公开(公告)号：US08986988B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US12680249

申请日：2008-09-29

申请人： Rohit Nandkumar Karnik ,  Seungpyo Hong ,  Ying Mei ,  Daniel Griffith Anderson ,  Jeffrey Michael Karp ,  Robert S. Langer ,  Suman Bose

发明人： Rohit Nandkumar Karnik ,  Seungpyo Hong ,  Ying Mei ,  Daniel Griffith Anderson ,  Jeffrey Michael Karp ,  Robert S. Langer ,  Suman Bose

IPC分类号： C12N5/07 ,  C12N5/00 ,  C12N5/0735 ,  C12N5/078 ,  C12M1/00

CPC分类号： C12N5/0068 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2300/0877 ,  B01L2300/16 ,  C12M23/16 ,  C12M47/02 ,  C12N5/0062 ,  C12N2501/58 ,  C12N2501/585 ,  C12N2533/50 ,  C12N2533/52 ,  C12N2535/10

摘要： The present invention provides systems for cell separation based on cell rolling on surfaces along edges of regions coated with cell adhesion molecules. A variety of designs of coated regions and edges are disclosed.

摘要翻译： 本发明提供了基于在细胞粘附分子包被的区域的边缘上的表面上的细胞滚动的细胞分离系统。 公开了涂覆区域和边缘的各种设计。

公开(公告)号：US08129279B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12250239

申请日：2008-10-13

申请人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

发明人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/12

摘要： A method of performing chemical mechanical polish (CMP) processes on a wafer includes providing the wafer; determining a thickness profile of a feature on a surface of the wafer; and, after the step of determining the thickness profile, performing a high-rate CMP process on the feature using a polish recipe to substantially achieve a within-wafer thickness uniformity of the feature. The polish recipe is determined based on the thickness profile.

摘要翻译： 在晶片上进行化学机械抛光（CMP）工艺的方法包括提供晶片; 确定晶片表面上的特征的厚度分布; 并且在确定厚度分布的步骤之后，使用抛光配方对特征进行高速率CMP处理，以基本上实现特征的晶片内厚度均匀性。 根据厚度分布确定抛光配方。

公开(公告)号：USD644414S1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US29362448

申请日：2010-05-25

申请人： Philip Kurpakus, Jr. ,  Ying Mei Kurpakus

设计人： Philip Kurpakus, Jr. ,  Ying Mei Kurpakus

公开(公告)号：US20100273259A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12765472

申请日：2010-04-22

申请人： Krishanu Saha ,  Ying Mei ,  Said R. Bogatyrev ,  Daniel G. Anderson ,  Rudolf Jaenisch ,  Robert S. Langer ,  Morgan Alexander ,  Martyn Davies ,  Jing Yang ,  Christian J. Kastrup ,  Andrew Urquhart

发明人： Krishanu Saha ,  Ying Mei ,  Said R. Bogatyrev ,  Daniel G. Anderson ,  Rudolf Jaenisch ,  Robert S. Langer ,  Morgan Alexander ,  Martyn Davies ,  Jing Yang ,  Christian J. Kastrup ,  Andrew Urquhart

IPC分类号： C12N5/0797

CPC分类号： G01N23/2258 ,  C12N5/0068 ,  C12N2535/10 ,  H01J49/00

摘要： The present disclosure provides a device and a cell culture system comprising a substrate that generates significant chemical ion signatures adapted for culturing stem cells. This disclosure further provides unique surface properties, such as surface wettability, along with defined polymer microspot environments in an array, for effectively supporting the propagation and differentiation of human pluripotent stem cells in vitro. Methods of culturing, maintenance, differentiating stem cells as well as reprogramming somatic cells into stem cells using the device and the cell culture system with the suitable substrates, along with suitable culture media, are also provided.

摘要翻译： 本公开提供了一种装置和细胞培养系统，其包含生成适于培养干细胞的显着化学离子特征的底物。 本公开进一步提供独特的表面性质，例如表面润湿性，以及阵列中限定的聚合物微球环境，用于在体外有效支持人多能干细胞的繁殖和分化。 还提供了使用装置和具有合适底物的细胞培养系统以及合适的培养基将培养，维持，分化干细胞以及将体细胞重编程成干细胞的方法。

公开(公告)号：US09132523B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13412260

申请日：2012-03-05

申请人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

发明人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

IPC分类号： H01L21/302 ,  B24B49/12 ,  B24B37/013

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/12

摘要： A method of performing chemical mechanical polish (CMP) processes on a wafer includes providing the wafer; determining a thickness profile of a feature on a surface of the wafer; and, after the step of determining the thickness profile, performing a high-rate CMP process on the feature using a polish recipe to substantially achieve a within-wafer thickness uniformity of the feature. The polish recipe is determined based on the thickness profile.

摘要翻译： 在晶片上进行化学机械抛光（CMP）工艺的方法包括提供晶片; 确定晶片表面上的特征的厚度分布; 并且在确定厚度分布的步骤之后，使用抛光配方对特征进行高速率CMP处理，以基本上实现特征的晶片内厚度均匀性。 根据厚度分布确定抛光配方。

公开(公告)号：US20100093259A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12250239

申请日：2008-10-13

申请人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

发明人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

IPC分类号： B24B49/04 ,  B24B49/12

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/12

摘要： A method of performing chemical mechanical polish (CMP) processes on a wafer includes providing the wafer; determining a thickness profile of a feature on a surface of the wafer; and, after the step of determining the thickness profile, performing a high-rate CMP process on the feature using a polish recipe to substantially achieve a within-wafer thickness uniformity of the feature. The polish recipe is determined based on the thickness profile.

摘要翻译： 在晶片上进行化学机械抛光（CMP）工艺的方法包括提供晶片; 确定晶片表面上的特征的厚度分布; 并且在确定厚度分布的步骤之后，使用抛光配方对特征进行高速率CMP处理，以基本上实现特征的晶片内厚度均匀性。 根据厚度分布确定抛光配方。

公开(公告)号：US20050269385A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US10859207

申请日：2004-06-03

申请人： Sinn-Wen Chen ,  Shih-Kang Lin ,  Ching-Feng Yang ,  Yu-Chih Huang ,  Ting-Ying Chung ,  Ying-Mei Tsai ,  An-Ren Zi

发明人： Sinn-Wen Chen ,  Shih-Kang Lin ,  Ching-Feng Yang ,  Yu-Chih Huang ,  Ting-Ying Chung ,  Ying-Mei Tsai ,  An-Ren Zi

IPC分类号： B23K31/02 ,  B23K35/02 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K3/3463 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00

摘要： This invention forms an indium or indium alloy layer on top of a Sn based lead-free solder. The indium or indium alloy layer can be formed by various methods, such as plating, deposition, printing, dipping, etc. The indium-containing layer melts during the soldering process, wets the substrate, and forms a sound solder joint. Since the melting point of indium is 156.6° C., even lower than that of the eutectic Sn—Pb which is at 183° C., so the soldering process can be carried out at a temperature lower than the conventional soldering process. During the soldering process, the indium reacts with the Sn based Pb-free solder alloy. Since the eutectic temperature of Sn—In is at 120° C., during the short time of the soldering process, the surface of the In deposited Pb-free solder remains as the liquid phase and have a good wetting with the substrate, while a In gradient is formed in the In deposited Pb-free solder.

摘要翻译： 本发明在Sn基无铅焊料的顶部形成铟或铟合金层。 可以通过电镀，沉积，印刷，浸渍等各种方法形成铟或铟合金层。在焊接工艺期间，含铟层熔化，润湿基板，形成良好的焊点。 由于铟的熔点为156.6℃，甚至低于在183℃的共晶Sn-Pb的熔点，所以焊接工艺可以在比常规焊接工艺低的温度下进行。 在焊接过程中，铟与Sn基无铅焊料合金反应。 由于Sn-In的共晶温度为120℃，在焊接过程的短时间内，In沉积的无铅焊料的表面保持为液相，并且与衬底具有良好的润湿性，而 在In沉积的无铅焊料中形成梯度。

公开(公告)号：US5946463A

公开(公告)日：1999-08-31

申请号：US681202

申请日：1996-07-22

申请人： Alexander Duncan Carr ,  Jeffrey Michael Dangel ,  Michael Nelson Galassi ,  Kevin Forress Rodgers ,  Emy Ying-Mei Tseng ,  Thomas Van Weaver

发明人： Alexander Duncan Carr ,  Jeffrey Michael Dangel ,  Michael Nelson Galassi ,  Kevin Forress Rodgers ,  Emy Ying-Mei Tseng ,  Thomas Van Weaver

IPC分类号： H04L29/06 ,  H04L29/08 ,  G06F13/38 ,  G06F15/17

CPC分类号： H04L29/06 ,  H04L67/10

摘要： A method and system for automatically performing one or more operations on multiple computer systems within a cluster are disclosed. In accordance with the present invention, a begin operations command construct is defined within an input file. In addition, an input command indicating one or more operations to be performed on at least two computer systems within the cluster and an end operations command construct are defined. In response to a selected input, one or more operations indicated by the input command are automatically performed on at least two computer systems. In accordance with one embodiment, the begin operations command construct indicates selected computer systems within the cluster on which the one or more operations are to be performed and whether the operations are to be performed on the selected computer systems serially or in parallel.

摘要翻译： 公开了一种用于在群集内的多个计算机系统上自动执行一个或多个操作的方法和系统。 根据本发明，在输入文件内定义开始操作命令结构。 此外，定义指示要在群集内的至少两个计算机系统执行的一个或多个操作的输入命令和结束操作命令结构。 响应于所选择的输入，在至少两个计算机系统上自动执行由输入命令指示的一个或多个操作。 根据一个实施例，开始操作命令结构指示要在其上执行一个或多个操作的集群内的所选择的计算机系统以及是否在所选择的计算机系统上串行或并行执行操作。

公开(公告)号：US20120164918A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13412260

申请日：2012-03-05

申请人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

发明人： Shen-Nan Lee ,  Ying-Mei Lin ,  Yu-Jen Cheng ,  Keung Hui ,  Huan-Just Lin

IPC分类号： H01L21/302 ,  B24B49/12

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/12

摘要： A method of performing chemical mechanical polish (CMP) processes on a wafer includes providing the wafer; determining a thickness profile of a feature on a surface of the wafer; and, after the step of determining the thickness profile, performing a high-rate CMP process on the feature using a polish recipe to substantially achieve a within-wafer thickness uniformity of the feature. The polish recipe is determined based on the thickness profile.

摘要翻译： 在晶片上进行化学机械抛光（CMP）工艺的方法包括提供晶片; 确定晶片表面上的特征的厚度分布; 并且在确定厚度分布的步骤之后，使用抛光配方对特征进行高速率CMP处理，以基本上实现特征的晶片内厚度均匀性。 根据厚度分布确定抛光配方。

公开(公告)号：US20100304485A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12680249

申请日：2008-09-29

申请人： Rohit Nandkumar KARNIK ,  Seungpyo HONG ,  Ying MEI ,  Daniel Griffith ANDERSON ,  Jeffrey Michael KARP ,  Robert S. LANGER ,  Suman BOSE

发明人： Rohit Nandkumar KARNIK ,  Seungpyo HONG ,  Ying MEI ,  Daniel Griffith ANDERSON ,  Jeffrey Michael KARP ,  Robert S. LANGER ,  Suman BOSE

IPC分类号： C12N5/07 ,  C12M1/00 ,  C12M1/34 ,  C12N5/0775 ,  C12N5/0789 ,  C12N5/0735 ,  C12N5/09 ,  C12N5/078 ,  C12N5/0787 ,  C12N5/0786

CPC分类号： C12N5/0068 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/502761 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2300/0877 ,  B01L2300/16 ,  C12M23/16 ,  C12M47/02 ,  C12N5/0062 ,  C12N2501/58 ,  C12N2501/585 ,  C12N2533/50 ,  C12N2533/52 ,  C12N2535/10

摘要： The present invention provides systems for cell separation based on cell rolling on surfaces along edges of regions coated with cell adhesion molecules. A variety of designs of coated regions and edges are disclosed.

摘要翻译： 本发明提供了基于在细胞粘附分子包被的区域的边缘上的表面上的细胞滚动的细胞分离系统。 公开了涂覆区域和边缘的各种设计。