公开(公告)号：US20050218003A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US10510522

申请日：2003-04-08

申请人： Hui Wang ,  Voha Nuch ,  Felix Gutman ,  Muhammed Afnan ,  Himanshu Chokshi

发明人： Hui Wang ,  Voha Nuch ,  Felix Gutman ,  Muhammed Afnan ,  Himanshu Chokshi

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D19/00 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

摘要： In one aspect of the present invention, exemplary apparatus and methods are provided for electropolishing and/or electroplating processes for semiconductor wafers. One exemplary apparatus includes a cleaning module having an edge clean assembly (930) to remove metal residue on the bevel or edge portion of a wafer (901). The edge cleaning apparatus includes a nozzle head (1030) configured to supply a liquid and a gas to a major surface of the wafer, and supplies the gas radially inward of the location the liquid is supplied to reduce the potential of the liquid from flowing radially inward to the metal film formed on the wafer.

摘要翻译： 在本发明的一个方面，提供了用于半导体晶片的电解抛光和/或电镀工艺的示例性装置和方法。 一个示例性设备包括具有边缘清洁组件（930）以去除晶片（901）的斜面或边缘部分上的金属残留物的清洁模块。 边缘清洁装置包括：喷嘴头（1030），其被构造成将液体和气体供应到晶片的主表面，并且将气体径向向内供应到供应液体的位置，以减小液体的径向径向流动 向内到形成在晶片上的金属膜。

公开(公告)号：US06726823B1

公开(公告)日：2004-04-27

申请号：US09856855

申请日：2001-05-23

申请人： Hui Wang ,  Felix Gutman ,  Voha Nuch

发明人： Hui Wang ,  Felix Gutman ,  Voha Nuch

IPC分类号： C25D500

CPC分类号： C25D17/001 ,  B23H5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/06

摘要： A wafer chuck assembly for holding a wafer during electroplating and/or electropolishing of the wafer includes a wafer chuck for receiving the wafer. The wafer chuck assembly also includes an actuator assembly for moving the wafer chuck between a first and a second position. When in the first position, the wafer chuck is opened. When in the second position, the wafer chuck is closed.

摘要翻译： 用于在晶片的电镀和/或电解抛光期间保持晶片的晶片卡盘组件包括用于接收晶片的晶片卡盘。 晶片卡盘组件还包括用于在第一和第二位置之间移动晶片卡盘的致动器组件。 当处于第一位置时，打开晶片卡盘。 当处于第二位置时，晶片卡盘关闭。

公开(公告)号：US09595457B2

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：US13133826

申请日：2008-12-12

申请人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

发明人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

IPC分类号： H01L21/67 ,  B08B3/12

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B3/123 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6708

摘要： A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semiconductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the cleaning process. The gap can be increased or reduced by 0.5λ/N for each rotation of the chuck, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, N is an integer number between 2 and 1000. The gap is varied in the range of 0.5λn during the cleaning process, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, and n is an integer number starting from 1.

摘要翻译： 一种使用超声波超声波装置清洗半导体衬底的方法，包括通过使用卡盘保持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，并在半导体衬底和 超声波/超声波装置，在清洁过程中，对于卡盘的每次旋转，改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。 对于卡盘的每次旋转，间隙可以增加或减小0.5λ/ N，其中λ是超/兆声波的波长，N是2和1000之间的整数。间隙在0.5λn的范围内变化 在清洁过程中，其中λ是超/兆声波的波长，n是从1开始的整数。

公开(公告)号：US20070039827A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US10538402

申请日：2003-12-09

申请人： Hui Wang ,  Voha Nuch

发明人： Hui Wang ,  Voha Nuch

IPC分类号： B23H3/00

CPC分类号： C25D17/001 ,  C25D5/08 ,  H01L21/681

摘要： An apparatus for electropolishing and/or electroplating metal layers on a semiconductor wafer includes a receptacle having a plurality of section walls. The apparatus includes a wafer chuck configured to hold the semiconductor wafer and to position the semiconductor wafer within the receptacle with a surface of the semiconductor wafer adjacent to top portions of the plurality of section walls. The apparatus also includes a first plurality of sensors configured to measure alignment between the center of one of the plurality of section walls to the center of the wafer chuck, and thus the center of the semiconductor wafer.

摘要翻译： 用于在半导体晶片上电解抛光和/或电镀金属层的装置包括具有多个部分壁的插座。 该装置包括晶片卡盘，其被配置为保持半导体晶片并且将半导体晶片定位在插座内，其中半导体晶片的表面与多个部分壁的顶部部分相邻。 该装置还包括第一多个传感器，其被配置为测量多个部分壁中的一个的中心与晶片卡盘的中心之间的对准，并且因此测量半导体晶片的中心。

公开(公告)号：US20110290277A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13133826

申请日：2008-12-12

申请人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

发明人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

IPC分类号： B08B3/12

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B3/123 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6708

摘要： A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semiconductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the cleaning process. The gap can be increased or reduced by 0.5λ/N for each rotation of the chuck, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, N is an integer number between 2 and 1000. The gap is varied in the range of 0.5λn during the cleaning process, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, and n is an integer number starting from 1.

摘要翻译： 一种使用超声波超声波装置清洗半导体衬底的方法，包括通过使用卡盘保持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，并在半导体衬底和 超声波/超声波装置，在清洁过程中，对于卡盘的每次旋转，改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。 对于卡盘的每次旋转，间隙可以增加或减小0.5λ/ N，其中λ是超/兆声波的波长，N是2和1000之间的整数。间隙在0.5λn的范围内变化 在清洁过程中，其中λ是超/兆声波的波长，n是从1开始的整数。

公开(公告)号：US20110079247A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12736178

申请日：2008-03-17

申请人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Guangtao Shi ,  Voha Nuch ,  Hui Wang

发明人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Guangtao Shi ,  Voha Nuch ,  Hui Wang

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/6715 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67253

摘要： The invention discloses a low-cost apparatus for chemical solution preparation with controlled process parameters such as chemical age, temperature, yield of active ingredients at the point of use. In addition, this apparatus provides chamber-to-chamber consistency on these parameters across multiple processing chambers on a single wafer wet-clean system. The invention also discloses a method to use chemical solution mixture resident time to achieve optimal combined effect of temperature, reactivity and yield of active ingredients of chemical solution mixture for best wafer treatment results.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于化学溶液制备的低成本装置，其具有受控的工艺参数，例如化学年龄，温度，使用时活性成分的产率。 此外，该装置在单个晶片湿清洁系统上的多个处理室上提供这些参数的腔室与室之间的一致性。 本发明还公开了一种使用化学溶液混合物驻留时间来实现化学溶液混合物的活性成分的温度，反应性和产率的最佳组合效果的方法，以获得最佳的晶片处理结果。

公开(公告)号：US09492852B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US13262264

申请日：2009-03-31

申请人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Yue Ma ,  Hui Wang

发明人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Yue Ma ,  Hui Wang

IPC分类号： B08B3/00 ,  B08B3/12 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02068 ,  B08B3/12 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67051

摘要： A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semiconductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the cleaning process by turn the semiconductor substrate or the ultra/mega sonic device clockwise or counter clockwise.

摘要翻译： 一种使用超声波超声波装置清洗半导体衬底的方法，包括通过使用卡盘保持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，并在半导体衬底和 超声波/超声波装置，通过顺时针或逆时针转动半导体衬底或超/超声波装置，在清洁过程期间，为了卡盘的每次旋转，改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。

公开(公告)号：US20120097195A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13262264

申请日：2009-03-31

申请人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Yue Ma ,  Hui Wang

发明人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Yue Ma ,  Hui Wang

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/02068 ,  B08B3/12 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67051

摘要： A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semiconductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the cleaning process by turn the semiconductor substrate or the ultra/mega sonic device clockwise or count clockwise.

摘要翻译： 一种使用超声波超声波装置清洗半导体衬底的方法，包括通过使用卡盘保持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，并在半导体衬底和 超声波/超声波装置，通过顺时针旋转半导体衬底或超/超声波装置，顺时针或顺时针方向计数，在清洁过程中，通过卡盘的每次旋转来改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。

公开(公告)号：US20110073469A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12736176

申请日：2008-03-19

申请人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Zhenxu Pang ,  Guangtao Shi ,  Jiexu Xia ,  Voha Nuch ,  Hui Wang

发明人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Zhenxu Pang ,  Guangtao Shi ,  Jiexu Xia ,  Voha Nuch ,  Hui Wang

IPC分类号： C25D17/00

CPC分类号： H01L21/6723 ,  C25D5/48 ,  C25D5/50 ,  C25D17/00 ,  C25D17/001 ,  C25D17/02 ,  C25D17/04 ,  C25D21/02 ,  H01L21/67178

摘要： A electrochemical deposition system which has a 3-D stacked architecture comprises a factory interface for receiving semiconductor wafers, a mainframe comprising a mainframe transfer robot and a plurality of wafer holder assemblies which disposed on the top thereof, a plurality of electroplating cells disposed within the mainframe, a plurality of cleaning cells disposed within the mainframe and located below the electroplating cells, a plurality of thermal treatment chambers disposed in between the mainframe and the factory interface, and a fluid distribution system fluidly connected to the electroplating cells and the cleaning cells, wherein the mainframe transfer robot transfers the semiconductor wafer from the factory interface and within the electroplating cells, the cleaning cells, and the thermal treatment chambers. As a result, the system of the present invention is expandable to accommodate newly-added processing units without overmuch increased footprint.

摘要翻译： 具有3-D堆叠结构的电化学沉积系统包括用于接收半导体晶片的工厂接口，包括主机传送机器人的主机和设置在其顶部的多个晶片保持器组件，多个电镀单元 主机，设置在主机内并位于电镀单元下方的多个清洁单元，设置在主机和工厂界面之间的多个热处理室，以及流体连接到电镀单元和清洁单元的流体分配系统， 其中所述主机传送机器人从所述工厂接口和所述电镀单元，所述清洁单元和所述热处理室中传送所述半导体晶片。 结果，本发明的系统可扩展以容纳新增的处理单元，而不会增加占用空间。

公开(公告)号：US20100240226A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12733436

申请日：2007-08-29

申请人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Zhenxu Pang ,  Hui Wang ,  Voha Nuch

发明人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Zhenxu Pang ,  Hui Wang ,  Voha Nuch

IPC分类号： H01L21/26 ,  F28C3/00

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719

摘要： The present invention provides an apparatus and method for rapid and uniform thermal treatment of semiconductor workpieces in two closely arranged thermal treatment chambers with a retractable door between them. The retractable door moves in between two thermal treatment chambers during heating or cooling process, and additional heating and cooling sources are provided for double-side thermal treatment of the semiconductor workpiece.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在两个紧密布置的热处理室中快速均匀地热处理半导体工件的装置和方法，其间具有可伸缩门。 可伸缩门在加热或冷却过程中在两个热处理室之间移动，并且为半导体工件的双面热处理提供附加的加热和冷却源。