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    Nitrogen rich barrier layers and methods of fabrication thereof
    4.
    发明授权
    Nitrogen rich barrier layers and methods of fabrication thereof 有权
    富氮阻挡层及其制造方法

    公开(公告)号：US07229918B2

    公开(公告)日：2007-06-12

    申请号：US11057631

    申请日：2005-02-14

    申请人： Bum Ki Moon

    发明人： Bum Ki Moon

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L2221/1078

    摘要： Methods of forming barrier layers and structures thereof are disclosed. A nitrogen rich region is formed at a top surface of a barrier layer by exposing the barrier layer to a nitridation treatment. The nitrogen rich region increases the oxidation resistance of the barrier layer. The barrier layers have improved diffusion barrier properties. A stack of barrier layers may be formed, with one or more of the barrier layers in the stack being exposed to a nitridation treatment.

    摘要翻译： 公开了形成阻挡层的方法及其结构。 通过将阻挡层暴露于氮化处理，在阻挡层的顶表面上形成富氮区域。 富氮区增加了阻挡层的抗氧化性。 阻挡层具有改善的扩散阻挡性能。 可以形成一叠阻挡层，其中堆叠中的一个或多个阻挡层暴露于氮化处理。

    Barrier stack with improved barrier properties
    5.
    发明授权
    Barrier stack with improved barrier properties 失效
    阻隔层具有改善的阻隔性能

    公开(公告)号：US07009230B2

    公开(公告)日：2006-03-07

    申请号：US10604323

    申请日：2003-07-10

    申请人： Bum Ki Moon ,  Gerhard Beitel ,  Nicolas Nagel ,  Andreas Hilliger ,  Koji Yamakawa ,  Keitaro Imai

    发明人： Bum Ki Moon ,  Gerhard Beitel ,  Nicolas Nagel ,  Andreas Hilliger ,  Koji Yamakawa ,  Keitaro Imai

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

    摘要： An improved barrier stack for inhibiting diffusion of atoms or molecules, such as O2 is disclosed. The barrier stack is particularly useful in capacitor over plug structures to prevent plug oxidation which can adversely impact the reliability of the structures. The barrier stack includes first and second barrier layers. In one embodiment, the first barrier layer comprises first and second sub-barrier layers having mismatched grain boundaries. The sub-barrier layers are selected from, for example, Ir, Ru, Pd, Rh, or alloys thereof. By providing mismatched grain boundaries, the interface of the sub-barrier layers block the diffusion path of oxygen. To further enhance the barrier properties, the first barrier layer is passivated with O2 using, for example, a rapid thermal oxidation. The RTO forms a thin oxide layer on the surface of the first barrier layer. The oxide layer can advantageously promote mismatching of the grain boundaries of the first and second sub-barrier layer. The second barrier layer comprises a conductive oxide.

    摘要翻译： 公开了用于抑制原子或分子扩散的改进的阻挡层，例如O 2。 势垒堆叠在电容器超过插塞结构中特别有用，以防止插塞氧化，这可能不利地影响结构的可靠性。 阻挡层包括第一和第二阻挡层。 在一个实施例中，第一阻挡层包括具有失配的晶界的第一和第二子阻挡层。 亚阻挡层选自例如Ir，Ru，Pd，Rh或其合金。 通过提供错配的晶界，子阻挡层的界面阻挡氧的扩散路径。 为了进一步增强阻挡性能，使用例如快速热氧化，第一阻挡层用O 2 2钝化。 RTO在第一阻挡层的表面上形成薄的氧化物层。 氧化物层可以有利地促进第一和第二子阻挡层的晶界的失配。 第二阻挡层包括导电氧化物。

    Capacitors in integrated circuits and methods of fabrication thereof
    7.
    发明授权
    Capacitors in integrated circuits and methods of fabrication thereof 有权
    集成电路中的电容器及其制造方法

    公开(公告)号：US08618635B2

    公开(公告)日：2013-12-31

    申请号：US12913550

    申请日：2010-10-27

    申请人： Sunoo Kim ,  Moosung Chae ,  Bum Ki Moon

    发明人： Sunoo Kim ,  Moosung Chae ,  Bum Ki Moon

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L28/87 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90 ,  H01L28/92 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： In one embodiment, a capacitor includes a first via level having first metal bars and first vias, such that the first metal bars are coupled to a first potential node. The first metal bars are longer than the first vias. Second metal bars and second vias are disposed in a second via level, the second metal bars are coupled to the first potential node. The second metal bars are longer than the second vias. The second via level is above the first via level and the first metal bars are parallel to the second metal bars. Each of the first metal bars has a first end, an opposite second end, and a middle portion between the first and the second ends. Each of the middle portions of the first metal bars and the second ends of the first metal bars do not contact any metal line.

    摘要翻译： 在一个实施例中，电容器包括具有第一金属棒和第一通孔的第一通孔级，使得第一金属棒耦合到第一电位节点。 第一金属条比第一通孔长。 第二金属棒和第二通孔设置在第二通孔级中，第二金属棒耦合到第一电位节点。 第二金属棒比第二通孔长。 第二通孔电平高于第一通孔电平，第一金属棒平行于第二金属棒。 每个第一金属棒具有第一端，相对的第二端和在第一端和第二端之间的中间部分。 第一金属棒的中间部分和第一金属棒的第二端不接触任何金属线。