公开(公告)号：US08212344B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12891288

申请日：2010-09-27

申请人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

发明人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： B81C1/00333 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with cavity structure and a method for producing the same. The semiconductor component has an active semiconductor chip with the microelectromechanical structure and a wiring structure on its top side. The microelectromechanical structure is surrounded by walls of at least one cavity. A covering, which covers the cavity, is arranged on the walls. The walls have a photolithographically patterned polymer. The covering has a layer with a polymer of identical type. In one case, the molecular chains of the polymer of the walls are crosslinked with the molecular chains of the polymer layer of the covering layer to form a dimensionally stable cavity housing.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有腔结构的半导体部件及其制造方法。 半导体部件具有微机电结构的有源半导体芯片及其顶侧的布线结构。 微机电结构由至少一个空腔的壁包围。 覆盖空腔的覆盖物布置在墙壁上。 墙壁具有光刻图案的聚合物。 覆盖物具有具有相同类型的聚合物的层。 在一种情况下，壁的聚合物的分子链与覆盖层的聚合物层的分子链交联以形成尺寸稳定的腔体。

公开(公告)号：US20110210450A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13102452

申请日：2011-05-06

申请人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

发明人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/568 ,  B81B7/007 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0154 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A device comprising a chip, which is held in casting compound and on which a hollow structure is arranged is disclosed.

摘要翻译： 公开了一种包括芯片的装置，该芯片保持在铸造化合物中并且布置有中空结构。

公开(公告)号：US07952185B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US11645150

申请日：2006-12-22

申请人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

发明人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L21/568 ,  B81B7/007 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0154 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A device comprising a chip, which is held in casting compound and on which a hollow structure is arranged is disclosed.

摘要翻译： 公开了一种包括芯片的装置，该芯片保持在铸造化合物中并且布置有中空结构。

公开(公告)号：US20070181979A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11701044

申请日：2007-02-01

申请人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

发明人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/30

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with cavity structure and a method for producing the same. The semiconductor component has an active semiconductor chip with the microelectromechanical structure and a wiring structure on its top side. The microelectromechanical structure is surrounded by walls of at least one cavity. A covering, which covers the cavity, is arranged on the walls. The walls have a photolithographically patterned polymer. The covering has a layer with a polymer of identical type. In one case, the molecular chains of the polymer of the walls are crosslinked with the molecular chains of the polymer layer of the covering layer to form a dimensionally stable cavity housing.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有腔结构的半导体部件及其制造方法。 半导体部件具有微机电结构的有源半导体芯片及其顶侧的布线结构。 微机电结构由至少一个空腔的壁包围。 覆盖空腔的覆盖物布置在墙壁上。 墙壁具有光刻图案的聚合物。 覆盖物具有具有相同类型的聚合物的层。 在一种情况下，壁的聚合物的分子链与覆盖层的聚合物层的分子链交联以形成尺寸稳定的腔体。

公开(公告)号：US08912638B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13102452

申请日：2011-05-06

申请人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

发明人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  B81B7/007 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0154 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A device comprising a chip, which is held in casting compound and on which a hollow structure is arranged is disclosed.

摘要翻译： 公开了一种包括芯片的装置，该芯片保持在铸造化合物中并且布置有中空结构。

公开(公告)号：US20110012214A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12891288

申请日：2010-09-27

申请人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

发明人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00333 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with cavity structure and a method for producing the same. The semiconductor component has an active semiconductor chip with the microelectromechanical structure and a wiring structure on its top side. The microelectromechanical structure is surrounded by walls of at least one cavity. A covering, which covers the cavity, is arranged on the walls. The walls have a photolithographically patterned polymer. The covering has a layer with a polymer of identical type. In one case, the molecular chains of the polymer of the walls are crosslinked with the molecular chains of the polymer layer of the covering layer to form a dimensionally stable cavity housing.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有腔结构的半导体部件及其制造方法。 半导体部件具有微机电结构的有源半导体芯片及其顶侧的布线结构。 微机电结构由至少一个空腔的壁包围。 覆盖空腔的覆盖物布置在墙壁上。 墙壁具有光刻图案的聚合物。 覆盖物具有具有相同类型的聚合物的层。 在一种情况下，壁的聚合物的分子链与覆盖层的聚合物层的分子链交联以形成尺寸稳定的腔体。

公开(公告)号：US07807506B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US11701044

申请日：2007-02-01

申请人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

发明人： Gottfried Beer ,  Horst Theuss

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： One aspect of the invention relates to a semiconductor component with cavity structure and a method for producing the same. The semiconductor component has an active semiconductor chip with the microelectromechanical structure and a wiring structure on its top side. The microelectromechanical structure is surrounded by walls of at least one cavity. A covering, which covers the cavity, is arranged on the walls. The walls have a photolithographically patterned polymer. The covering has a layer with a polymer of identical type. In one case, the molecular chains of the polymer of the walls are crosslinked with the molecular chains of the polymer layer of the covering layer to form a dimensionally stable cavity housing.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及具有腔结构的半导体部件及其制造方法。 半导体部件具有微机电结构的有源半导体芯片及其顶侧的布线结构。 微机电结构由至少一个空腔的壁包围。 覆盖空腔的覆盖物布置在墙壁上。 墙壁具有光刻图案的聚合物。 覆盖物具有具有相同类型的聚合物的层。 在一种情况下，壁的聚合物的分子链与覆盖层的聚合物层的分子链交联，以形成尺寸稳定的腔体。

公开(公告)号：US20080136009A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11645150

申请日：2006-12-22

申请人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

发明人： Horst Theuss ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  B81B7/007 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0154 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A device comprising a chip, which is held in casting compound and on which a hollow structure is arranged is disclosed.

摘要翻译： 公开了一种包括芯片的装置，该芯片保持在铸造化合物中并且布置有中空结构。

公开(公告)号：US08889548B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13084105

申请日：2011-04-11

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Heinrich Koerner

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Jens Pohl ,  Gottfried Beer ,  Heinrich Koerner

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/66

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： Structures of a system on chip and methods of forming a system on chip are disclosed. In one embodiment, a method of fabricating the system on chip includes forming a through substrate opening from a back surface of a substrate, the through substrate opening disposed between a first and a second region, the first region comprising devices for RF circuitry and the second region comprising devices for other circuitry. The method further includes forming patterns for redistribution lines on a photo resist layer, the photo resist layer disposed under the back surface, and filling the through substrate opening and the patterns for redistribution lines with a conductive material.

摘要翻译： 公开了一种片上系统的结构以及片上系统的形成方法。 在一个实施例中，一种制造片上系统的方法包括从衬底的背面形成穿透衬底开口，穿过衬底开口设置在第一和第二区域之间，第一区域包括用于RF电路的装置，第二区域包括第二 区域包括用于其他电路的装置。 该方法还包括在光致抗蚀剂层上形成用于再分配线的图案，设置在背面下方的光致抗蚀剂层，以及用导电材料填充贯通基板开口和再分布线图案。

公开(公告)号：US07910404B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12205294

申请日：2008-09-05

申请人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

发明人： Klaus Pressel ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method of manufacturing a stacked die module includes applying a plurality of stacked die structures to a carrier. Each stacked die structure includes a first semiconductor die applied to the carrier and a second semiconductor die stacked over the first semiconductor die. The second semiconductor die has a larger lateral surface area than the first semiconductor die. A dam is applied around each of the stacked die structures, thereby forming an enclosed cavity for each of the stacked die structures. The enclosed cavity for each stacked die structure surrounds the first semiconductor die of the stacked die structure.

摘要翻译： 制造堆叠模具模块的方法包括将多个堆叠的模具结构应用于载体。 每个堆叠的管芯结构包括施加到载体的第一半导体管芯和堆叠在第一半导体管芯上的第二半导体管芯。 第二半导体管芯具有比第一半导体管芯更大的侧表面积。 在每个堆叠的模具结构周围施加坝，从而为每个堆叠的模具结构形成封闭的腔。 用于每个堆叠的管芯结构的封闭空腔包围堆叠管芯结构的第一半导体管芯。