公开(公告)号：US08904871B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13190334

申请日：2011-07-25

申请人： Stanislav Emelianov ,  Bo Wang ,  Jignesh Shah ,  Konstantin Sokolov ,  Jimmy Su ,  Yun-Sheng Chen ,  Wolfgang Frey

发明人： Stanislav Emelianov ,  Bo Wang ,  Jignesh Shah ,  Konstantin Sokolov ,  Jimmy Su ,  Yun-Sheng Chen ,  Wolfgang Frey

IPC分类号： G01N29/00 ,  G01N21/00 ,  A61B5/00 ,  A61B5/02 ,  A61B8/12 ,  A61B6/00 ,  A61B8/08 ,  G01N21/17

CPC分类号： A61B8/5223 ,  A61B5/0095 ,  A61B5/02007 ,  A61B6/481 ,  A61B8/0891 ,  A61B8/12 ,  G01N21/1702

摘要： The present disclosure relates to methods and systems relating to temperature dependent photoacoustic imaging are provided. In such methods and systems, a tissue sample may be exposed to thermal energy and electromagnetic radiation to generate an acoustic signal, which may be detected. The amplitude of the acoustic signal may be determined and correlated with a tissue property, such as the presence or absence of macrophages or foam cells.

摘要翻译： 本公开涉及与温度依赖性光声成像有关的方法和系统。 在这样的方法和系统中，组织样本可能暴露于热能和电磁辐射以产生可能被检测的声信号。 可以确定声信号的幅度并与组织属性（例如巨噬细胞或泡沫细胞的存在或不存在）相关联。

公开(公告)号：US20140157901A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US14179332

申请日：2014-02-12

申请人： Stanislav Emelianov ,  Jimmy Su ,  Bo Wang ,  Andrei Karpiouk ,  Yun-Sheng Chen ,  Wolfgang Frey ,  Richard Bouchard ,  Kimberly Homan

发明人： Stanislav Emelianov ,  Jimmy Su ,  Bo Wang ,  Andrei Karpiouk ,  Yun-Sheng Chen ,  Wolfgang Frey ,  Richard Bouchard ,  Kimberly Homan

IPC分类号： G01N29/06

CPC分类号： G01N29/06 ,  A61B5/0095 ,  A61B8/0841 ,  A61B8/0891 ,  A61B8/12 ,  A61B8/483 ,  A61B8/587

摘要： Methods of combined ultrasound and photoacoustic imaging are provided. In some embodiments, the methods may be used to determine the location or positioning of a metal object in a sample. In other embodiments, the methods may be used to determine the composition of a sample surrounding a metal object. Other methods are also provided.

摘要翻译： 提供组合超声和光声成像的方法。 在一些实施例中，该方法可用于确定金属物体在样品中的位置或位置。 在其它实施例中，该方法可用于确定围绕金属物体的样品的组成。 还提供了其他方法。

公开(公告)号：US07385820B1

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11565586

申请日：2006-11-30

申请人： Yun-Sheng Chen

发明人： Yun-Sheng Chen

IPC分类号： H05K7/20 ,  F28D15/00

CPC分类号： G06F1/20 ,  F28D15/0266 ,  F28F1/24 ,  H01L23/427 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A heat dissipation module for removing heat from a heat generating component, includes a block, a heat pipe and a fin unit. The block includes a first surface and a second surface. One end of the heat pipe is thermally attached to the fin unit, and the other end of the heat pipe is thermally attached to the first surface of the block. A groove is defined in the second surface of the block for fittingly receiving the heat generating component therein.

摘要翻译： 用于从发热部件除去热量的散热模块包括块，热管和翅片单元。 该块包括第一表面和第二表面。 热管的一端热连接到翅片单元，热管的另一端热连接到块的第一表面。 在块的第二表面中限定凹槽，用于在其中适配地接收发热部件。

公开(公告)号：US20070238231A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11760824

申请日：2007-06-11

申请人： Wei-Pang Huang ,  Chun-Huai Li ,  Yun-Sheng Chen

发明人： Wei-Pang Huang ,  Chun-Huai Li ,  Yun-Sheng Chen

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L27/1214

摘要： Methods of forming thin film devices with different electrical characteristics on a substrate comprising a driver circuit region and a pixel region. A first and a second polysilicon pattern layers are formed on the driving circuit region and the pixel region of the substrate, respectively. A first ion implantation is performed on the second polysilicon pattern layer using a masking layer covering the first polysilicon pattern layer as an implant mask, such that the first polysilicon pattern layer has an impurity concentration different from the second polysilicon pattern layer. After removal of the masking layer, a gate dielectric layer and a gate are successively formed on each of the first and second polysilicon pattern layers and a source/drain region is subsequently formed in each of the first and second polysilicon pattern layers to define a channel region therein.

摘要翻译： 在包括驱动器电路区域和像素区域的衬底上形成具有不同电特性的薄膜器件的方法。 分别在驱动电路区域和衬底的像素区域上形成第一和第二多晶硅图案层。 使用覆盖第一多晶硅图案层的掩模层作为注入掩模在第二多晶硅图案层上执行第一离子注入，使得第一多晶硅图案层具有与第二多晶硅图案层不同的杂质浓度。 在去除掩模层之后，在第一和第二多晶硅图案层中的每一个上依次形成栅极电介质层和栅极，随后在第一和第二多晶硅图案层中的每一个中形成源极/漏极区域以限定沟道 区域。

公开(公告)号：US07268367B2

公开(公告)日：2007-09-11

申请号：US10992278

申请日：2004-11-18

申请人： Wei-Pang Huang ,  Chun-Huai Li ,  Yun-Sheng Chen

发明人： Wei-Pang Huang ,  Chun-Huai Li ,  Yun-Sheng Chen

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L27/127 ,  H01L27/1214

摘要： Methods of forming thin film devices with different electrical characteristics on a substrate comprising a driver circuit region and a pixel region. A first and a second polysilicon pattern layers are formed on the driving circuit region and the pixel region of the substrate, respectively. A first ion implantation is performed on the second polysilicon pattern layer using a masking layer covering the first polysilicon pattern layer as an implant mask, such that the first polysilicon pattern layer has an impurity concentration different from the second polysilicon pattern layer. After removal of the masking layer, a gate dielectric layer and a gate are successively formed on each of the first and second polysilicon pattern layers and a source/drain region is subsequently formed in each of the first and second polysilicon pattern layers to define a channel region therein.

摘要翻译： 在包括驱动器电路区域和像素区域的衬底上形成具有不同电特性的薄膜器件的方法。 分别在驱动电路区域和衬底的像素区域上形成第一和第二多晶硅图案层。 使用覆盖第一多晶硅图案层的掩模层作为注入掩模在第二多晶硅图案层上执行第一离子注入，使得第一多晶硅图案层具有与第二多晶硅图案层不同的杂质浓度。 在去除掩模层之后，在第一和第二多晶硅图案层中的每一个上依次形成栅极电介质层和栅极，随后在第一和第二多晶硅图案层中的每一个中形成源极/漏极区域以限定沟道 区域。

公开(公告)号：US20070042536A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11372123

申请日：2006-03-10

申请人： Chi-Wen Chen ,  Jen-Chien Peng ,  Yun-Sheng Chen

发明人： Chi-Wen Chen ,  Jen-Chien Peng ,  Yun-Sheng Chen

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78621 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78624

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor of the invention comprises steps of: forming a gate electrode on a substrate; forming a gate insulating layer on the gate electrode; forming a polysilicon layer on the gate insulating layer; forming an etching-stop layer on the polysilicon layer and corresponding to the gate electrode; forming a heavily doped polysilicon layer on the etching-stop layer and the polysilicon layer, the heavily doped polysilicon layer exposing a part of the etching-stop layer; and forming a source electrode and a drain electrode on the heavily doped polysilicon layer, and the source and drain electrode relatively positioned above the two sides of the gate electrode.

摘要翻译： 本发明的薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成栅电极; 在栅电极上形成栅极绝缘层; 在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层; 在所述多晶硅层上形成对应于所述栅电极的蚀刻停止层; 在所述蚀刻停止层和所述多晶硅层上形成重掺杂多晶硅层，所述重掺杂多晶硅层暴露所述蚀刻停止层的一部分; 并且在重掺杂多晶硅层上形成源电极和漏电极，并且源电极和漏电极相对位于栅极两侧的上方。

公开(公告)号：US07075230B2

公开(公告)日：2006-07-11

申请号：US10707493

申请日：2003-12-18

申请人： Yun-Sheng Chen

发明人： Yun-Sheng Chen

IPC分类号： H05B33/00

CPC分类号： H01L51/5209 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/558

摘要： An organic light emitting diode (OLED) structure includes a transparent conductive layer disposed on a top surface of a substrate, an organic thin film disposed on the transparent conductive layer and covering the transparent conductive layer, and a metal layer disposed on the organic thin film. A width of a bottom surface of the transparent conductive layer is greater than a width of a top surface of the transparent conductive layer.

摘要翻译： 有机发光二极管（OLED）结构包括设置在基板的顶表面上的透明导电层，设置在透明导电层上并覆盖透明导电层的有机薄膜和设置在有机薄膜上的金属层 。 透明导电层的底面的宽度大于透明导电层的上表面的宽度。

公开(公告)号：US20050247996A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US11055816

申请日：2005-02-10

申请人： Shine Chung ,  Yun-Sheng Chen

发明人： Shine Chung ,  Yun-Sheng Chen

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01C17/22 ,  H01G4/255 ,  H01L27/10 ,  H01L29/00

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01C17/22 ,  H01G4/255 ,  H01L27/10

摘要： A method and system is disclosed for device trimming. A device trimming system comprises at least one reference device to be trimmed having a reference electrical parameter, at least one trimming device to be coupled with the reference device for forming a trimmed reference device providing an altered reference electrical parameter based on a combination of the reference device and the trimming device, and at least one electrical fuse based control module for controlling whether the trimming device is to be coupled with the reference device based on a state of the electrical fuse.

摘要翻译： 公开了一种用于装置修剪的方法和系统。 装置修剪系统包括要修剪的至少一个参考装置，具有参考电参数;至少一个修剪装置，其将与参考装置耦合，用于形成修整的参考装置，其基于参考的组合提供改变的参考电参数 装置和修整装置，以及至少一个基于电熔丝的控制模块，用于基于电熔丝的状态来控制修整装置是否与参考装置耦合。

公开(公告)号：US20050093438A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10707705

申请日：2004-01-06

申请人： YUN-SHENG CHEN

发明人： YUN-SHENG CHEN

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H05B33/00 ,  H05B33/10

CPC分类号： H01L27/3248 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5203

摘要： An active organic electroluminescence panel display and a fabricating method thereof are disclosed. A thin film transistor array comprising a plurality of thin film transistors, a plurality of datalines and a plurality of scanlines are formed on a substrate. A passivation layer is formed on the substrate, covering the thin film transistor array. A contact opening is formed in the passivation layer for exposing a prescribed area of the array. An anode layer is formed on the passivation layer and fills into the contact opening. A blank layer is formed on the anode, covering the contact opening. A shadow mask is disposed on the blank layer. Then, a sputtering process is performed to form anorganic luminescent layer. The shadow mask is then removed, and a cathode layer is formed on the organic luminescent layer for forming an active organic electroluminescence panel display.

摘要翻译： 公开了一种活性有机电致发光面板显示器及其制造方法。 在衬底上形成包括多个薄膜晶体管，多个数据线和多条扫描线的薄膜晶体管阵列。 在衬底上形成钝化层，覆盖薄膜晶体管阵列。 在钝化层中形成接触开口以暴露阵列的规定区域。 阳极层形成在钝化层上并填充到接触开口中。 在阳极上形成覆盖接触开口的空白层。 阴影掩模设置在空白层上。 然后，进行溅射处理以形成有机发光层。 然后去除荫罩，并且在用于形成活性有机电致发光面板显示器的有机发光层上形成阴极层。

公开(公告)号：US06844616B2

公开(公告)日：2005-01-18

申请号：US10098239

申请日：2002-03-15

申请人： Kuang-Ho Liao ,  Feng Lin ,  Yun-sheng Chen

发明人： Kuang-Ho Liao ,  Feng Lin ,  Yun-sheng Chen

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L29/435

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A multi-chip semiconductor package structure. The structure includes two chips and two lead frames. The leads on one of the lead frames have inner leads at one end and joint sections at the other end. The joint sections are connected with another lead frame. Both lead frames use a common set of external leads. The two chips and two lead frames are joined together forming a lead-on-chip structure with the two chips facing each other back-to-back. The assembly except the external leads is enclosed by packaging material.

摘要翻译： 多芯片半导体封装结构。 该结构包括两个芯片和两个引线框架。 一个引线框架上的引线在一端具有内引线，另一端具有接头部分。 接头部分与另一个引线框架连接。 两个引线框都使用一组通用的外部引线。 两个芯片和两个引线框架连接在一起，形成了两个芯片背靠背相对的芯片上芯片结构。 除外部引线外的组件由包装材料包围。