公开(公告)号：US08878312B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13195243

申请日：2011-08-01

申请人： Chia-Ming Hung ,  Hung-Sen Wang ,  Hsiang-Fu Chen ,  Te-Hsi Lee ,  Alex Kalnitsky ,  Wen-Chuan Tai ,  Kuei-Sung Chang ,  Yi Heng Tsai

发明人： Chia-Ming Hung ,  Hung-Sen Wang ,  Hsiang-Fu Chen ,  Te-Hsi Lee ,  Alex Kalnitsky ,  Wen-Chuan Tai ,  Kuei-Sung Chang ,  Yi Heng Tsai

IPC分类号： H01L29/84 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00579 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0771 ,  Y10T29/49126

摘要： An apparatus including a bypass structure for complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) and/or microelectromechanical system (MEMS) devices, and method for fabricating such apparatus, is disclosed. An exemplary apparatus includes a first substrate; a second substrate that includes a MEMS device; an insulator disposed between the first substrate and the second substrate; and an electrical bypass structure disposed in the insulator layer that contacts a portion of the first substrate, wherein the electrical bypass structure is electrically isolated from the MEMS device in the second substrate and any device included in the first substrate.

摘要翻译： 公开了一种包括用于互补金属氧化物半导体（CMOS）和/或微机电系统（MEMS）器件）的旁路结构的装置及其制造方法。 示例性装置包括第一基板; 包括MEMS器件的第二衬底; 设置在所述第一基板和所述第二基板之间的绝缘体; 以及设置在所述绝缘体层中的电旁路结构，其接触所述第一衬底的一部分，其中所述电旁路结构与所述第二衬底中的所述MEMS器件和所述第一衬底中包括的任何器件电隔离。

公开(公告)号：US08111544B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12617982

申请日：2009-11-13

申请人： Shine Chung ,  Hung-Sen Wang ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang

发明人： Shine Chung ,  Hung-Sen Wang ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1677 ,  G11C11/1675

摘要： A method of writing a magneto-resistive random access memory (MRAM) cell includes providing a writing pulse to write a value to the MRAM cell; and verifying a status of the MRAM cell immediately after the step of providing the first writing pulse. In the event of a write failure, the value is rewritten into the MRAM cell.

摘要翻译： 写入磁阻随机存取存储器（MRAM）单元的方法包括提供写入脉冲以将值写入MRAM单元; 以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即验证MRAM单元的状态。 在写入失败的情况下，该值被重写到MRAM单元中。

公开(公告)号：US08716852B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13399903

申请日：2012-02-17

申请人： Chia-Pao Shu ,  Chia-Ming Hung ,  Wen-Chuan Tai ,  Hung-Sen Wang ,  Hsiang-Fu Chen ,  Alex Kalnitsky

发明人： Chia-Pao Shu ,  Chia-Ming Hung ,  Wen-Chuan Tai ,  Hung-Sen Wang ,  Hsiang-Fu Chen ,  Alex Kalnitsky

IPC分类号： H01L23/26 ,  H01L21/54

CPC分类号： B81B7/0032 ,  B81B7/0038 ,  B81C1/00261 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a capping substrate bonded with a substrate structure. The substrate structure includes an integrated circuit structure. The integrated circuit structure includes a top metallic layer disposed on an outgasing prevention structure. At least one micro-electro mechanical system (MEMS) device is disposed over the top metallic layer and the outgasing prevention structure.

摘要翻译： 一种器件包括与衬底结构接合的封盖衬底。 衬底结构包括集成电路结构。 集成电路结构包括设置在防止结构上的顶部金属层。 至少一个微电子机械系统（MEMS）装置设置在顶部金属层和防止外部结构上。

公开(公告)号：US08451655B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13364955

申请日：2012-02-02

申请人： Shine Chung ,  Hung-Sen Wang ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang

发明人： Shine Chung ,  Hung-Sen Wang ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1677 ,  G11C11/1675

摘要： A circuit includes magneto-resistive random access memory (MRAM) cell and a control circuit. The control circuit is electrically coupled to the MRAM cell, and includes a current source configured to provide a first writing pulse to write a value into the MRAM cell, and a read circuit configured to measure a status of the MRAM cell. The control circuit is further configured to verify whether a successful writing is achieved through the first writing pulse.

摘要翻译： 电路包括磁阻随机存取存储器（MRAM）单元和控制电路。 控制电路电耦合到MRAM单元，并且包括被配置为提供第一写入脉冲以将值写入MRAM单元的电流源和被配置为测量MRAM单元的状态的读取电路。 控制电路还被配置为验证通过第一写入脉冲是否实现了成功写入。

公开(公告)号：US20120223613A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13195243

申请日：2011-08-01

申请人： Chia-Ming Hung ,  Hung-Sen Wang ,  Hsiang-Fu Chen ,  Te-Hsi Lee ,  Alex Kalnitsky ,  Wen-Chuan Tai ,  Kuei-Sung Chang ,  Yi Heng Tsai

发明人： Chia-Ming Hung ,  Hung-Sen Wang ,  Hsiang-Fu Chen ,  Te-Hsi Lee ,  Alex Kalnitsky ,  Wen-Chuan Tai ,  Kuei-Sung Chang ,  Yi Heng Tsai

IPC分类号： H02N11/00 ,  H05K3/36

CPC分类号： B81C1/00579 ,  B81B2207/015 ,  B81C2203/0771 ,  Y10T29/49126

摘要： An apparatus including a bypass structure for complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) and/or microelectromechanical system (MEMS) devices, and method for fabricating such apparatus, is disclosed. An exemplary apparatus includes a first substrate; a second substrate that includes a MEMS device; an insulator disposed between the first substrate and the second substrate; and an electrical bypass structure disposed in the insulator layer that contacts a portion of the first substrate, wherein the electrical bypass structure is electrically isolated from the MEMS device in the second substrate and any device included in the first substrate.

摘要翻译： 公开了一种包括用于互补金属氧化物半导体（CMOS）和/或微机电系统（MEMS）器件）的旁路结构的装置及其制造方法。 示例性装置包括第一基板; 包括MEMS器件的第二衬底; 设置在所述第一基板和所述第二基板之间的绝缘体; 以及设置在所述绝缘体层中的电旁路结构，其接触所述第一衬底的一部分，其中所述电旁路结构与所述第二衬底中的所述MEMS器件和所述第一衬底中包括的任何器件电隔离。

公开(公告)号：US20120281464A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13550262

申请日：2012-07-16

申请人： Shine Chung ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Hung-Sen Wang

发明人： Shine Chung ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Hung-Sen Wang

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C8/08 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659

摘要： A method of operating magneto-resistive random access memory (MRAM) cells includes providing an MRAM cell, which includes a magnetic tunneling junction (MTJ) device; and a selector comprising a source-drain path serially coupled to the MTJ device. The method further includes applying an overdrive voltage to a gate of the selector to turn on the selector.

摘要翻译： 操作磁阻随机存取存储器（MRAM）单元的方法包括提供包括磁隧道结（MTJ）装置的MRAM单元; 以及选择器，包括串联耦合到MTJ器件的源极 - 漏极路径。 该方法还包括将过驱动电压施加到选择器的门以接通选择器。

公开(公告)号：US20120127788A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13364955

申请日：2012-02-02

申请人： Shine Chung ,  Hung-Sen Wang ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang

发明人： Shine Chung ,  Hung-Sen Wang ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/1677 ,  G11C11/1675

摘要： A circuit includes magneto-resistive random access memory (MRAM) cell and a control circuit. The control circuit is electrically coupled to the MRAM cell, and includes a current source configured to provide a first writing pulse to write a value into the MRAM cell, and a read circuit configured to measure a status of the MRAM cell. The control circuit is further configured to verify whether a successful writing is achieved through the first writing pulse.

摘要翻译： 电路包括磁阻随机存取存储器（MRAM）单元和控制电路。 控制电路电耦合到MRAM单元，并且包括被配置为提供第一写入脉冲以将值写入MRAM单元的电流源和被配置为测量MRAM单元的状态的读取电路。 控制电路还被配置为验证通过第一写入脉冲是否实现了成功写入。

公开(公告)号：US20100254181A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12687747

申请日：2010-01-14

申请人： Shine Chung ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Hung-Sen Wang

发明人： Shine Chung ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Hung-Sen Wang

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C8/08 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659

摘要： A method of operating magneto-resistive random access memory (MRAM) cells includes providing an MRAM cell, which includes a magnetic tunneling junction (MTJ) device; and a selector comprising a source-drain path serially coupled to the MTJ device. The method further includes applying an overdrive voltage to a gate of the selector to turn on the selector.

摘要翻译： 操作磁阻随机存取存储器（MRAM）单元的方法包括提供包括磁隧道结（MTJ）装置的MRAM单元; 以及选择器，包括串联耦合到MTJ器件的源极 - 漏极路径。 该方法还包括将过驱动电压施加到选择器的门以接通选择器。

公开(公告)号：US08879308B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13550262

申请日：2012-07-16

申请人： Shine Chung ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Hung-Sen Wang

发明人： Shine Chung ,  Tao-Wen Chung ,  Chun-Jung Lin ,  Yu-Jen Wang ,  Hung-Sen Wang

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/08 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C8/08 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1659

摘要： A method of operating magneto-resistive random access memory (MRAM) cells includes providing an MRAM cell, which includes a magnetic tunneling junction (MTJ) device; and a selector comprising a source-drain path serially coupled to the MTJ device. The method further includes applying an overdrive voltage to a gate of the selector to turn on the selector.

摘要翻译： 操作磁阻随机存取存储器（MRAM）单元的方法包括提供包括磁隧道结（MTJ）装置的MRAM单元; 以及选择器，包括串联耦合到MTJ器件的源极 - 漏极路径。 该方法还包括将过驱动电压施加到选择器的门以接通选择器。

公开(公告)号：US20130214400A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13399903

申请日：2012-02-17

申请人： Chia-Pao SHU ,  Chia-Ming HUNG ,  Wen-Chuan TAI ,  Hung-Sen WANG ,  Hsiang-Fu CHEN ,  Alex KALNITSKY

发明人： Chia-Pao SHU ,  Chia-Ming HUNG ,  Wen-Chuan TAI ,  Hung-Sen WANG ,  Hsiang-Fu CHEN ,  Alex KALNITSKY

IPC分类号： H01L23/26 ,  H01L21/54

CPC分类号： B81B7/0032 ,  B81B7/0038 ,  B81C1/00261 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a capping substrate bonded with a substrate structure. The substrate structure includes an integrated circuit structure. The integrated circuit structure includes a top metallic layer disposed on an outgasing prevention structure. At least one micro-electro mechanical system (MEMS) device is disposed over the top metallic layer and the outgasing prevention structure.

摘要翻译： 一种器件包括与衬底结构接合的封盖衬底。 衬底结构包括集成电路结构。 集成电路结构包括设置在防止结构上的顶部金属层。 至少一个微电子机械系统（MEMS）装置设置在顶部金属层和防止外部结构上。