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    DISPLAY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
    5.
    发明申请
    DISPLAY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF 有权
    显示装置及其控制方法

    公开(公告)号：US20140028567A1

    公开(公告)日：2014-01-30

    申请号：US14004642

    申请日：2011-04-19

    申请人： Sung Jong Park ,  Kyung Jin Kim ,  Sae Hun Jang ,  Gu-Ang Jang ,  Sung Il Cho ,  Yooseok Cho ,  Jiyoung Hong

    发明人： Sung Jong Park ,  Kyung Jin Kim ,  Sae Hun Jang ,  Gu-Ang Jang ,  Sung Il Cho ,  Yooseok Cho ,  Jiyoung Hong

    IPC分类号： G06F3/01

    CPC分类号： G06F3/017 ,  G06F3/005 ,  G06F3/0236 ,  G06F3/0304

    摘要： Disclosed are a display device and a control method thereof. The display device includes a display, a camera capturing a gesture in a three dimensional space; and a controller selectively displaying a virtual keyboard corresponding to a hand gesture for character input on the display when the captured gesture includes the hand gesture for the character input. Accordingly, the virtual keyboard corresponding to the hand gesture for the character input is displayed, so that the user may not perform an additional operation to display the virtual keyboard.

    摘要翻译： 公开了一种显示装置及其控制方法。 显示装置包括显示器，在三维空间中拍摄手势的相机; 以及当捕获的手势包括用于字符输入的手势时，控制器选择性地显示对应于手势的虚拟键盘以便在显示器上输入字符。 因此，显示对应于用于字符输入的手势的虚拟键盘，使得用户可能不执行附加操作来显示虚拟键盘。

    System and Method of Operating a Memory Device
    8.
    发明申请
    System and Method of Operating a Memory Device 有权
    操作存储器件的系统和方法

    公开(公告)号：US20110110174A1

    公开(公告)日：2011-05-12

    申请号：US12617305

    申请日：2009-11-12

    申请人： Sung Il Cho ,  Sei Seung Yoon ,  Naveen Gundubogula ,  Mohamed H. Abu-Rahma ,  Dongkyu Park

    发明人： Sung Il Cho ,  Sei Seung Yoon ,  Naveen Gundubogula ,  Mohamed H. Abu-Rahma ,  Dongkyu Park

    IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C8/08 ,  G11C7/02

    CPC分类号： G11C11/419 ,  G11C7/08 ,  G11C7/14 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C7/227 ,  G11C8/08 ,  G11C11/418 ,  G11C2207/065

    摘要： A system and method of operating a memory device is disclosed. In a particular embodiment, an apparatus is disclosed that includes a bit cell coupled to a first bit line and to a second bit line. The apparatus also includes a sense amplifier coupled to the first bit line and to the second bit line. The apparatus includes a loop circuit configured to provide a sense amplifier enable signal to the sense amplifier in response to receiving a first signal. The apparatus also includes a wordline enable circuit configured to provide a wordline enable signal to a wordline driver in response to receiving a second signal. The loop circuit receives the first signal before the wordline enable circuit receives the second signal.

    摘要翻译： 公开了一种操作存储器件的系统和方法。 在特定实施例中，公开了一种包括耦合到第一位线和第二位线的位单元的装置。 该装置还包括耦合到第一位线和第二位线的读出放大器。 该装置包括一个环路电路，其被配置为响应于接收到第一信号向感测放大器提供读出放大器使能信号。 该装置还包括字线使能电路，其被配置为响应于接收到第二信号而向字线驱动器提供字线使能信号。 环路电路在字线使能电路接收到第二信号之前接收第一信号。

    Method of fabricating a semiconductor device
    9.
    发明授权
    Method of fabricating a semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07704828B2

    公开(公告)日：2010-04-27

    申请号：US11741639

    申请日：2007-04-27

    申请人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

    发明人： Jung-Min Oh ,  Jeong-Nam Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hyuk Kang ,  Sung-Il Cho

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/91

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device is provided. The method includes forming a mold for forming a storage electrode, forming sacrificial spacers at side walls of openings in the mold, forming a conductive film for a storage electrode along the inside of the openings, removing the mold by a wet etching process, removing the sacrificial spacers by a dry etching process, and sequentially forming a dielectric film and an upper electrode on the storage electrode.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括形成用于形成存储电极的模具，在模具的开口的侧壁处形成牺牲隔离物，沿着开口的内部形成用于存储电极的导电膜，通过湿法蚀刻工艺移除模具， 牺牲隔离物，并且在存储电极上依次形成电介质膜和上电极。

    Method of forming fine patterns using double patterning process
    10.
    发明授权
    Method of forming fine patterns using double patterning process 有权
    使用双重图案化工艺形成精细图案的方法

    公开(公告)号：US07531449B2

    公开(公告)日：2009-05-12

    申请号：US11730264

    申请日：2007-03-30

    申请人： Sang-joon Park ,  Yong-hyun Kwon ,  Jun Seo ,  Sung-il Cho ,  Chang-jin Kang ,  Jae-kyu Ha

    发明人： Sang-joon Park ,  Yong-hyun Kwon ,  Jun Seo ,  Sung-il Cho ,  Chang-jin Kang ,  Jae-kyu Ha

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76897

    摘要： A double pattern method of forming a plurality of contact holes in a material layer formed on a substrate is disclosed. The method forms a parallel plurality of first hard mask patterns separated by a first pitch in a first direction on the material layer, a self-aligned parallel plurality of second hard mask patterns interleaved with the first hard mask patterns and separated from the first hard mask patterns by a buffer layer to form composite mask patterns, and a plurality of upper mask patterns in a second direction intersecting the first direction to mask selected portions of the buffer layer in conjunction with the composite mask patterns. The method then etches non-selected portions of the buffer layer using the composite hard mask patterns and the upper mask patterns as an etch mask to form a plurality of hard mask holes exposing selected portions of the material layer, and then etches the selected portions of the material layer to form the plurality of contact holes.

    摘要翻译： 公开了一种在形成在基板上的材料层中形成多个接触孔的双重图案方法。 该方法形成在材料层上沿第一方向以第一间距分开的平行多个第一硬掩模图案，与第一硬掩模图案交错并与第一硬掩模分离的自对准并行多个第二硬掩模图案 通过缓冲层形成图案以形成复合掩模图案，以及与第一方向相交的第二方向的多个上掩模图案，以与复合掩模图案一起掩蔽缓冲层的选定部分。 然后，该方法使用复合硬掩模图案和上掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻缓冲层的未选择部分，以形成暴露材料层的选定部分的多个硬掩模孔，然后蚀刻所选择的部分 所述材料层形成所述多个接触孔。