公开(公告)号：US20070117383A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11564272

申请日：2006-11-28

申请人： Bradley Aitchison ,  Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Martti Sonninen ,  Tommy Turkulainen

发明人： Bradley Aitchison ,  Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Martti Sonninen ,  Tommy Turkulainen

IPC分类号： H01L21/44 ,  C23C16/00

CPC分类号： B01D45/06 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4557 ,  C30B25/14 ,  Y10S55/14

摘要： A precursor delivery system includes a flow path from a precursor container to a reaction space of a thin film deposition system, such as an atomic layer deposition (ALD) reactor. A staging volume is preferably established between the precursor container and the reaction space for receiving at least one dose of the precursor material from the precursor container, and from which pulses are released toward the reaction space. A pulse control device is preferably interposed between the staging volume and the reaction space. A sensor may sense a physical condition in the staging volume for providing feedback to a controller of the precursor delivery system, for performance monitoring and control.

摘要翻译： 前体递送系统包括从前体容器到诸如原子层沉积（ALD）反应器的薄膜沉积系统的反应空间的流动路径。 优选地，在前体容器和反应空间之间建立分级体积，用于从前体容器接收至少一剂量的前体材料，并且从该脉冲向反应空间释放脉冲。 优选地，在分级体积和反应空间之间插入脉冲控制装置。 传感器可以感测分级体积中的物理状况，以向前体递送系统的控制器提供反馈，以进行性能监测和控制。

公开(公告)号：US20070089674A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11564276

申请日：2006-11-28

申请人： Bradley Aitchison ,  Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Martti Sonninen ,  Tommy Turkulainen

发明人： Bradley Aitchison ,  Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Martti Sonninen ,  Tommy Turkulainen

IPC分类号： C23C16/00 ,  B01D46/00

CPC分类号： B01D45/06 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4557 ,  C30B25/14 ,  Y10S55/14

摘要： A precursor delivery system includes a flow path from a precursor container to a reaction space of a thin film deposition system, such as an atomic layer deposition (ALD) reactor. At least a portion of the flow path may be formed in one or more blocks of thermally conductive material forming an elongate thermally conductive body extending from the precursor container toward the reaction space. In some embodiments, a heater is thermally associated with the thermally conductive body to inhibit condensation of precursor vapor in the flow path. A high conductivity particle filter having inertial traps is preferably included for filtering particles from the precursor material. The particle filter preferably include a filter passage including turns and inertial traps adjacent the turns. In some embodiments, the filter passage and the inertial traps may be formed in the thermally conductive body between the precursor container and the reaction space.

摘要翻译： 前体递送系统包括从前体容器到诸如原子层沉积（ALD）反应器的薄膜沉积系统的反应空间的流动路径。 流路的至少一部分可以形成在一个或多个导热材料块中，形成从前体容器朝向反应空间延伸的细长导热体。 在一些实施例中，加热器与导热体热关联，以阻止前述流体在流路中的冷凝。 优选包括具有惯性陷阱的高电导率粒子滤波器，用于从前体材料过滤颗粒。 颗粒过滤器优选包括过滤器通道，该过滤器通道包括与匝相邻的匝和惯性掣子。 在一些实施例中，过滤器通道和惯性陷阱可以形成在前体容器和反应空间之间的导热体中。

公开(公告)号：US20050011555A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10609134

申请日：2003-06-26

申请人： Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Bradley Aitchison

发明人： Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Bradley Aitchison

IPC分类号： F16K7/14 ,  F16K31/06 ,  F16K49/00

CPC分类号： F16K31/0693 ,  F16K7/14 ,  F16K49/002 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/6416 ,  Y10T137/6606

摘要： A diaphragm valve includes a pressure vent communicating with an enclosed space behind the diaphragm for reducing resistance to transitioning of the diaphragm between the open and closed positions. In some implementations, a pump or other source of suction is coupled to the pressure vent to reduce fluid pressure in the enclosed space. When used in an atomic layer deposition (ALD) system, the venting and suction improves the thin film deposition process and prevents leakage through the valve of potentially toxic ALD precursor vapors. Features for thermal management and reliability enhancement are also described.

公开(公告)号：US20110265720A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US13143306

申请日：2010-02-11

申请人： Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Kari Harkonen

发明人： Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Kari Harkonen

IPC分类号： C23C16/46

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/45546 ,  C30B25/10

摘要： A reactor is provided for a gas deposition method, in which method the surface of a substrate is subjected to alternate starting material surface reactions. The reactor includes a first chamber, a second chamber mounted inside the first chamber, and heating means for heating the first chamber. The reactor also includes one or more heat transfer elements for equalising temperature differences inside the first chamber.

摘要翻译： 提供了一种用于气体沉积方法的反应器，其中基板的表面经历了交替的起始材料表面反应。 反应器包括第一室，安装在第一室内的第二室和用于加热第一室的加热装置。 反应器还包括用于均衡第一室内的温度差的一个或多个传热元件。

公开(公告)号：US20060174945A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11278482

申请日：2006-04-03

申请人： Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Bradley Aitchison

发明人： Jarmo Maula ,  Hannu Leskinen ,  Teemu Lang ,  Pekka Kuosmanen ,  Kari Harkonen ,  Bradley Aitchison

IPC分类号： F16K7/12

CPC分类号： F16K31/0693 ,  F16K7/14 ,  F16K31/06 ,  F16K49/002 ,  Y10T137/6606

摘要： A shut-off type diaphragm valve adapted for use in an atomic layer deposition system includes a flexible diaphragm operable to flex between an open position whereby a valve passage is at least partially open and a closed position whereby a substantial portion of a first side of the diaphragm is pressed against a valve seat to thereby block the valve passage and facilitate heat transfer between the valve seat and the diaphragm. In some embodiments, a heating body thermally contacts the valve body and extends proximal to a second side of the diaphragm opposite the first side thereof to form a thermally conductive pathway that facilitates maintaining an operating temperature at the diaphragm. A thermally resistive member may be interposed between the valve passage and an actuator, such as a solenoid, for attenuating heat transfer between the valve passage and the actuator.

摘要翻译： 适于在原子层沉积系统中使用的截止型隔膜阀包括可操作以在打开位置之间弯曲的柔性隔膜，由此阀通道至少部分打开，并且闭合位置，从而使第 隔膜被压靠在阀座上，从而阻塞阀通道并促进阀座与隔膜之间的热传递。 在一些实施例中，加热体与阀体热接触并且在隔膜的与其第一侧相对的第二侧附近延伸，以形成便于维持隔膜处的工作温度的导热通路。 可以在阀通道和诸如螺线管的致动器之间插入热阻构件，用于减弱阀通道和致动器之间的热传递。

公开(公告)号：US08367561B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12663782

申请日：2008-07-02

申请人： Jarmo Maula ,  Kari Harkonen

发明人： Jarmo Maula ,  Kari Harkonen

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/469 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45534 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405

摘要： The present invention relates to a method for enhancing uniformity of metal oxide coatings formed by Atomic Layer Deposition (ALD) or ALD-type processes. Layers are formed using alternating pulses of metal halide and oxygen-containing precursors, preferably water, and purging when necessary. An introduction of modificator pulses following the pulses of the oxygen-containing precursor affects positively on layer uniformity, which commonly exhibits gradients, particularly in applications with closely arranged substrates. In particular, improvement in layer thickness uniformity is obtained. According to the invention, alcohols having one to three carbon atoms can be used as the modificator.

摘要翻译： 本发明涉及一种增强由原子层沉积（ALD）或ALD型工艺形成的金属氧化物涂层的均匀性的方法。 使用金属卤化物和含氧前体，优选水的交替脉冲形成层，并且在必要时进行清洗。 在含氧前体的脉冲之后引入改性脉冲对层的均匀性产生积极影响，这通常表现出梯度，特别是在具有紧密排列的衬底的应用中。 特别地，获得了层厚均匀性的改善。 根据本发明，可以使用具有一至三个碳原子的醇作为改性剂。

公开(公告)号：US20100167555A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12663782

申请日：2008-07-02

申请人： Jarmo Maula ,  Kari Harkonen

发明人： Jarmo Maula ,  Kari Harkonen

IPC分类号： H01L21/473 ,  C23C16/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45534 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405

摘要： The present invention relates to a method for enhancing uniformity of metal oxide coatings formed by Atomic Layer Deposition (ALD) or ALD-type processes. Layers are formed using alternating pulses of metal halide and oxygen-containing precursors, preferably water, and purging when necessary. An introduction of modificator pulses following the pulses of the oxygen-containing precursor affects positively on layer uniformity, which commonly exhibits gradients, particularly in applications with closely arranged substrates. In particular, improvement in layer thickness uniformity is obtained. According to the invention, alcohols having one to three carbon atoms can be used as the modificator.

摘要翻译： 本发明涉及一种增强由原子层沉积（ALD）或ALD型工艺形成的金属氧化物涂层的均匀性的方法。 使用金属卤化物和含氧前体，优选水的交替脉冲形成层，并且在必要时进行清洗。 在含氧前体的脉冲之后引入改性脉冲对层的均匀性产生积极影响，这通常表现出梯度，特别是在具有紧密排列的衬底的应用中。 特别地，获得了层厚均匀性的改善。 根据本发明，可以使用具有一至三个碳原子的醇作为改性剂。

公开(公告)号：US20060134433A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11305024

申请日：2005-12-19

申请人： Jarmo Maula ,  Kari Harkonen ,  Anguel Nikolov

发明人： Jarmo Maula ,  Kari Harkonen ,  Anguel Nikolov

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： G02B1/10 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3694 ,  C03C2217/91 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/3141 ,  Y10T428/31504

摘要： The invention relates to a multilayer material deposited by ALD. A multi-layer structure of a high refractive index material is deposited on a substrate using ALD at a temperature below about 450° C. Advantageous results are obtained when a high refractive index material A is coated with another material B after a certain thickness of material A has been achieved. Thus, the B barrier layer stops the tendency for material A to crystallize. The amorphous structure gives rise to less optical loss. Further, the different stress nature of materials A and B may be utilized to achieve a final optical material with minimal stress. The thickness of each material B layer is less than that of the adjacent A layer(s). The total effective refractive index of the high refractive index material A+B being shall be greater than 2.20 at a wavelength of 600 nm. Titanium oxide and aluminium oxide are preferred A and B materials. The structure is useful for optical coatings.

摘要翻译： 本发明涉及由ALD沉积的多层材料。 在低于约450℃的温度下，使用ALD将高折射率材料的多层结构沉积在基板上。当高折射率材料A在一定厚度的材料之后用另一种材料B涂覆时，可获得有利的结果 A已经实现。 因此，B阻挡层阻止材料A结晶的倾向。 非晶结构导致较少的光损耗。 此外，可以利用材料A和B的不同应力性质来实现具有最小应力的最终光学材料。 每个材料B层的厚度小于相邻A层的厚度。 高折射率材料A + B的总有效折射率在600nm波长处应大于2.20。 氧化钛和氧化铝优选为A和B材料。 该结构对于光学涂层是有用的。

公开(公告)号：US20080241575A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11692330

申请日：2007-03-28

申请人： Adrein R. Lavoie ,  Valery Dubin ,  John Plombon ,  Kari Harkonen ,  Arnel M. Fajardo

发明人： Adrein R. Lavoie ,  Valery Dubin ,  John Plombon ,  Kari Harkonen ,  Arnel M. Fajardo

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/78 ,  Y10T428/12528

摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those methods may include heating a substrate comprising a patterned metallic region to about 145 C or below in a reaction space, introducing an aluminum co-reactant into the reaction space, wherein an aluminum material is formed on the patterned metallic region, but not on non-metallic regions.

摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括在反应空间中将包含图案化金属区域的基底加热至约145℃或更低，将铝共反应物引入反应空间，其中铝材料形成在图案化的金属区域上， 金属区域。

公开(公告)号：US20050037557A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10641848

申请日：2003-08-15

申请人： Mark Doczy ,  Nathan Baxter ,  Robert Chau ,  Kari Harkonen ,  Teemu Lang

发明人： Mark Doczy ,  Nathan Baxter ,  Robert Chau ,  Kari Harkonen ,  Teemu Lang

IPC分类号： C22C32/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/4966 ,  C04B35/5618 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C22C14/00 ,  C22C16/00 ,  C22C27/00 ,  C22C32/0084 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659

摘要： Embodiments of a transition metal alloy having an n-type or p-type work function that does not significantly shift at elevated temperature. The disclosed transition metal alloys may be used as, or form a part of, the gate electrode in a transistor. Methods of forming a gate electrode using these transition metal alloys are also disclosed.

摘要翻译： 具有在升高的温度下不会显着移位的n型或p型功函的过渡金属合金的实施例。 公开的过渡金属合金可以用作晶体管中的栅电极，或者形成其中的一部分。 还公开了使用这些过渡金属合金形成栅电极的方法。