公开(公告)号：US20060128124A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10537644

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面平面氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US20070126023A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11670332

申请日：2007-02-01

申请人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Michael Craven ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US20060008941A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10537385

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Shigemasa Matsuda ,  Michael Craven ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Shigemasa Matsuda ,  Michael Craven ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262

摘要： Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）生长高平面非极性a面GaN膜。 所得到的膜适合于通过各种生长技术的后续装置再生长

公开(公告)号：US20070111531A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11621482

申请日：2007-01-09

申请人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{10 11}氮化镓（GaN），（2）{10 22}氮化镓 “100”蓝宝石衬底，以及（4）在{1 100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）

公开(公告)号：US20060205199A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11372914

申请日：2006-03-10

申请人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10{overscore (1)}1} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10{overscore (1)}3} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11{overscore (2)}2} gallium nitride (GaN) grown on a {1{overscore (1)}00} sapphire substrate, and (4) {11{overscore (1)}3} gallium nitride (GaN) grown on a {1{overscore (1)}00} sapphire substrate

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在{100}尖晶石衬底上生长的（10）{（氮化镓）氮化镓（GaN）（2）{10 {超（13）氮化镓（GaN） 在{110}尖晶石衬底上生长，（3）在{1 {超（100）蓝宝石衬底上生长的{11（超（22）个氮化镓（GaN））和（4）{11 {超（13） （GaN）生长在{1 {超（100）蓝宝石衬底上

公开(公告)号：US20070218703A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05D3/12 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地对基片进行杂交，将基底加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基底，沉积In x 在加热的衬底上的N-X成核层，在In N x Ga 1-x N成核层上沉积半极性氮化物半导体薄膜，并冷却 底物在氮气过压下。

公开(公告)号：US20070093073A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11444946

申请日：2006-06-01

申请人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US20050214992A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11123805

申请日：2005-05-06

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0312 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/938

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US20050245095A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US11140893

申请日：2005-05-31

申请人： Benjamin Haskell ,  Melvin McLaurin ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Melvin McLaurin ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

摘要： A method of growing highly planar, fully transparent and specular m-plane gallium nitride (GaN) films. The method provides for a significant reduction in structural defect densities via a lateral overgrowth technique. High quality, uniform, thick m-plane GaN films are produced for use as substrates for polarization-free device growth.

摘要翻译： 生长高度平面，完全透明和镜面的m面氮化镓（GaN）膜的方法。 该方法通过侧向过度生长技术显着降低结构缺陷密度。 制造高品质，均匀，厚的m面GaN膜用作无极化器件生长的衬底。

公开(公告)号：US20070184637A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11697457

申请日：2007-04-06

申请人： Benjamin Haskell ,  Melvin McLaurin ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin Haskell ,  Melvin McLaurin ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method of growing highly planar, fully transparent and specular m-plane gallium nitride (GaN) films. The method provides for a significant reduction in structural defect densities via a lateral overgrowth technique. High quality, uniform, thick m-plane GaN films are produced for use as substrates for polarization-free device growth.

摘要翻译： 生长高度平面，完全透明和镜面的m面氮化镓（GaN）膜的方法。 该方法通过侧向过度生长技术显着降低结构缺陷密度。 制造高品质，均匀，厚的m面GaN膜用作无极化器件生长的衬底。