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    Laser ablation to selectively thin wafers/die to lower device RDSON
    1.
    发明授权
    Laser ablation to selectively thin wafers/die to lower device RDSON 有权
    激光烧蚀选择性薄晶片/裸片降低器件RDSON

    公开(公告)号：US07851361B2

    公开(公告)日：2010-12-14

    申请号：US11636762

    申请日：2006-12-11

    申请人： Hugo R. G. Burke ,  Robert Montgomery

    发明人： Hugo R. G. Burke ,  Robert Montgomery

    IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68

    CPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/78 ,  Y10S438/977

    摘要： A laser ablated wafer for a semiconductor device, such as a MOSFET or other power device, and a method of producing such a wafer to achieve a lower electrical resistance are provided. The method includes forming first holes, slots or trenches on a first surface of the wafer and focusing a laser beam to form second trenches on a bottom surface of the wafer, and filling the trenches, for example using aluminum or other metallic filling, to provide conductive electrodes or conductive surfaces for the semiconductor device. In such a wafer each trench on the second surface may be deeper, for example more than one hundred microns deep and tens of microns wide.

    摘要翻译： 提供了用于诸如MOSFET或其他功率器件的半导体器件的激光烧蚀晶片，以及制造这样的晶片以实现较低电阻的方法。 该方法包括在晶片的第一表面上形成第一孔，槽或沟槽，并聚焦激光束以在晶片的底表面上形成第二沟槽，并且例如使用铝或其它金属填充物填充沟槽，以提供 导电电极或用于半导体器件的导电表面。 在这样的晶片中，第二表面上的每个沟槽可以是更深的，例如大于一百微米深和几十微米宽。

    Reduced metal design rules for power devices
    2.
    发明授权
    Reduced metal design rules for power devices 有权
    减少功率器件的金属设计规则

    公开(公告)号：US07517810B2

    公开(公告)日：2009-04-14

    申请号：US11441843

    申请日：2006-05-26

    申请人： David Paul Jones ,  Hugo R. G. Burke

    发明人： David Paul Jones ,  Hugo R. G. Burke

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/32134 ,  H01L21/32136

    摘要： A process for etching a thick aluminum contact layer of a semiconductor wafer comprises the formation of a wet etch photoresist mask and the opening of a window in the mask, followed by a wet etch of a first portion of the thickness of the contact layer exposed by the window and the inherent under cutting of the contact layer under the mask window. A dry etch is next carried out, using the same window as a mask, to cut the remaining web of the contact layer under the window. An etch stop layer of Ti or TiN can be formed within the body of the contact layer to define the depth of the initial wet etch into the contact layer.

    摘要翻译： 用于蚀刻半导体晶片的厚铝接触层的方法包括形成湿蚀刻光刻胶掩模和在掩模中打开窗口，随后湿式蚀刻暴露于接触层的厚度的第一部分 窗口和掩模窗下方的接触层固有的切割下。 接下来，使用与掩模相同的窗口进行干法蚀刻，以在窗下方切割接触层的剩余网。 可以在接触层的主体内形成Ti或TiN的蚀刻停止层，以限定初始湿蚀刻到接触层中的深度。