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    Method for production of semiconductor memory devices
    1.
    发明申请
    Method for production of semiconductor memory devices 审中-公开
    半导体存储器件的制造方法

    公开(公告)号：US20070048951A1

    公开(公告)日：2007-03-01

    申请号：US11216526

    申请日：2005-08-31

    申请人： Hocine Boubekeur ,  Dominik Olligs ,  Torsten Mueller ,  Christoph Kleint ,  David Pritchard

    发明人： Hocine Boubekeur ,  Dominik Olligs ,  Torsten Mueller ,  Christoph Kleint ,  David Pritchard

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11568

    摘要： Dielectric gratings are formed between the word line stacks. Spacers are applied to the sidewalls of the word line stacks and the dielectric gratings. In the openings between the spacers, silicon is epitaxially grown on the upper surfaces of source/drain regions, which are implanted self-aligned to the word line stacks. A silicide is formed on the grown silicon, and a metal layer is applied and structured to form local interconnects, which connect the source/drain regions to upper bit lines.

    摘要翻译： 介质光栅形成在字线堆叠之间。 间隔件被施加到字线堆叠和介质光栅的侧壁。 在间隔物之间​​的开口中，硅在源/漏区的上表面上外延生长，其被注入自对准到字线堆叠。 在生长的硅上形成硅化物，并且施加和构造金属层以形成局部互连，其将源极/漏极区域连接到高位线。

    Method for forming a semiconductor product and semiconductor product
    2.
    发明申请
    Method for forming a semiconductor product and semiconductor product 审中-公开
    用于形成半导体产品和半导体产品的方法

    公开(公告)号：US20070077748A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：US11241877

    申请日：2005-09-30

    申请人： Dominik Olligs ,  Hocine Boubekeur ,  Veronika Polei ,  Nicolas Nagel ,  Torsten Mueller ,  Lars Bach ,  Thomas Mikolajick ,  Joachim Deppe

    发明人： Dominik Olligs ,  Hocine Boubekeur ,  Veronika Polei ,  Nicolas Nagel ,  Torsten Mueller ,  Lars Bach ,  Thomas Mikolajick ,  Joachim Deppe

    IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

    摘要： A semiconductor product (1) includes a plurality of wordlines extending along a first lateral direction (x) along a substrate surface (22) and also includes contact structures (3) as well as filling structures (4) therebetween. Along the first direction (x) the contact structures (3) and the filling structures (4) are arranged in alternating order between two respective wordlines. Each contact structure (3) serves to connect two active areas (23) separated by one respective trench isolation filling (24) to a respective bitline (14). Accordingly, the width of the first contact structures (3) is much larger than the width of the bitlines (14) along the first direction (x). According to embodiments of the invention, tapered upper portions (9) of the contact structures (3) are shaped, the upper portions (9) having a width being significantly smaller than the width of the contact structures (3) along the first direction (x). Thereby, forming the bitlines (14) in direct contact to top surfaces (7) of contact structures (3) is possible without the risk of short circuits between adjacent bitlines (14).

    摘要翻译： 半导体产品（1）包括沿衬底表面（22）沿着第一横向（x）延伸的多个字线，并且还包括接触结构（3）以及它们之间的填充结构（4）。 沿着第一方向（x），接触结构（3）和填充结构（4）以两个相应字线之间的交替顺序排列。 每个接触结构（3）用于将由一个相应的沟槽隔离填充物（24）分开的两个有效区域（23）连接到相应的位线（14）。 因此，第一接触结构（3）的宽度比沿着第一方向（x）的位线（14）的宽度大得多。 根据本发明的实施例，接触结构（3）的锥形上部（9）成形，上部（9）的宽度明显小于接触结构（3）沿着第一方向（3）的宽度 X）。 因此，形成与接触结构（3）的顶表面（7）直接接触的位线（14）是可能的，而不会在相邻位线（14）之间发生短路。

    Method for Manufacturing a Structure, Semiconductor Device and Structure on a Substrate
    7.
    发明申请
    Method for Manufacturing a Structure, Semiconductor Device and Structure on a Substrate 审中-公开
    在基板上制造结构，半导体器件和结构的方法

    公开(公告)号：US20090102023A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US11875140

    申请日：2007-10-19

    申请人： Stephan Wege ,  Chirstoph Noelscher ,  Alfred Kersch ,  Hocine Boubekeur ,  Christoph Ludwig

    发明人： Stephan Wege ,  Chirstoph Noelscher ,  Alfred Kersch ,  Hocine Boubekeur ,  Christoph Ludwig

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  B81C1/00111 ,  H01L21/0338

    摘要： One possible embodiment is a method for manufacturing a structure on a substrate which can be used in the manufacturing of a semiconductor device, including the steps of: forming a first structure on the substrate having at least one sidewall, forming at least one layer as a second structure selectively on the at least one sidewall of the first structure by an epitaxial technique, electroplating, selective silicon dioxide deposition, selective low pressure CVD or an atomic layer deposition technique. Furthermore semiconductor devices, uses of equipment and structures are covered.

    摘要翻译： 一个可能的实施例是用于制造可用于制造半导体器件的衬底上的结构的方法，包括以下步骤：在具有至少一个侧壁的衬底上形成第一结构，形成至少一层作为 第二结构通过外延技术，电镀，选择性二氧化硅沉积，选择性低压CVD或原子层沉积技术选择性地在第一结构的至少一个侧壁上。 此外，还涵盖了半导体器件，设备和结构的使用。

    Semiconductor structure, semiconductor memory device and method of manufacturing the same
    9.
    发明申请
    Semiconductor structure, semiconductor memory device and method of manufacturing the same 审中-公开
    半导体结构，半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080121982A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11505494

    申请日：2006-08-17

    申请人： Hocine Boubekeur

    发明人： Hocine Boubekeur

    IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor structure includes first and second conductive lines which cross each other. The second conductive lines are electrically insulated from the first conductive lines via an insulating material. The second conductive lines include first and second sections. First sections are arranged beneath crossing first conductive lines and include a semiconductor material. The second sections are disposed between adjacent first conductive lines and include a metal-semiconductor compound. A method of manufacturing a semiconductor structure involves forming initial second conductive lines, forming first conductive lines and providing a metal-semiconductor compound on an exposed surface of the initial second conductive lines, thereby obtaining second conductive lines. Forming the metal-semiconductor compound is performed after forming the first conductive lines.

    摘要翻译： 半导体结构包括彼此交叉的第一和第二导电线。 第二导线通过绝缘材料与第一导线电绝缘。 第二导线包括第一和第二部分。 第一部分布置在交叉的第一导电线之下并且包括半导体材料。 第二部分设置在相邻的第一导电线之间并且包括金属 - 半导体化合物。 制造半导体结构的方法包括形成初始的第二导线，形成第一导线并在初始第二导线的暴露表面上提供金属半导体化合物，由此获得第二导线。 在形成第一导电线之后进行形成金属 - 半导体化合物。

    Forming Polysilicon Regions
    10.
    发明申请
    Forming Polysilicon Regions 审中-公开
    形成多晶硅区域

    公开(公告)号：US20080160735A1

    公开(公告)日：2008-07-03

    申请号：US11617359

    申请日：2006-12-28

    申请人： Hocine Boubekeur

    发明人： Hocine Boubekeur

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/60 ,  H01L29/94

    摘要： Polysilicon regions are formed by performing a thermal treatment in a hydrogen ambient environment after patterning a polysilicon structure.

    摘要翻译： 通过在图案化多晶硅结构之后在氢环境环境中进行热处理来形成多晶硅区域。