Second bond positioning wire bonder
    1.
    发明授权
    Second bond positioning wire bonder 失效
    二次定位接线机

    公开(公告)号:US4073424A

    公开(公告)日:1978-02-14

    申请号:US715042

    申请日:1976-08-17

    IPC分类号: H01L21/60 H01L21/603

    摘要: An apparatus for automatically positioning a wire bonding machine at a second bond position is provided with a plurality of individually adjustable second bond positioning devices set at second bond positions and cooperable with second bond positioning actuating means. After positioning a semiconductor at a first bond position and completing a first bond, the second bond actuating means cooperating with a second bond positioning device automatically moves the semiconductor to a second bond position. After completing the second bond, the second bond positioning actuating means is released permitting the semiconductor to return to a first bond position as another second bond positioning device is cycled into active position.

    摘要翻译: 一种用于在第二接合位置自动定位引线接合机的设备设置有多个可单独调节的第二接合定位装置,其设置在第二接合位置处并与第二接合定位致动装置配合。 在将半导体定位在第一接合位置并完成第一接合之后,与第二接合定位装置配合的第二接合致动装置自动将半导体移动到第二接合位置。 在完成第二接合之后,第二接合定位致动装置被释放,允许半导体返回到第一接合位置,因为另一第二接合定位装置循环到主动位置。

    Method and apparatus for cleaving semiconductor wafers
    7.
    发明授权
    Method and apparatus for cleaving semiconductor wafers 失效
    用于切割半导体晶片的方法和装置

    公开(公告)号:US5740953A

    公开(公告)日:1998-04-21

    申请号:US193188

    申请日:1994-05-17

    摘要: A method and apparatus are described for cleaving a relatively thin semiconductor wafer for inspecting a target feature on a workface thereof by: producing, on a first lateral face of the semiconductor wafer, laterally of the workface on one side of the target feature, an indentation in alignment with the target feature; and inducing by impact, in a second lateral face of the semiconductor wafer, laterally of the workface on the opposite side of the target feature, a shock wave substantially in alignment with the target feature and the indentation on the first lateral face, to split the semiconductor wafer along a cleavage plane essentially coinciding with the target feature and the indentation.

    摘要翻译: PCT No.PCT / EP92 / 01867 Sec。 371日期:1994年5月17日 102(e)日期1994年5月17日PCT提交1992年8月14日PCT公布。 公开号WO93 / 04497 日期1993年3月4日描述了一种方法和装置,用于通过以下步骤来切割用于检查其工作面上的目标特征的相对薄的半导体晶片:在半导体晶片的第一侧面上,在 目标特征,与目标特征对齐的缩进; 并且通过冲击在所述半导体晶片的第二侧面中在所述目标特征的相对侧上的所述工作面的横向上引入基本上与所述目标特征和所述第一侧面上的所述凹陷对准的冲击波, 半导体晶片沿着解理平面基本上与目标特征和凹陷重合。