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    Methods of manufacturing a capacitor including a cavity containing a buried layer
    3.
    发明申请
    Methods of manufacturing a capacitor including a cavity containing a buried layer 审中-公开
    制造包括埋藏层的空腔的电容器的方法

    公开(公告)号：US20060138511A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：US11360070

    申请日：2006-02-23

    申请人： Suk-jin Chung ,  Wan-don Kim ,  Cha-young Yoo ,  Kwang-hee Lee ,  Han-jin Lim ,  Jin-il Lee

    发明人： Suk-jin Chung ,  Wan-don Kim ,  Cha-young Yoo ,  Kwang-hee Lee ,  Han-jin Lim ,  Jin-il Lee

    IPC分类号： H01L29/94

    CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

    摘要： Capacitors include an integrated circuit (semiconductor) substrate and an interlayer dielectric disposed on the integrated circuit substrate and including a metal plug therein. A lower electrode is disposed on the interlayer dielectric and contacting the metal plug. The lower electrode includes a cavity therein and a buried layer in the cavity. The buried layer is an oxygen absorbing material. A dielectric layer disposed on the lower electrode and an upper electrode is disposed on the dielectric layer. The lower electrode may be a noble metal layer. The buried layer may fill in the cavity and may not contain oxygen (O2) when initially formed.

    摘要翻译： 电容器包括集成电路（半导体）基板和布置在集成电路基板上并且在其中包括金属插塞的层间电介质。 下部电极设置在层间电介质上并接触金属插塞。 下电极在其中包括空腔，并且在腔中包括掩埋层。 掩埋层是吸氧材料。 设置在下电极上的电介质层和上电极设置在电介质层上。 下电极可以是贵金属层。 当初始形成时，掩埋层可以填充空腔并且可以不含有氧（O 2 2 N）。

    Capacitors including a cavity containing a buried layer
    5.
    发明授权
    Capacitors including a cavity containing a buried layer 有权
    电容器包括一个包含掩埋层的空腔

    公开(公告)号：US07034350B2

    公开(公告)日：2006-04-25

    申请号：US10795020

    申请日：2004-03-05

    申请人： Suk-jin Chung ,  Wan-don Kim ,  Cha-young Yoo ,  Kwang-hee Lee ,  Han-jin Lim ,  Jin-il Lee

    发明人： Suk-jin Chung ,  Wan-don Kim ,  Cha-young Yoo ,  Kwang-hee Lee ,  Han-jin Lim ,  Jin-il Lee

    IPC分类号： H01L27/108

    CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

    摘要： Capacitors include an integrated circuit (semiconductor) substrate and an interlayer dielectric disposed on the integrated circuit substrate and including a metal plug therein. A lower electrode is disposed on the interlayer dielectric and contacting the metal plug. The lower electrode includes a cavity therein and a buried layer in the cavity. The buried layer is an oxygen absorbing material. A dielectric layer disposed on the lower electrode and an upper electrode is disposed on the dielectric layer. The lower electrode may be a noble metal layer. The buried layer may fill in the cavity and may not contain oxygen (O2) when initially formed.

    摘要翻译： 电容器包括集成电路（半导体）基板和布置在集成电路基板上并且在其中包括金属插塞的层间电介质。 下部电极设置在层间电介质上并接触金属插塞。 下电极在其中包括空腔，并且在腔中包括掩埋层。 掩埋层是吸氧材料。 设置在下电极上的电介质层和上电极设置在电介质层上。 下电极可以是贵金属层。 当初始形成时，掩埋层可以填充空腔并且可以不含有氧（O 2 2 N）。

    Methods for manufacturing semiconductor memory devices
    6.
    发明授权
    Methods for manufacturing semiconductor memory devices 有权
    制造半导体存储器件的方法

    公开(公告)号：US06743678B2

    公开(公告)日：2004-06-01

    申请号：US10424959

    申请日：2003-04-28

    申请人： Kwang-hee Lee ,  Sung-tae Kim ,  Cha-young Yoo ,  Han-jin Lim ,  Wan-don Kim ,  Se-hoon Oh

    发明人： Kwang-hee Lee ,  Sung-tae Kim ,  Cha-young Yoo ,  Han-jin Lim ,  Wan-don Kim ,  Se-hoon Oh

    IPC分类号： H01L21336

    CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L28/65

    摘要： A lower electrode is formed from a first metal on a semiconductor substrate. Atoms of a second metal, that is different than the first metal, are diffused into the lower electrode. A dielectric layer is formed on the lower electrode, and an upper electrode is formed on the dielectric layer. Diffusion of second metal atoms into the lower electrode may reduce or prevent crystal grain growth and agglomeration on a surface of the lower electrode during a subsequent high temperature process.

    摘要翻译： 下电极由半导体衬底上的第一金属形成。 与第一金属不同的第二金属的原子被扩散到下电极中。 在下电极上形成介电层，在电介质层上形成上电极。 在随后的高温过程中，第二金属原子向下电极的扩散可以减少或防止下电极表面上的晶粒生长和结块。

    METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    7.
    发明申请
    METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20090124071A1

    公开(公告)日：2009-05-14

    申请号：US12270033

    申请日：2008-11-13

    申请人： Dong-chul Yoo ,  Han-mei Choi ,  Kwang-hee Lee ,  Kyong-won An ,  Cha-young Yoo

    发明人： Dong-chul Yoo ,  Han-mei Choi ,  Kwang-hee Lee ,  Kyong-won An ,  Cha-young Yoo

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/316

    CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

    摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor device. The method includes: forming a charge storage layer on a substrate on which a gate insulating layer is formed; forming a first metal oxide layer on the charge storage layer using a first reaction source including a metal oxide layer precursor and a first oxidizing agent and changing the first metal oxide layer to a second metal oxide layer using a second reaction source including a second oxidizing agent having larger oxidizing power than the first oxidizing agent and repeating the forming of the first metal oxide layer and the changing of the first metal oxide layer to the second metal oxide layer several times to form a blocking insulating layer; and forming an electrode layer on the blocking insulating layer.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括：在其上形成有栅极绝缘层的基板上形成电荷存储层; 使用包括金属氧化物层前体和第一氧化剂的第一反应源在电荷存储层上形成第一金属氧化物层，并且使用包括第二氧化剂的第二反应源将第一金属氧化物层改变为第二金属氧化物层 具有比第一氧化剂更大的氧化能力，并且重复形成第一金属氧化物层和将第一金属氧化物层改变为第二金属氧化物层数次以形成阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上形成电极层。

    Method of manufacturing semiconductor device
    8.
    发明授权
    Method of manufacturing semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07964462B2

    公开(公告)日：2011-06-21

    申请号：US12270033

    申请日：2008-11-13

    申请人： Dong-chul Yoo ,  Han-mei Choi ,  Kwang-hee Lee ,  Kyong-won An ,  Cha-young Yoo

    发明人： Dong-chul Yoo ,  Han-mei Choi ,  Kwang-hee Lee ,  Kyong-won An ,  Cha-young Yoo

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

    摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor device. The method includes: forming a charge storage layer on a substrate on which a gate insulating layer is formed; forming a first metal oxide layer on the charge storage layer using a first reaction source including a metal oxide layer precursor and a first oxidizing agent and changing the first metal oxide layer to a second metal oxide layer using a second reaction source including a second oxidizing agent having larger oxidizing power than the first oxidizing agent and repeating the forming of the first metal oxide layer and the changing of the first metal oxide layer to the second metal oxide layer several times to form a blocking insulating layer; and forming an electrode layer on the blocking insulating layer.

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括：在其上形成有栅极绝缘层的基板上形成电荷存储层; 使用包括金属氧化物层前体和第一氧化剂的第一反应源在电荷存储层上形成第一金属氧化物层，并且使用包括第二氧化剂的第二反应源将第一金属氧化物层改变为第二金属氧化物层 具有比第一氧化剂更大的氧化能力，并且重复形成第一金属氧化物层和将第一金属氧化物层改变为第二金属氧化物层数次以形成阻挡绝缘层; 以及在所述阻挡绝缘层上形成电极层。