公开(公告)号：US06284421B1

公开(公告)日：2001-09-04

申请号：US09460110

申请日：1999-12-13

申请人： Shigeo Matsuzaki ,  Yuji Kamiyama ,  Hisashi Mukataka

发明人： Shigeo Matsuzaki ,  Yuji Kamiyama ,  Hisashi Mukataka

IPC分类号： G03G9113

CPC分类号： G03G9/1133 ,  G03G9/1075

摘要： An electrophotographic carrier, which has high charging characteristics and an excellent durability, does not dull a color image and has an excellent moisture resistance is provided. A process for the production of the carrier and a developing agent for electrophotography using the carrier are also provided. The electrophotographic carrier comprises a carrier core material provided with magnetism and a coating layer formed on the surface of the carrier core material, the coating layer containing at least a hydrophobic white conductive material and a high molecular weight polyethylene resin.

摘要翻译： 具有高充电特性和优异的耐久性的电子照相载体不会使彩色图像钝化并且具有优异的耐湿性。 还提供了用于生产载体的方法和使用载体的用于电子照相的显影剂。 电子摄影载体包括具有磁性的载体芯材和形成在载体芯材表面上的涂层，该涂层至少含有疏水性白色导电材料和高分子量聚乙烯树脂。

公开(公告)号：US06197465B1

公开(公告)日：2001-03-06

申请号：US09426647

申请日：1999-10-25

申请人： Shigeo Matsuzaki ,  Takashi Arakane ,  Kazuo Murakata ,  Susumu Kikuchi ,  Hisashi Mukataka ,  Yuji Kamiyama

发明人： Shigeo Matsuzaki ,  Takashi Arakane ,  Kazuo Murakata ,  Susumu Kikuchi ,  Hisashi Mukataka ,  Yuji Kamiyama

IPC分类号： G03G9107

CPC分类号： G03G9/10 ,  G03G9/113 ,  G03G9/1133 ,  G03G9/1136 ,  G03G9/1138 ,  G03G9/1139

摘要： A carrier for electrophotography includes a carrier core material provided with magnetism and a coating layer which coats the surface of the carrier core material and includes a high molecular weight polyethylene resin having a weight average molecular weight of 50,000 or more. An outermost layer containing a magnetic powder having a three-dimensional form of a convex polyhedron is formed on the outermost surface of the coating layer.

摘要翻译： 用于电子照相的载体包括具有磁性的载体芯材和涂覆载体芯材表面的涂层，并且包括重均分子量为50,000以上的高分子量聚乙烯树脂。 在涂层的最外表面上形成含有具有三维形状的凸多面体的磁性粉末的最外层。

公开(公告)号：US20140197408A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：US14238019

申请日：2012-08-08

申请人： Yuki Tsuruma ,  Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Yuki Tsuruma ,  Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78693 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor (1) includes a source electrode (50), a drain electrode (60), a gate electrode (20), a gate insulating film (30), and a channel layer (40) that is formed of an oxide semiconductor, the channel layer (40) having an average carrier concentration of 1×1016/cm3 to 5×1019/cm3, and including a high carrier concentration region (42) that is situated on the side of the gate insulating film (30) and has a carrier concentration higher than the average carrier concentration, and the channel layer (40) having a substantially homogenous composition.

摘要翻译： 薄膜晶体管（1）包括源电极（50），漏电极（60），栅极电极（20），栅极绝缘膜（30）和由氧化物形成的沟道层（40） 半导体，平均载流子浓度为1×10 16 / cm 3至5×10 19 / cm 3的沟道层（40），并且包括位于栅极绝缘膜（30）一侧的高载流子浓度区域（42） 并且具有高于平均载流子浓度的载流子浓度，并且沟道层（40）具有基本均匀的组成。

公开(公告)号：US20140014500A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US14006851

申请日：2012-03-26

申请人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

发明人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.

摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000m 3以上的空隙。

公开(公告)号：US08518585B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12678162

申请日：2008-09-22

申请人： Tsuyoshi Ota ,  Minoru Senga ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Tsuyoshi Ota ,  Minoru Senga ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01M6/16

CPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M2300/0068 ,  Y02T10/7011

摘要： A method for producing a lithium ion conductive solid electrolyte including the step of bringing one or more compounds selected from phosphorous sulfide, germanium sulfide, silicon sulfide and boron sulfide into contact with lithium sulfide in a hydrocarbon-based solvent.

摘要翻译： 一种锂离子传导性固体电解质的制造方法，其特征在于，在烃系溶剂中，使从硫化亚铜，硫化锗，硫化硅，硫化硼中选出的一种以上的化合物与硫化锂接触的工序。

公开(公告)号：US20100200795A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US12678162

申请日：2008-09-22

申请人： Tsuyoshi Ota ,  Minoru Senga ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Tsuyoshi Ota ,  Minoru Senga ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： H01G9/022

CPC分类号： H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M2300/0068 ,  Y02T10/7011

摘要： A method for producing a lithium ion conductive solid electrolyte including the step of bringing one or more compounds selected from phosphorous sulfide, germanium sulfide, silicon sulfide and boron sulfide into contact with lithium sulfide in a hydrocarbon-based solvent.

摘要翻译： 一种锂离子传导性固体电解质的制造方法，其特征在于，在烃系溶剂中，使从硫化亚铜，硫化锗，硫化硅，硫化硼中选出的一种以上的化合物与硫化锂接触的工序。

公开(公告)号：US09767998B2

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：US14343031

申请日：2012-09-06

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Yuki Tsuruma

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Yuki Tsuruma

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C04B35/01 ,  H01L27/12 ,  H01L21/42

CPC分类号： H01J37/3426 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A sputtering target including a sintered body: the sintered body including: indium oxide doped with Ga or indium oxide doped with Al, and a positive tetravalent metal in an amount of exceeding 100 at. ppm and 1100 at. ppm or less relative to the total of Ga and indium, or Al and indium, the crystal structure of the sintered body substantially including a bixbyite structure of indium oxide.

公开(公告)号：US20140145185A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US14130857

申请日：2012-06-28

申请人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Kazuaki Ebata ,  Shigekazu Tomai ,  Kota Terai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A sputtering target including a sintered body including In, Ga and Mg, the sintered body including one or more compounds selected from a compound represented by In2O3, a compound represented by In(GaMg)O4, a compound represented by Ga2MgO4 and a compound represented by In2MgO4, and having an atomic ratio In/(In+Ga+Mg) of 0.5 or more and 0.9999 or less and an atomic ratio (Ga+Mg)/(In+Ga+Mg) of 0.0001 or more and 0.5 or less.

摘要翻译： 包括In，Ga和Mg的烧结体的溅射靶，所述烧结体包含一种或多种选自In2O3，In（GaMg）O4表示的化合物，由Ga2MgO4表示的化合物和由 InMgO 4，原子比In /（In + Ga + Mg）为0.5以上且0.9999以下，原子比（Ga + Mg）/（In + Ga + Mg）为0.0001以上且0.5以下。

公开(公告)号：US20130140502A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13700789

申请日：2011-06-01

申请人： Shigekazu Tomai ,  Kazuaki Ebata ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

发明人： Shigekazu Tomai ,  Kazuaki Ebata ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L49/02 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L49/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/70 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： An oxide sintered body including an oxide of indium (In), gallium (Ga), and positive trivalent and/or positive tetravalent metal X, wherein the amount of the metal X relative to the total amount of In and Ga is 100 to 10000 ppm (weight).

摘要翻译： 包含铟（In），镓（Ga）和正三价和/或正四价金属X的氧化物的氧化物烧结体，其中金属X相对于In和Ga的总量的量为100至10000ppm （重量）。

公开(公告)号：US20120068130A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13303473

申请日：2011-11-23

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Shigeo Matsuzaki

IPC分类号： C23C14/08 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  Y02E10/50

摘要： A sputtering target including indium oxide and tin oxide, the content by percentage of the tin atoms therein being from 3 to 20 atomic % of the total of the indium atoms and the tin atoms, and the maximum grain size of indium oxide crystal in the sputtering target being 5 μm or less. When a transparent conductive film is formed by sputtering, this sputtering target makes it possible to suppress the generation of nodules on the surface of the target and to conduct the sputtering stably.

摘要翻译： 包括氧化铟和氧化锡的溅射靶，其中锡原子的含量百分比为铟原子和锡原子总数的3至20原子％，溅射中氧化铟晶体的最大晶粒尺寸 目标为5μm以下。 当通过溅射形成透明导电膜时，该溅射靶可以抑制靶的表面上的结节的产生并且稳定地进行溅射。