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    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE USING A CHANNEL-SHAPED VARIABLE RESISTANCE PATTERN
    1.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE USING A CHANNEL-SHAPED VARIABLE RESISTANCE PATTERN 审中-公开
    使用通道形变可变电阻图案的可变电阻存储器件

    公开(公告)号：US20100051896A1

    公开(公告)日：2010-03-04

    申请号：US12549887

    申请日：2009-08-28

    申请人： Jeonghee Park ,  Yongho Ha ,  Dohyung Kim ,  Joonsang Park ,  Hyeyoung Park ,  Hyun-Suk Kwon

    发明人： Jeonghee Park ,  Yongho Ha ,  Dohyung Kim ,  Joonsang Park ,  Hyeyoung Park ,  Hyun-Suk Kwon

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/24

    摘要： A variable resistance memory device includes a substrate and a plurality of spaced apart lower electrodes on the substrate. The device further includes a variable resistance material pattern comprising two vertically opposed wall members connected by a bottom member disposed on and electrically connected to at least one of the plurality of lower electrodes and an upper electrode on the variable resistance material pattern. An area of contact of the variable resistance material pattern with the at least one lower electrode may be rectangular, circular, ring-shaped, or arc-shaped. Fabrication methods are also described.

    摘要翻译： 可变电阻存储器件包括衬底和在衬底上的多个间隔开的下电极。 该装置还包括可变电阻材料图案，包括两个垂直相对的壁构件，该两个垂直相对的壁构件通过设置在多个下部电极中的至少一个上并与其电连接的底部构件和可变电阻材料图案上的上部电极连接。 可变电阻材料图案与至少一个下电极的接触区域可以是矩形，圆形，环形或弧形。 还描述了制造方法。

    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
    4.
    发明申请
    VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
    可变电阻记忆体装置及其形成方法

    公开(公告)号：US20110147692A1

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：US12973124

    申请日：2010-12-20

    申请人： JEONGHEE PARK ,  Hideki Horii ,  Hyeyoung Park ,  Jin Ho Oh ,  Hyun-Suk Kwon

    发明人： JEONGHEE PARK ,  Hideki Horii ,  Hyeyoung Park ,  Jin Ho Oh ,  Hyun-Suk Kwon

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided are a variable resistance memory device and a method of forming the same. The variable resistance memory device may include a substrate, a plurality of bottom electrodes on the substrate, and a first interlayer insulating layer including a trench formed therein. The trench exposes the bottom electrodes and extends in a first direction. The variable resistance memory device further includes a top electrode provided on the first interlayer insulating layer and extending in a second direction crossing the first direction and a plurality of variable resistance patterns provided in the trench and having sidewalls aligned with a sidewall of the top electrode.

    摘要翻译： 提供了一种可变电阻存储器件及其形成方法。 可变电阻存储器件可以包括衬底，在衬底上的多个底部电极，以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。 沟槽露出底部电极并沿第一方向延伸。 可变电阻存储器件还包括设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的顶电极和设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁的多个可变电阻图案。

    Phase Changeable Memory Devices and Methods of Forming the Same
    5.
    发明申请
    Phase Changeable Memory Devices and Methods of Forming the Same 审中-公开
    相变存储器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20110186798A1

    公开(公告)日：2011-08-04

    申请号：US13019822

    申请日：2011-02-02

    申请人： Hyun-Suk Kwon ,  Hyeyoung Park ,  Jeonghee Park ,  Gyuhwan Oh ,  Jinho Oh ,  Doo-Hwan Park

    发明人： Hyun-Suk Kwon ,  Hyeyoung Park ,  Jeonghee Park ,  Gyuhwan Oh ,  Jinho Oh ,  Doo-Hwan Park

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/144 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

    摘要： Phase changeable memory devices are provided including a mold insulating layer on a substrate, the mold insulating layer defining an opening therein. A phase-change material layer is provided in the opening. The phase-change material includes an upper surface that is below a surface of the mold insulating layer. A first electrode is provided in the opening and on the phase-change material layer. A spacer is provided between a sidewall of the mold insulating layer and the phase-change material layer and the first electrode. The upper surface of the first electrode is coplanar with the surface of the mold insulating layer. Related methods are also provided.

    摘要翻译： 提供了相变存储器件，其包括在基底上的模具绝缘层，模具绝缘层在其中限定开口。 在开口中设置相变材料层。 相变材料包括在模具绝缘层的表面下方的上表面。 第一电极设置在开口和相变材料层上。 在模具绝缘层的侧壁和相变材料层和第一电极之间设置间隔件。 第一电极的上表面与模具绝缘层的表面共面。 还提供了相关方法。

    RESISTANCE VARIABLE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    6.
    发明申请
    RESISTANCE VARIABLE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
    电阻可变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20100176365A1

    公开(公告)日：2010-07-15

    申请号：US12684140

    申请日：2010-01-08

    申请人： Hyeyoung Park ,  Hyun Suk Kwon ,  Jin Ho Oh ,  Yong Ho Ha ,  Jeong Hee Park

    发明人： Hyeyoung Park ,  Hyun Suk Kwon ,  Jin Ho Oh ,  Yong Ho Ha ,  Jeong Hee Park

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/18 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

    摘要： A resistance variable memory device includes at least one bottom electrode, a first insulating layer containing a trench which exposes the at least one bottom electrode, and a resistance variable material layer including respective first and second portions located on opposite sidewalls of the trench, respectively, where the first and second portions of the resistance variable material layer are electrically connected to the at least one bottom electrode. The device further includes a protective layer covering the resistance variable material layer within the trench, and a second insulating layer located within the trench and covering the protective layer within the trench

    摘要翻译： 电阻可变存储器件包括至少一个底部电极，包含暴露至少一个底部电极的沟槽的第一绝缘层，以及包括分别位于沟槽的相对侧壁上的各自的第一和第二部分的电阻可变材料层， 其中电阻可变材料层的第一和第二部分电连接到至少一个底部电极。 该装置还包括覆盖沟槽内的电阻可变材料层的保护层和位于沟槽内并覆盖沟槽内的保护层的第二绝缘层

    Methods for fabricating phase change memory devices
    7.
    发明授权
    Methods for fabricating phase change memory devices 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08871559B2

    公开(公告)日：2014-10-28

    申请号：US13154631

    申请日：2011-06-07

    申请人： Hideki Horii ,  Hyun-Suk Kwon ,  Hyeyoung Park

    发明人： Hideki Horii ,  Hyun-Suk Kwon ,  Hyeyoung Park

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

    摘要： Provided is a method for fabricating a phase change memory device. The method includes forming a plurality of bottom electrodes on a substrate, forming a first mold layer on the substrate to extend in a first direction where the bottom electrodes are exposed, forming a second mold layer on the substrate, the second mold layer extending in a second direction orthogonal to the first direction to expose parts of the bottom electrodes, forming a phase change material layer on the first and second mold layers to be connected to parts of the bottom electrodes dividing the phase change material layer as a plurality of phase change layers respectively connected to the parts of the bottom electrodes and forming a plurality of top electrodes on the phase change layers.

    摘要翻译： 提供了一种制造相变存储器件的方法。 该方法包括在基板上形成多个底部电极，在基板上形成第一模具层，以在底部电极暴露的第一方向上延伸，在基板上形成第二模具层，第二模具层 与所述第一方向正交的第二方向以暴露所述底部电极的部分，在所述第一和第二模具层上形成相变材料层，以连接到将相变材料层划分为多个相变层的底部电极的部分 分别连接到底部电极的部分并在相变层上形成多个顶部电极。

    METHODS FOR FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY DEVICES
    8.
    发明申请
    METHODS FOR FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY DEVICES 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20110300685A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：US13154631

    申请日：2011-06-07

    申请人： HIDEKI HORII ,  Hyun-Suk Kwon ,  Hyeyoung Park

    发明人： HIDEKI HORII ,  Hyun-Suk Kwon ,  Hyeyoung Park

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691

    摘要： Provided is a method for fabricating a phase change memory device. The method includes forming a plurality of bottom electrodes on a substrate, forming a first mold layer on the substrate to extend in a first direction where the bottom electrodes are exposed, forming a second mold layer on the substrate, the second mold layer extending in a second direction orthogonal to the first direction to expose parts of the bottom electrodes, forming a phase change material layer on the first and second mold layers to be connected to parts of the bottom electrodes dividing the phase change material layer as a plurality of phase change layers respectively connected to the parts of the bottom electrodes and forming a plurality of top electrodes on the phase change layers.

    摘要翻译： 提供了一种制造相变存储器件的方法。 该方法包括在基板上形成多个底部电极，在基板上形成第一模具层，以在底部电极暴露的第一方向上延伸，在基板上形成第二模具层，第二模具层 与所述第一方向正交的第二方向以暴露所述底部电极的部分，在所述第一和第二模具层上形成相变材料层，以连接到将相变材料层划分为多个相变层的底部电极的部分 分别连接到底部电极的部分并在相变层上形成多个顶部电极。

    Methods of forming phase-changeable memory devices using growth-enhancing and growth-inhibiting layers for phase-changeable materials
    10.
    发明授权
    Methods of forming phase-changeable memory devices using growth-enhancing and growth-inhibiting layers for phase-changeable materials 失效
    使用用于相变材料的生长增强和生长抑制层形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07772067B2

    公开(公告)日：2010-08-10

    申请号：US12039370

    申请日：2008-02-28

    申请人： Jinil Lee ,  Suk Ho Joo ,  Dohyung Kim ,  Hyunjun Sim ,  Hyeyoung Park ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Jinil Lee ,  Suk Ho Joo ,  Dohyung Kim ,  Hyunjun Sim ,  Hyeyoung Park ,  Sunglae Cho ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Methods of forming phase-changeable memory devices include techniques to inhibit void formation in phase-changeable materials in order to increase device reliability. These techniques to inhibit void formation use an electrically insulating growth-inhibiting layer to guide the formation of a phase-changeable material region within a memory cell (e.g., PRAM cell). In particular, methods of forming an integrated circuit memory device include forming an interlayer insulating layer having an opening therein, on a substrate, and then lining sidewalls of the opening with a seed layer (i.e., growth-enhancing layer) that supports growth of a phase-changeable material thereon. An electrically insulating growth-inhibiting layer is then selectively formed on a portion of the interlayer insulating layer surrounding the opening. The formation of the growth-inhibiting layer is followed by a step to selectively grow a phase-changeable material region in the opening, but not on the growth-inhibiting layer.

    摘要翻译： 形成相变存储器件的方法包括抑制相变材料中的空隙形成的技术，以增加器件的可靠性。 抑制空隙形成的这些技术使用电绝缘的生长抑制层来引导存储单元（例如，PRAM单元）内的相变材料区域的形成。 特别地，形成集成电路存储器件的方法包括在衬底上形成其中具有开口的层间绝缘层，然后用支撑生长的种子层（即生长增强层）来衬套开口的侧壁 相变材料。 然后在围绕开口的层间绝缘层的一部分上选择性地形成电绝缘的生长抑制层。 生长抑制层的形成之后是选择性地生长开口中的相变材料区域，而不是在生长抑制层上生长的步骤。