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    Catalyst for preparation of pentafluoroethane and preparation method thereof
    1.
    发明申请
    Catalyst for preparation of pentafluoroethane and preparation method thereof 有权
    五氟乙烷制备催化剂及其制备方法

    公开(公告)号：US20070082813A1

    公开(公告)日：2007-04-12

    申请号：US11288486

    申请日：2005-11-30

    申请人： Hyang Jang ,  Dae Kim ,  Cheol Kim ,  Young Cho ,  Jung Lee ,  Young Kim ,  Yuichi Iikubo

    发明人： Hyang Jang ,  Dae Kim ,  Cheol Kim ,  Young Cho ,  Jung Lee ,  Young Kim ,  Yuichi Iikubo

    IPC分类号： B01J23/00

    CPC分类号： B01J23/26 ,  B01J23/28 ,  B01J23/862 ,  B01J37/08 ,  B01J37/26 ,  C07C17/206 ,  C07C17/21 ,  C07C19/08

    摘要： The method of preparing a chromium oxide catalyst for preparation of pentafluoroethane using a chloroethane compound includes heat treating chromium hydroxide powder at a temperature not higher than 300° C. to obtain chromium oxide powder, heat treating metal hydroxide, at a temperature not higher than 300° C. to obtain metal oxide powder, mixing 85-99.5 wt % of the chromium oxide powder with 0.5-15 wt % of the metal oxide powder to obtain a mixture, forming the mixture into a pellet, calcining the pellet at 200-300° C. using nitrogen gas, and fluorinating the pellet at 300-320° C. using a gas mixture including N2 and HF, and then at 320-380° C. using HF gas. The fluorination catalyst prepared using the method of this invention can be effectively used to prepare pentafluoroethane at a high yield using a chloroethane compound.

    摘要翻译： 使用氯乙烷化合物制备五氟乙烷的氧化铬催化剂的方法包括在不高于300℃的温度下热处理氢氧化铬粉末，得到不高于300℃的氧化铬粉末，热处理金属氢氧化物 ℃，得到金属氧化物粉末，将85-99.5重量％的氧化铬粉末与0.5-15重量％的金属氧化物粉末混合以获得混合物，将混合物形成颗粒，在200-300℃下煅烧沉淀 ℃，并使用包含N 2 H 2和HF的气体混合物，然后在320-380℃下使用HF气体在300-320℃氟化颗粒。 使用本发明的方法制备的氟化催化剂可以有效地用于使用氯乙烷化合物以高产率制备五氟乙烷。

    Method of storing nitrogen trifluoride
    3.
    发明申请
    Method of storing nitrogen trifluoride 审中-公开
    储存三氟化氮的方法

    公开(公告)号：US20060280642A1

    公开(公告)日：2006-12-14

    申请号：US11293782

    申请日：2005-12-05

    申请人： Yuichi Iikubo ,  Hyang Jang ,  Dae Kim ,  Cheol Kim

    发明人： Yuichi Iikubo ,  Hyang Jang ,  Dae Kim ,  Cheol Kim

    IPC分类号： C22C38/22

    CPC分类号： C22C38/22 ,  C01B21/0835

    摘要： The method of storing nitrogen trifluoride includes storing nitrogen trifluoride in a chromium-molybdenum steel vessel manufactured through a deep drawing ironing process. Nitrogen trifluoride stored in this way according to the method of this invention does not deteriorate even after two years or more have passed.

    摘要翻译： 储存三氟化氮的方法包括将三氟化氮储存在通过深冲压熨烫工艺制造的铬钼钢容器中。 按照本发明的方法存储的三氟化氮即使经过两年以上也不会劣化。

    Method of manufacturing semiconductor device
    7.
    发明授权
    Method of manufacturing semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08617991B2

    公开(公告)日：2013-12-31

    申请号：US13526960

    申请日：2012-06-19

    申请人： Jung-Chan Lee ,  Yoo-Jung Lee ,  Ki-Hyung Ko ,  Dae-Young Kwak ,  Seung-Jae Lee ,  Jae-Sung Hur ,  Sang-Bom Kang ,  Cheol Kim ,  Bo-Un Yoon

    发明人： Jung-Chan Lee ,  Yoo-Jung Lee ,  Ki-Hyung Ko ,  Dae-Young Kwak ,  Seung-Jae Lee ,  Jae-Sung Hur ,  Sang-Bom Kang ,  Cheol Kim ,  Bo-Un Yoon

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interlayer dielectric film that has first and second trenches on first and second regions of a substrate, respectively, forming a first metal layer along a sidewall and a bottom surface of the first trench and along a top surface of the interlayer dielectric film in the first region, forming a second metal layer along a sidewall and a bottom surface of the second trench and along a top surface of the interlayer dielectric film in the second region, forming a first sacrificial layer pattern on the first metal layer such that the first sacrificial layer fills a portion of the first trench, forming a first electrode layer by etching the first metal layer and the second metal layer using the first sacrificial layer pattern, and removing the first sacrificial layer pattern.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底的第一和第二区域上分别形成具有第一和第二沟槽的层间电介质膜，沿着第一沟槽的侧壁和底表面沿顶部形成第一金属层 在所述第一区域中的所述层间电介质膜的表面，沿着所述第二沟槽的侧壁和底表面沿着所述第二区域中的所述层间电介质膜的顶表面形成第二金属层，在所述第二区域中形成第一牺牲层图案 第一金属层，使得第一牺牲层填充第一沟槽的一部分，通过使用第一牺牲层图案蚀刻第一金属层和第二金属层形成第一电极层，以及去除第一牺牲层图案。

    Method of forming minute patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same
    9.
    发明授权
    Method of forming minute patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same 有权
    形成微小图案的方法和使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US09543155B2

    公开(公告)日：2017-01-10

    申请号：US14975932

    申请日：2015-12-21

    申请人： Bok-Young Lee ,  Yoo-Jung Lee ,  Dong-Hoon Khang ,  Do-Hyoung Kim ,  Cheol Kim ,  In-Hee Lee ,  Ji-Eun Han

    发明人： Bok-Young Lee ,  Yoo-Jung Lee ,  Dong-Hoon Khang ,  Do-Hyoung Kim ,  Cheol Kim ,  In-Hee Lee ,  Ji-Eun Han

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L27/11

    CPC分类号： H01L21/28132 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/66545

    摘要： A method includes forming a first etch target layer and a first mask layer on a substrate. Sacrificial patterns extending in a first direction are formed on the first mask layer in a second direction. Spacers are formed on sidewalls of the sacrificial patterns. After removing the sacrificial patterns, the first mask layer is etched using the spacers as an etching mask to form first masks. Second masks are formed on sidewalls of each first mask to define a third masks including each first mask and the second masks on sidewalls of each first mask. The first etch target layer is etched using the first and third masks as an etching mask to form first and second patterns in the first and second regions, respectively. Each first pattern has a first width, and each second pattern has a second width greater than the first width.

    摘要翻译： 一种方法包括在衬底上形成第一蚀刻目标层和第一掩模层。 在第一方向上在第一掩模层上形成沿第一方向延伸的牺牲图案。 垫片形成在牺牲图案的侧壁上。 在去除牺牲图案之后，使用间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻第一掩模层以形成第一掩模。 第二掩模形成在每个第一掩模的侧壁上以限定包括每个第一掩模的第三掩模和在每个第一掩模的侧壁上的第二掩模。 使用第一和第三掩模蚀刻第一蚀刻目标层作为蚀刻掩模，以分别在第一和第二区域中形成第一和第二图案。 每个第一图案具有第一宽度，并且每个第二图案具有大于第一宽度的第二宽度。