公开(公告)号：US20120244704A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13489137

申请日：2012-06-05

申请人： Chien-Teh KAO ,  Jing-Pei(Connie) CHOU ,  Chiukin(Steven) LAI ,  Sal UMOTOY ,  Joel M. HUSTON ,  Son TRINH ,  Mei CHANG ,  Xiaoxiong (John) YUAN ,  Yu CHANG ,  Xinliang LU ,  Wei W. WANG ,  See-Eng PHAN

发明人： Chien-Teh KAO ,  Jing-Pei(Connie) CHOU ,  Chiukin(Steven) LAI ,  Sal UMOTOY ,  Joel M. HUSTON ,  Son TRINH ,  Mei CHANG ,  Xiaoxiong (John) YUAN ,  Yu CHANG ,  Xinliang LU ,  Wei W. WANG ,  See-Eng PHAN

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, exposing the substrate to a gas mixture while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to sublimate the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，将衬底暴露于气体混合物，同时在衬底上形成挥发性膜并将衬底保持在低于65℃的温度下，加热衬底 达到至少约75℃的温度以使挥发性膜升华并去除氧化物层，并且在加热基材之后在基板上沉积第一层。

公开(公告)号：US07680024B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11102567

申请日：2005-04-08

申请人： Duanyi Xu ,  Jianmin Liu ,  Hao Wang ,  Da Lu ,  Longfa Pan ,  Yi Ni ,  Ken Chen ,  Jianping Xiong ,  Dalin Wu ,  Jing Pei ,  Jianshe Ma ,  Xiaohui Lu ,  Chenyu Su

发明人： Duanyi Xu ,  Jianmin Liu ,  Hao Wang ,  Da Lu ,  Longfa Pan ,  Yi Ni ,  Ken Chen ,  Jianping Xiong ,  Dalin Wu ,  Jing Pei ,  Jianshe Ma ,  Xiaohui Lu ,  Chenyu Su

IPC分类号： G11B7/24

CPC分类号： G11B7/261 ,  G11B7/24088 ,  G11B7/263

摘要： The present invention provides a multilevel read-only optical disk and the method for producing the same. The multilevel read-only optical disk comprises a plurality of the recording pits, each of the longitudinal sections of the recording pits has a multilevel arbitrary shape; the areas of the longitudinal sections of the recording pits are not identical each other; the area of each of the longitudinal sections of the recording pits is defined by the following formula: S=∫h(x)dx, where S represents the area of each of the longitudinal sections of the recording pits, x represents the coordinate value along the width direction of the recording pits, h(x) represents the pit-depth distribution function of the longitudinal sections of the recording pits and the region of the integration covers the whole longitudinal sections of the recording pits. Furthermore, the run length of the multilevel read-only optical disk is limited. The present invention obtains the advantage of both multilevel storage technology and run length limited (RLL) codes. They can improve prominently the storage capacity and data transfer rate of read-only optical disk without changing the wavelength of the laser and optical numerical aperture, and are most compatible with the conventional read-only optical disk system.

摘要翻译： 本发明提供一种多电平只读光盘及其制造方法。 多级只读光盘包括多个记录凹坑，记录凹坑的每个纵向部分具有多层任意形状; 记录坑的纵向部分的区域不相同; 记录坑的每个纵向部分的面积由下式定义：S =∫h（x）dx，其中S表示记录坑的每个纵向部分的面积，x表示沿着 记录凹坑的宽度方向，h（x）表示记录凹坑的纵向部分的凹坑深度分布函数，积分区域覆盖记录凹坑的整个纵向部分。 此外，多级只读光盘的行程长度受到限制。 本发明获得了多级存储技术和行程限制（RLL）代码的优点。 它们可以显着提高只读光盘的存储容量和数据传输速率，而不改变激光器的波长和光学数值孔径，并且与传统的只读光盘系统最相容。

公开(公告)号：US20090111280A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12328466

申请日：2008-12-04

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, generating a plasma of a reactive species from a gas mixture within the processing chamber, exposing the substrate to the reactive species while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to vaporize the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底暴露于反应性物质，同时在衬底上形成挥发性膜 并将衬底保持在低于65℃的温度下，将衬底加热到​​至少约75℃的温度以蒸发挥发性膜并去除氧化物层，并且在加热衬底之后在衬底上沉积第一层 。

公开(公告)号：US20080268645A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12134715

申请日：2008-06-06

申请人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a method for removing native oxides from a substrate surface is provided which includes supporting a substrate containing silicon oxide within a processing chamber, generating a plasma of reactive species from a gas mixture within the processing chamber, cooling the substrate to a first temperature of less than about 65° C. within the processing chamber, and directing the reactive species to the cooled substrate to react with the silicon oxide thereon while forming a film on the substrate. The film usually contains ammonium hexafluorosilicate. The method further provides positioning the substrate in close proximity to a gas distribution plate, and heating the substrate to a second temperature of about 100° C. or greater within the processing chamber to sublimate or remove the film. The gas mixture may contain ammonia, nitrogen trifluoride, and a carrier gas.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法，其包括在处理室内支撑含有氧化硅的衬底，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底冷却至第一 在处理室内温度小于约65℃，并且将反应性物质引导到冷却的基底以与其上的氧化硅反应，同时在基底上形成膜。 该膜通常含有六氟硅酸铵。 该方法进一步提供将衬底定位在紧邻气体分配板的位置，并将衬底加热至处理室内约100℃或更高的第二温度以升华或去除膜。 气体混合物可以含有氨，三氟化氮和载气。

公开(公告)号：US20060051966A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11266167

申请日：2005-11-03

申请人： David Or ,  Jing-Pei Chou ,  See-Eng Phan ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

发明人： David Or ,  Jing-Pei Chou ,  See-Eng Phan ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302 ,  B08B6/00

CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for cleaning a processing chamber comprising blocking a flow of cooling fluid to a channel within a support member within a processing chamber, elevating the support member to be within about 0.1 inches of a gas distribution plate, heating the gas distribution plate, and introducing a thermally conductive gas through the gas distribution plate into the processing chamber.

摘要翻译： 一种用于清洁处理室的方法和装置，包括将冷却流体流阻塞到处理室内的支撑构件内的通道，将支撑构件升高到气体分配板的约0.1英寸以内，加热气体分配板， 并且将导热气体通过所述气体分配板引入所述处理室。

公开(公告)号：US20050230350A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11063645

申请日：2005-02-22

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei Chou ,  Chiukin Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei Chou ,  Chiukin Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one aspect, the chamber comprises a chamber body and a support assembly at least partially disposed within the chamber body and adapted to support a substrate thereon. The support assembly includes one or more fluid channels at least partially formed therein and capable of cooling the substrate. The chamber further comprises a lid assembly disposed on an upper surface of the chamber body. The lid assembly includes a first electrode and a second electrode which define a plasma cavity therebetween, wherein the second electrode is adapted to connectively heat the substrate.

摘要翻译： 提供了一种从衬底表面去除天然氧化物的方法和装置。 在一个方面，腔室包括室主体和至少部分地设置在腔体内并适于在其上支撑衬底的支撑组件。 支撑组件包括至少部分地形成在其中并能够冷却基底的一个或多个流体通道。 所述室还包括设置在所述室主体的上表面上的盖组件。 盖组件包括在其间限定等离子体腔的第一电极和第二电极，其中第二电极适于连接地加热衬底。

公开(公告)号：US08846163B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13489137

申请日：2012-06-05

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： B05D3/06 ,  H05B3/00 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, exposing the substrate to a gas mixture while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to sublimate the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，将衬底暴露于气体混合物，同时在衬底上形成挥发性膜并将衬底保持在低于65℃的温度下，加热衬底 达到至少约75℃的温度以使挥发性膜升华并去除氧化物层，并且在加热基材之后在基板上沉积第一层。

公开(公告)号：US20110223755A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13112875

申请日：2011-05-20

申请人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei(Connie) Chou ,  Chiukin(Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： CHIEN-TEH KAO ,  Jing-Pei(Connie) Chou ,  Chiukin(Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, generating a plasma of a reactive species from a gas mixture within the processing chamber, exposing the substrate to the reactive species while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to vaporize the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底暴露于反应性物质，同时在衬底上形成挥发性膜 并将衬底保持在低于65℃的温度下，将衬底加热到​​至少约75℃的温度以蒸发挥发性膜并去除氧化物层，并且在加热衬底之后在衬底上沉积第一层 。

公开(公告)号：US07767024B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US12134715

申请日：2008-06-06

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel M. Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei W. Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a method for removing native oxides from a substrate surface is provided which includes supporting a substrate containing silicon oxide within a processing chamber, generating a plasma of reactive species from a gas mixture within the processing chamber, cooling the substrate to a first temperature of less than about 65° C. within the processing chamber, and directing the reactive species to the cooled substrate to react with the silicon oxide thereon while forming a film on the substrate. The film usually contains ammonium hexafluorosilicate. The method further provides positioning the substrate in close proximity to a gas distribution plate, and heating the substrate to a second temperature of about 100° C. or greater within the processing chamber to sublimate or remove the film. The gas mixture may contain ammonia, nitrogen trifluoride, and a carrier gas.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法，其包括在处理室内支撑含有氧化硅的衬底，从处理室内的气体混合物产生反应物质的等离子体，将衬底冷却至第一 在处理室内温度小于约65℃，并且将反应性物质引导到冷却的基底以与其上的氧化硅反应，同时在基底上形成膜。 该膜通常含有六氟硅酸铵。 该方法进一步提供将衬底定位在紧邻气体分配板的位置，并将衬底加热至处理室内约100℃或更高的第二温度以升华或去除膜。 气体混合物可以含有氨，三氟化氮和载气。

公开(公告)号：US20050221552A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11137090

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A substrate support assembly and method for supporting a substrate are provided. In at least one embodiment, the support assembly includes a body having one or more fluid conduits disposed therethrough, and a support member disposed on a first end of the body. The support member includes one or more fluid channels formed in an upper surface thereof, wherein each fluid channel is in communication with the one or more of the fluid conduits. The support assembly also includes a cooling medium source in fluid communication with the one or more fluid conduits, and a first electrode having a plurality of holes formed therethrough. The first electrode is disposed on the upper surface of the support member such that each of the plurality of holes is in fluid communication with at least one of the one or more fluid channels formed in the upper surface of the support member.

摘要翻译： 提供了一种用于支撑衬底的衬底支撑组件和方法。 在至少一个实施例中，支撑组件包括具有设置在其中的一个或多个流体导管的主体和设置在主体的第一端上的支撑构件。 支撑构件包括形成在其上表面中的一个或多个流体通道，其中每个流体通道与一个或多个流体导管连通。 支撑组件还包括与一个或多个流体导管流体连通的冷却介质源，以及具有穿过其形成的多个孔的第一电极。 第一电极设置在支撑构件的上表面上，使得多个孔中的每一个与形成在支撑构件的上表面中的一个或多个流体通道中的至少一个流体连通。