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    SOLAR CELL FABRICATION BY NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
    1.
    发明申请
    SOLAR CELL FABRICATION BY NANOIMPRINT LITHOGRAPHY 审中-公开
    太阳能电池制造NANOIMPRINT LITHOGRAPHY

    公开(公告)号：US20110180127A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US13016006

    申请日：2011-01-28

    申请人： Fen Wan ,  Shuqiang Yang ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Edward Brian Fletcher ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Michael N. Miller ,  Darren D. Donaldson

    发明人： Fen Wan ,  Shuqiang Yang ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Edward Brian Fletcher ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Michael N. Miller ,  Darren D. Donaldson

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L51/4213 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/442 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549

    摘要： Fabricating a solar cell stack includes forming a nanopatterned polymeric layer on a first surface of a silicon wafer and etching the first surface of the silicon wafer to transfer a pattern of the nanopatterned polymeric layer to the first surface of the silicon wafer. A layer of reflective electrode material is formed on a second surface of the silicon wafer. The nanopatterned first surface of the silicon wafer undergoes a buffered oxide etching. After the buffered oxide etching, the nanopatterned first surface of the silicon wafer is treated to decrease a contact angle of water on the nanopatterned first surface. Electron donor material is deposited on the nanopatterned first surface of the silicon wafer to form an electron donor layer, and a transparent electrode material is deposited on the electron donor layer to form a transparent electrode layer on the electron donor layer.

    摘要翻译： 制造太阳能电池堆包括在硅晶片的第一表面上形成纳米图案的聚合物层并蚀刻硅晶片的第一表面以将纳米图案化的聚合物层的图案转移到硅晶片的第一表面。 在硅晶片的第二表面上形成反射电极材料层。 硅晶片的纳米图案化的第一表面经历缓冲氧化物蚀刻。 在缓冲氧化物蚀刻之后，处理硅晶片的纳米图案化的第一表面以降低纳米图案化的第一表面上的水的接触角。 电子给体材料沉积在硅晶片的纳米图案化的第一表面上以形成电子供体层，并且在电子给体层上沉积透明电极材料，以在电子给体层上形成透明电极层。

    NANO-PATTERNED ACTIVE LAYERS FORMED BY NANO-IMPRINT LITHOGRAPHY
    8.
    发明申请
    NANO-PATTERNED ACTIVE LAYERS FORMED BY NANO-IMPRINT LITHOGRAPHY 审中-公开
    由纳米印刷图形成的纳米图形活性层

    公开(公告)号：US20100090341A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12578286

    申请日：2009-10-13

    申请人： Fen Wan ,  Frank Y. Xu ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Shuqiang Yang

    发明人： Fen Wan ,  Frank Y. Xu ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Shuqiang Yang

    IPC分类号： H01L23/50 ,  H01L21/3205

    CPC分类号： H01L51/0003 ,  H01L51/0006 ,  H01L51/0015 ,  H01L2251/105 ,  Y02E10/549

    摘要： Patterned active layers formed by nano-imprint lithography for use in devices such as photovoltaic cells and hybrid solar cells. One such photovoltaic cell includes a first electrode and a first electrically conductive layer electrically coupled to the first electrode. The first conductive layer has a multiplicity of protrusions and recesses formed by a nano-imprint lithography process. A second electrically conductive layer substantially fills the recesses and covers the protrusions of the first conductive layer, and a second electrode is electrically coupled to the second conductive layer. A circuit electrically connects the first electrode and the second electrode.

    摘要翻译： 通过纳米压印光刻形成的图案化有源层用于诸如光伏电池和混合太阳能电池的器件中。 一个这样的光伏电池包括电耦合到第一电极的第一电极和第一导电层。 第一导电层具有通过纳米压印光刻工艺形成的多个突起和凹陷。 第二导电层基本上填充凹部并覆盖第一导电层的突起，并且第二电极电耦合到第二导电层。 电路电连接第一电极和第二电极。