 ,  Y10T29/49004

摘要： An apparatus and method for detecting characteristics of a microelectronic substrate. The microelectronic substrate can have a first surface with first topographical features, such as roughness elements, and a second surface facing opposite from the first surface and having second topographical features, such as protruding conductive structures. In one embodiment, the apparatus can include a support member configured to carry the microelectronic substrate with a first portion of the first surface exposed and a second portion of the second surface exposed. The apparatus can further include a topographical feature detector positioned proximate to support member and aligned with the first portion of the first surface of the microelectronic substrate to detect characteristics, such as a roughness, of the first surface while the microelectronic substrate is carried by the support member.

摘要翻译： 一种用于检测微电子衬底特性的装置和方法。 微电子衬底可以具有第一表面，其具有第一形貌特征，诸如粗糙元件，以及与第一表面相对的第二表面，并且具有第二形貌特征，例如突出的导电结构。 在一个实施例中，该装置可以包括被配置为承载微电子基板的支撑构件，其中第一表面的第一部分被暴露并且第二表面的第二部分被暴露。 该装置还可以包括位于支撑构件附近并与微电子衬底的第一表面的第一部分对准的形貌特征检测器，以检测第一表面的特性，例如粗糙度，而微电子衬底由支撑体承载 会员。

公开(公告)号：US06779386B2

公开(公告)日：2004-08-24

申请号：US09944247

申请日：2001-08-30

申请人： Chee Peng Neo ,  Cher Khng Victor Tan ,  Kian Seng Ho ,  Hock Chuan Tan

发明人： Chee Peng Neo ,  Cher Khng Victor Tan ,  Kian Seng Ho ,  Hock Chuan Tan

IPC分类号： G01B534

CPC分类号： G01B11/303 ,  Y10T29/49004

摘要： An apparatus and method for detecting characteristics of a microelectronic substrate. The microelectronic substrate can have a first surface with first topographical features, such as roughness elements, and a second surface facing opposite from the first surface and having second topographical features, such as protruding conductive structures. In one embodiment, the apparatus can include a support member configured to carry the microelectronic substrate with a first portion of the first surface exposed and a second portion of the second surface exposed. The apparatus can further include a topographical feature detector positioned proximate to support member and aligned with the first portion of the first surface of the microelectronic substrate to detect characteristics, such as a roughness, of the first surface while the microelectronic substrate is carried by the support member.

摘要翻译： 一种用于检测微电子衬底特性的装置和方法。 微电子衬底可以具有第一表面，其具有第一形貌特征，诸如粗糙元件，以及与第一表面相对的第二表面，并且具有第二形貌特征，例如突出的导电结构。 在一个实施例中，该装置可以包括被配置为承载微电子基板的支撑构件，其中第一表面的第一部分被暴露并且第二表面的第二部分被暴露。 该装置还可以包括位于支撑构件附近并与微电子衬底的第一表面的第一部分对准的形貌特征检测器，以检测第一表面的特性，例如粗糙度，而微电子衬底由支撑体承载 会员。

公开(公告)号：US07358117B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US11511941

申请日：2006-08-29

申请人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

发明人： Hock Chuan Tan ,  Thiam Chye Lim ,  Victor Cher Khng Tan ,  Chee Peng Neo ,  Michael Kian Shing Tan ,  Beng Chye Chew ,  Cheng Poh Pour

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L25/074 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/86 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and stacked die assemblies, and methods of fabricating the devices and assemblies for increasing semiconductor device density are provided.

摘要翻译： 提供半导体器件和堆叠管芯组件，以及制造用于增加半导体器件密度的器件和组件的方法。