公开(公告)号：US20070026647A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11245208

申请日：2005-10-07

申请人： Chi-Ming Chang ,  Jung-Fang Chang ,  Hung-Tse Chen ,  Te-Chi Wong

发明人： Chi-Ming Chang ,  Jung-Fang Chang ,  Hung-Tse Chen ,  Te-Chi Wong

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02667 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022

摘要： A method for forming a polycrystalline silicon thin film, comprising steps of: providing a substrate; forming an amorphous silicon thin film on the substrate; and inducing a plurality of eddy currents to heat up the substrate such that the amorphous silicon thin-film is annealed to form the polycrystalline silicon thin film.

摘要翻译： 一种形成多晶硅薄膜的方法，包括以下步骤：提供基板; 在所述基板上形成非晶硅薄膜; 并且引起多个涡流以加热衬底，使得非晶硅薄膜退火以形成多晶硅薄膜。

公开(公告)号：US20070077735A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11395215

申请日：2006-04-03

申请人： I-Hsuan Peng ,  Chin-Jen Huang ,  Liang-Tang Wang ,  Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong

发明人： I-Hsuan Peng ,  Chin-Jen Huang ,  Liang-Tang Wang ,  Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B25/105 ,  C23C16/24 ,  C23C16/507 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

摘要： A low temperature poly-silicon thin film element, method of making poly-silicon thin film by direct deposition at low temperature, and the inductively-coupled plasma chemical vapor deposition equipment utilized, wherein the poly-silicon material is induced to crystallize into a poly-silicon thin film at low temperature by means of high density plasma and substrate bias voltage. Furthermore, the atom structure of the poly-silicon thin film is aligned in regular arrangement by making use of the induction layer having optimal orientation and lattice constant close to that of the silicon, thus raising the crystallization quality of the poly-silicon thin film and reducing the thickness of the incubation layer.

摘要翻译： 低温多晶硅薄膜元件，通过在低温下直接沉积制造多晶硅薄膜的方法，以及所用的电感耦合等离子体化学气相沉积设备，其中所述多晶硅材料被诱导结晶成聚 硅薄膜在低温下通过高密度等离子体和衬底偏置电压。 此外，通过利用具有接近于硅的最佳取向和晶格常数的感应层，多数硅薄膜的原子结构以规则的排列排列，从而提高多晶硅薄膜的结晶质量， 减少孵育层的厚度。

公开(公告)号：US20100080977A1

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：US12630204

申请日：2009-12-03

申请人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

发明人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

IPC分类号： B32B3/00

CPC分类号： H01L29/78603 ,  B32B3/085 ,  B32B3/20 ,  B32B3/266 ,  B32B5/16 ,  B32B5/18 ,  B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/16 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/14 ,  B32B2250/40 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/205 ,  B32B2264/102 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/704 ,  B32B2457/20 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/529 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249975 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/31678

摘要： The prevent invention discloses a structure of thermal resistive layer and the method of forming the same. The thermal resistive structures, formed on a plastic substrate, comprises a porous layer, formed on said plastic substrate, including a plurality of oxides of hollow structure, and a buffer layer, formed on said porous layer, wherein said porous layer can protect said plastic substrate from damage caused by the heat generated during manufacturing process. With the structure and method disclosed above, making a thin film transistor and forming electronic devices on the plastic substrate in the technology of Low Temperature PolySilicon, i.e. LTPS, without changing any parameters is easy to carry out.

摘要翻译： 本发明公开了一种耐热层的结构及其形成方法。 形成在塑料基板上的热电阻结构包括形成在所述塑料基板上的多孔层，所述多孔层包括多个中空结构的氧化物和形成在所述多孔层上的缓冲层，其中所述多孔层可以保护所述塑料 基板由制造过程中产生的热量造成的损坏。 利用上述结构和方法，在不改变任何参数的情况下，在低温多硅（即LTPS）的技术中，在塑料基板上制造薄膜晶体管并形成电子器件容易进行。

公开(公告)号：US08029890B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12630204

申请日：2009-12-03

申请人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

发明人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

IPC分类号： B32B3/26

CPC分类号： H01L29/78603 ,  B32B3/085 ,  B32B3/20 ,  B32B3/266 ,  B32B5/16 ,  B32B5/18 ,  B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/16 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/14 ,  B32B2250/40 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/205 ,  B32B2264/102 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/704 ,  B32B2457/20 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/529 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249975 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/31678

摘要： The prevent invention discloses a structure of thermal resistive layer and the method of forming the same. The thermal resistive structures, formed on a plastic substrate, comprises a porous layer, formed on said plastic substrate, including a plurality of oxides of hollow structure, and a buffer layer, formed on said porous layer, wherein said porous layer can protect said plastic substrate from damage caused by the heat generated during manufacturing process. With the structure and method disclosed above, making a thin film transistor and forming electronic devices on the plastic substrate in the technology of Low Temperature PolySilicon, i.e. LTPS, without changing any parameters is easy to carry out.

摘要翻译： 本发明公开了一种耐热层的结构及其形成方法。 形成在塑料基板上的热电阻结构包括形成在所述塑料基板上的多孔层，所述多孔层包括多个中空结构的氧化物和形成在所述多孔层上的缓冲层，其中所述多孔层可以保护所述塑料 基板由制造过程中产生的热量造成的损坏。 利用上述结构和方法，在不改变任何参数的情况下，在低温多硅（即LTPS）的技术中，在塑料基板上制造薄膜晶体管并形成电子器件容易进行。

公开(公告)号：US20060093807A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US11023569

申请日：2004-12-29

申请人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

发明人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

IPC分类号： B32B3/26 ,  B32B3/00

CPC分类号： H01L29/78603 ,  B32B3/085 ,  B32B3/20 ,  B32B3/266 ,  B32B5/16 ,  B32B5/18 ,  B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/16 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/14 ,  B32B2250/40 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/205 ,  B32B2264/102 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/704 ,  B32B2457/20 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/529 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249975 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/31678

摘要： The prevent invention discloses a structure of thermal resistive layer and the method of forming the same. The thermal resistive structures, formed on a plastic substrate, comprises a porous layer, formed on said plastic substrate, including a plurality of oxides of hollow structure, and a buffer layer, formed on said porous layer, wherein said porous layer can protect said plastic substrate from damage caused by the heat generated during manufacturing process. With the structure and method disclosed above, making a thin film transistor and forming electronic devices on the plastic substrate in the technology of Low Temperature PolySilicon, i.e. LTPS, without changing any parameters is easy to carry out.

摘要翻译： 本发明公开了一种耐热层的结构及其形成方法。 形成在塑料基板上的热电阻结构包括形成在所述塑料基板上的多孔层，所述多孔层包括多个中空结构的氧化物和形成在所述多孔层上的缓冲层，其中所述多孔层可以保护所述塑料 基板由制造过程中产生的热量造成的损坏。 利用上述结构和方法，在不改变任何参数的情况下，在低温多硅（即LTPS）的技术中，在塑料基板上制造薄膜晶体管并形成电子器件容易进行。

公开(公告)号：US20110297550A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13213892

申请日：2011-08-19

申请人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

发明人： Jung-Fang Chang ,  Te-Chi Wong ,  Chien-Te Hsieh ,  Chin-Jen Huang ,  Yu-Hung Chen

IPC分类号： C25D5/56

CPC分类号： H01L29/78603 ,  B32B3/085 ,  B32B3/20 ,  B32B3/266 ,  B32B5/16 ,  B32B5/18 ,  B32B15/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/16 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/14 ,  B32B2250/40 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/205 ,  B32B2264/102 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/704 ,  B32B2457/20 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/529 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249975 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/31678

摘要： The prevent disclosure discloses a structure of thermal resistive layer and the method of forming the same. The thermal resistive structures, formed on a plastic substrate, comprises a porous layer, formed on said plastic substrate, including a plurality of oxides of hollow structure, and a buffer layer, formed on said porous layer, wherein said porous layer can protect said plastic substrate from damage caused by the heat generated during manufacturing process. With the structure and method disclosed above, making a thin film transistor and forming electronic devices on the plastic substrate in the technology of Low Temperature PolySilicon, i.e. LTPS, without changing any parameters is possible.

摘要翻译： 防止公开内容公开了耐热层的结构及其形成方法。 形成在塑料基板上的热电阻结构包括形成在所述塑料基板上的多孔层，所述多孔层包括多个中空结构的氧化物和形成在所述多孔层上的缓冲层，其中所述多孔层可以保护所述塑料 基板由制造过程中产生的热量造成的损坏。 利用上述结构和方法，在不改变任何参数的情况下，在低温多硅（即LTPS）的技术中制造薄膜晶体管并在塑料基板上形成电子器件是可能的。

公开(公告)号：US20070004308A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11517357

申请日：2006-09-08

申请人： Jung-Fang Chang ,  Chich-Shang Chang ,  Chi-Lin Chen

发明人： Jung-Fang Chang ,  Chich-Shang Chang ,  Chi-Lin Chen

IPC分类号： H01J9/24 ,  H01J9/32

CPC分类号： H01J9/241 ,  G02F1/133305 ,  G02F2001/13613 ,  H01J2217/492

摘要： A method for manufacturing a flexible panel is disclosed, which has the following steps. First, a first substrate having a plurality of functional switches or conducting lines thereon is provided. Then, a second substrate is bonded on the functional switches or conducting lines, and the first substrate is thinned to a predetermined thickness subsequently. Afterwards, a flexible third substrate is adhered on the first substrate, wherein the first substrate is sandwiched between the second substrate and the third substrate. Finally, the second substrate is removed.

公开(公告)号：US20120119211A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13288579

申请日：2011-11-03

申请人： Hsin-Hung Lin ,  Jung-Fang Chang ,  Ker-Yih Kao

发明人： Hsin-Hung Lin ,  Jung-Fang Chang ,  Ker-Yih Kao

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/441 ,  H01L21/47 ,  H01L21/471 ,  H01L21/47573 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a thin film transistor including a gate electrode on a substrate. A gate dielectric layer is disposed on the gate electrode and the substrate, and source/drain electrodes are disposed on the gate dielectric layer overlying two edge parts of the gate electrode. A channel layer is disposed on the gate dielectric layer overlying a center part of the gate electrode, and the channel region contacts the source/drain electrodes. An insulating capping layer overlies the channel layer, wherein the channel layer includes an oxide semiconductor.

摘要翻译： 公开了一种在基板上包括栅电极的薄膜晶体管。 栅极电介质层设置在栅电极和衬底上，源极/漏电极设置在覆盖栅电极的两个边缘部分的栅极电介质层上。 沟道层设置在覆盖栅极电极的中心部分的栅极电介质层上，沟道区域与源极/漏极接触。 绝缘覆盖层覆盖在沟道层上，其中沟道层包括氧化物半导体。

公开(公告)号：US20090269874A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12487657

申请日：2009-06-19

申请人： Chin-Jen Huang ,  Jung-Fang Chang ,  Yih-Rong Luo ,  Yu-Hung Chen

发明人： Chin-Jen Huang ,  Jung-Fang Chang ,  Yih-Rong Luo ,  Yu-Hung Chen

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L51/56 ,  G02F1/133305 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5253 ,  H01L2227/326 ,  Y02E10/549

摘要： In a method for fabricating a flexible pixel array substrate, first, a release layer is formed on a rigid substrate. Next, on the release layer, a polymer film is formed, the adhesive strength between the rigid substrate and the release layer being higher than that between the release layer and the polymer film. The polymer film is formed by spin coating a polymer monomer and performing a curing process to form a polymer layer. Afterwards, a pixel array is formed on the polymer film. The polymer film with the pixel array formed thereon is separated from the rigid substrate.

摘要翻译： 在柔性像素阵列基板的制造方法中，首先，在刚性基板上形成剥离层。 接着，在剥离层上形成聚合物膜，刚性基材和剥离层之间的粘合强度高于剥离层与聚合物膜之间的粘合强度。 聚合物膜通过旋涂聚合物单体并进行固化过程以形成聚合物层而形成。 之后，在聚合物膜上形成像素阵列。 其上形成有像素阵列的聚合物膜与刚性基板分离。

公开(公告)号：US20070105373A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11270862

申请日：2005-11-09

申请人： Liang-Tang Wang ,  Chi-Lin Chen ,  I-Hsuan Peng ,  Jung-Fang Chang ,  Chin-Jen Huang

发明人： Liang-Tang Wang ,  Chi-Lin Chen ,  I-Hsuan Peng ,  Jung-Fang Chang ,  Chin-Jen Huang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1214

摘要： A method for forming a polysilicon film in a plasma-assisted chemical vapor deposition (CVD) system including a chamber in which a first electrode and a second electrode spaced apart from the first electrode are provided comprises providing a substrate on the second electrode, the substrate including a surface exposed to the first electrode, applying a first power to the first electrode for generating a plasma in the chamber, applying a second power to the second electrode during a nucleation stage of the polysilicon film for ion bombarding the surface of the substrate, and flowing an erosive gas into the chamber.

摘要翻译： 一种在等离子体辅助化学气相沉积（CVD）系统中形成多晶硅膜的方法，包括：设置有与第一电极间隔开的第一电极和第二电极的腔室，包括在第二电极上设置衬底， 包括暴露于第一电极的表面，向第一电极施加第一功率以在腔室中产生等离子体，在用于离子轰击衬底表面的多晶硅膜的成核阶段期间向第二电极施加第二功率， 并将侵蚀性气体流入室内。