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    SOLAR CELL FABRICATION BY NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
    1.
    发明申请
    SOLAR CELL FABRICATION BY NANOIMPRINT LITHOGRAPHY 审中-公开
    太阳能电池制造NANOIMPRINT LITHOGRAPHY

    公开(公告)号：US20110180127A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US13016006

    申请日：2011-01-28

    申请人： Fen Wan ,  Shuqiang Yang ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Edward Brian Fletcher ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Michael N. Miller ,  Darren D. Donaldson

    发明人： Fen Wan ,  Shuqiang Yang ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Edward Brian Fletcher ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Michael N. Miller ,  Darren D. Donaldson

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L51/4213 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/442 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549

    摘要： Fabricating a solar cell stack includes forming a nanopatterned polymeric layer on a first surface of a silicon wafer and etching the first surface of the silicon wafer to transfer a pattern of the nanopatterned polymeric layer to the first surface of the silicon wafer. A layer of reflective electrode material is formed on a second surface of the silicon wafer. The nanopatterned first surface of the silicon wafer undergoes a buffered oxide etching. After the buffered oxide etching, the nanopatterned first surface of the silicon wafer is treated to decrease a contact angle of water on the nanopatterned first surface. Electron donor material is deposited on the nanopatterned first surface of the silicon wafer to form an electron donor layer, and a transparent electrode material is deposited on the electron donor layer to form a transparent electrode layer on the electron donor layer.

    摘要翻译： 制造太阳能电池堆包括在硅晶片的第一表面上形成纳米图案的聚合物层并蚀刻硅晶片的第一表面以将纳米图案化的聚合物层的图案转移到硅晶片的第一表面。 在硅晶片的第二表面上形成反射电极材料层。 硅晶片的纳米图案化的第一表面经历缓冲氧化物蚀刻。 在缓冲氧化物蚀刻之后，处理硅晶片的纳米图案化的第一表面以降低纳米图案化的第一表面上的水的接触角。 电子给体材料沉积在硅晶片的纳米图案化的第一表面上以形成电子供体层，并且在电子给体层上沉积透明电极材料，以在电子给体层上形成透明电极层。