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    Method for forming a semiconductor device having a silicide layer
    1.
    发明授权
    Method for forming a semiconductor device having a silicide layer 有权
    用于形成具有硅化物层的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07235471B2

    公开(公告)日：2007-06-26

    申请号：US10854389

    申请日：2004-05-26

    申请人： Dharmesh Jawarani ,  Tab A. Stephens

    发明人： Dharmesh Jawarani ,  Tab A. Stephens

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/66507 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32155 ,  H01L29/6659

    摘要： A method for forming a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate, forming an insulating layer over the semiconductor substrate, forming a conductive layer over the insulating layer, forming a first metal silicide layer over the conductive layer, patterning the conductive layer to form a patterned first layer, wherein the patterned first layer is a part of a control electrode, patterning the first metal silicide layer to form a patterned first metal silicide layer over the control electrode so that the patterned first metal silicide layer remains over the control electrode, and forming a second metal silicide over the patterned metal silicide layer, wherein the second metal silicide layer has a thickness greater than the thickness of first metal silicide layer.

    摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层上形成导电层，在导电层上形成第一金属硅化物层，图案化导电层以形成图案化 第一层，其中图案化的第一层是控制电极的一部分，图案化第一金属硅化物层以在控制电极上形成图案化的第一金属硅化物层，使得图案化的第一金属硅化物层保留在控制电极上方，并且形成 在所述图案化金属硅化物层上方的第二金属硅化物，其中所述第二金属硅化物层的厚度大于所述第一金属硅化物层的厚度。

    METHOD OF FORMING A FINFET AND STRUCTURE
    4.
    发明申请
    METHOD OF FORMING A FINFET AND STRUCTURE 有权
    形成FINFET和结构的方法

    公开(公告)号：US20090294919A1

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：US12130158

    申请日：2008-05-30

    申请人： Tab A. Stephens ,  Leo Mathew ,  Lakshmanna Vishnubholta ,  Bruce E. White

    发明人： Tab A. Stephens ,  Leo Mathew ,  Lakshmanna Vishnubholta ,  Bruce E. White

    IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

    摘要： A method for processing a substrate comprising at least a buried oxide (BOX) layer and a semiconductor material layer is provided. The method includes etching the semiconductor material layer to form a vertical semiconductor material structure overlying the BOX layer, leaving an exposed portion of the BOX layer. The method further includes exposing a top surface of the exposed portion of the BOX layer to an oxide etch resistant species to form a thin oxide etch resistant layer overlying the exposed portion of the BOX layer.

    摘要翻译： 提供一种用于处理至少包括掩埋氧化物（BOX）层和半导体材料层的衬底的方法。 该方法包括蚀刻半导体材料层以形成覆盖BOX层的垂直半导体材料结构，留下BOX层的暴露部分。 该方法还包括将BOX层的暴露部分的顶表面暴露于抗氧化物蚀刻物质以形成覆盖BOX层的暴露部分的薄氧化物耐蚀刻层。

    ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A SEMICONDUCTOR FIN HAVING A PLURALITY OF GATE ELECTRODES AND A PROCESS FOR FORMING THE ELECTRONIC DEVICE
    5.
    发明申请
    ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A SEMICONDUCTOR FIN HAVING A PLURALITY OF GATE ELECTRODES AND A PROCESS FOR FORMING THE ELECTRONIC DEVICE 有权
    包括具有大量门电极的半导体器件的电子器件和用于形成电子器件的工艺

    公开(公告)号：US20080185654A1

    公开(公告)日：2008-08-07

    申请号：US11670833

    申请日：2007-02-02

    申请人： Leo Mathew ,  Brian J. Goolsby ,  Tab A. Stephens

    发明人： Leo Mathew ,  Brian J. Goolsby ,  Tab A. Stephens

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

    摘要： An electronic device can include a semiconductor fin with a first gate electrode adjacent to a first wall, and a second gate electrode adjacent to a second wall. In one embodiment, a conductive member can be formed overlying the semiconductor fin, and a portion of the conductive member can be reacted to form the first and second gate electrodes. In another embodiment, a patterned masking layer can be formed including a masking member over a gate electrode layer, and portion of the masking member overlying the semiconductor fin can be removed. In still another embodiment, a first fin-type transistor structure can include the semiconductor fin, the first and second gate electrodes, and a first insulating cap. The electronic device can also include a second fin-type transistor structure having a second insulating cap thicker than the first insulating cap.

    摘要翻译： 电子设备可以包括具有与第一壁相邻的第一栅电极和与第二壁相邻的第二栅电极的半导体鳍。 在一个实施例中，可以形成覆盖半导体鳍片的导电构件，并且导电构件的一部分可以反应以形成第一和第二栅电极。 在另一个实施例中，可以形成图案化掩模层，其包括在栅极电极层上的掩模构件，并且可以去除覆盖在半导体鳍片上的掩蔽构件的部分。 在另一个实施例中，第一鳍式晶体管结构可以包括半导体鳍片，第一和第二栅电极以及第一绝缘帽。 电子器件还可以包括具有比第一绝缘盖更厚的第二绝缘帽的第二鳍式晶体管结构。

    Method of forming a semiconductor device having a metal layer
    6.
    发明授权
    Method of forming a semiconductor device having a metal layer 有权
    形成具有金属层的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07208424B2

    公开(公告)日：2007-04-24

    申请号：US10943383

    申请日：2004-09-17

    申请人： Tab A. Stephens ,  Brian J. Goolsby ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

    发明人： Tab A. Stephens ,  Brian J. Goolsby ,  Bich-Yen Nguyen ,  Voon-Yew Thean

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/785 ,  Y10S438/963

    摘要： A metal layer is formed over a metal oxide, where the metal oxide is formed over a semiconductor substrate. A predetermined critical dimension of the metal layer is determined. A first etch is performed to etch the metal layer down to the metal oxide and form footings at the sidewalls of the metal layer. A second etch to remove the footings to target a predetermined critical dimension, wherein the second etch is selective to the metal oxide. In one embodiment, a conductive layer is formed over the metal layer. The bulk of the conductive layer may be etched leaving a portion in contact with the metal layer. Next, the portion left in contact with the metal layer may be etched using chemistry selective to the metal layer.

    摘要翻译： 在金属氧化物之上形成金属层，其中在半导体衬底上形成金属氧化物。 确定金属层的预定临界尺寸。 执行第一蚀刻以将金属层向下蚀刻到金属氧化物并在金属层的侧壁处形成基脚。 用于移除基脚以靶向预定临界尺寸的第二蚀刻，其中第二蚀刻对金属氧化物是选择性的。 在一个实施例中，在金属层上形成导电层。 可以蚀刻导电层的主体，留下与金属层接触的部分。 接下来，可以使用化学选择性地蚀刻与金属层接触的部分。