利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

82 条记录 (耗时 0.02 秒)

    Thin film magnetic head
    4.
    发明授权
    Thin film magnetic head 失效
    薄膜磁头

    公开(公告)号：US06400537B2

    公开(公告)日：2002-06-04

    申请号：US09099683

    申请日：1998-06-18

    申请人： Hiroshi Sakakima ,  Yousuke Irie ,  Yasuhiro Kawawake ,  Mitsuo Satomi

    发明人： Hiroshi Sakakima ,  Yousuke Irie ,  Yasuhiro Kawawake ,  Mitsuo Satomi

    IPC分类号： G11B539

    CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

    摘要： A thin film magnetic head includes an upper shield section, a lower shield section and a magnetoresistance device section between the upper shield section and the lower shield section. The magnetoresistance device section is connected to the upper shield section and the lower shield section through conductive layers. Current flows through the magnetoresistance device section via the upper shield and the lower shield.

    摘要翻译： 薄膜磁头包括在上屏蔽部分和下屏蔽部分之间的上屏蔽部分，下屏蔽部分和磁阻装置部分。 磁阻器件部分通过导电层连接到上屏蔽部分和下屏蔽部分。 电流经由上屏蔽和下屏蔽流过磁阻器件部分。

    Memory element
    7.
    发明授权
    Memory element 失效
    记忆元素

    公开(公告)号：US5459687A

    公开(公告)日：1995-10-17

    申请号：US144593

    申请日：1993-10-28

    申请人： Hiroshi Sakakima ,  Mitsuo Satomi ,  Yousuke Irie

    发明人： Hiroshi Sakakima ,  Mitsuo Satomi ,  Yousuke Irie

    IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/14 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

    CPC分类号： G11C11/14

    摘要： A high performance thin film memory device uses an artificial lattice magnetoresistance effect film, and operable with a low magnetic field and room temperature; and the device has a magnetic film part M, current feed lines R and R' for generating magnetic field for information data writing-in, and an information data readout line S of an artificial lattice magnetoresistance film of a lamination structure of a metallic magnetic thin layers such as Ni--Fe--Co system and a metallic nonmagnetic thin layers such as Cu.

    摘要翻译： 高性能薄膜存储器件使用人造晶格磁阻效应膜，可在低磁场和室温下操作; 并且该器件具有磁膜部分M，用于产生用于信息数据写入的磁场的电流馈送线R和R'以及金属磁性薄片的层叠结构的人造晶格磁阻膜的信息数据读出线S 诸如Ni-Fe-Co系的层和诸如Cu的金属非磁性薄层。

    Magnetoresistive device having a highly smooth metal reflective layer
    8.
    发明授权
    Magnetoresistive device having a highly smooth metal reflective layer 失效
    具有高度光滑的金属反射层的磁阻器件

    公开(公告)号：US06535362B2

    公开(公告)日：2003-03-18

    申请号：US08979886

    申请日：1997-11-26

    申请人： Yasuhiro Kawawake ,  Hiroshi Sakakima ,  Mitsuo Satomi

    发明人： Yasuhiro Kawawake ,  Hiroshi Sakakima ,  Mitsuo Satomi

    IPC分类号： G11B5127

    CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3951 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08

    摘要： The magnetoresistive device of the present invention includes: at least two magnetic layers stacked via a non-magnetic layer therebetween; and a metal reflective layer of conduction electrons formed so as to be in contact with at least one of outermost two layers of the magnetic layers. The metal reflective layer is in contact with one surface of the outermost magnetic layer which is opposite to the other surface of the outermost magnetic layer in contact with the non-magnetic layer. The metal reflective layer is likely to reflect conduction electrons while maintaining a spin direction of electrons.

    摘要翻译： 本发明的磁阻器件包括：通过其间的非磁性层堆积的至少两个磁性层; 以及形成为与最外两层磁性层中的至少一层接触的传导电子的金属反射层。 金属反射层与最外面的磁性层的与非磁性层接触的最外面的磁性层的另一个表面相对的一个表面接触。 金属反射层可能反射传导电子同时保持电子的自旋方向。