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    ION SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF
    1.
    发明申请
    ION SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
    离子敏感场效应晶体管及其生产方法

    公开(公告)号：US20110018038A1

    公开(公告)日：2011-01-27

    申请号：US12506733

    申请日：2009-07-21

    申请人： Jer-Liang Andrew YEH ,  Shang-Jr Gwo

    发明人： Jer-Liang Andrew YEH ,  Shang-Jr Gwo

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： G01N27/414 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/772

    摘要： The present invention discloses an ion sensitive field effect transistor, comprising: a GaN/sapphire layer, used as a substrate; an a-InN:Mg epilayer, deposited on the GaN/sapphire layer, used to provide a current path; a first metal contact, deposited on the a-InN:Mg epilayer to provide drain contact; and a second metal contact, deposited on the a-InN:Mg epilayer to provide source contact; and a patterned insulating layer, used to cover the first metal contact, the second metal contact and the a-InN:Mg epilayer, wherein the patterned insulating layer has a contact window defining an exposure area of the a-InN:Mg epilayer.

    摘要翻译： 本发明公开了一种离子敏感场效应晶体管，包括：用作衬底的GaN /蓝宝石层; 沉积在GaN /蓝宝石层上的用于提供电流路径的a-InN：Mg外延层; 沉积在a-InN：Mg外延层上以提供漏极接触的第一金属接触; 和沉积在a-InN：Mg外延层上以提供源极接触的第二金属接触; 以及用于覆盖第一金属接触，第二金属接触和a-InN：Mg外延层的图案化绝缘层，其中图案化绝缘层具有限定a-InN：Mg外延层的曝光面积的接触窗口。

    ACETONE GAS SENSOR APPARATUS
    2.
    发明申请
    ACETONE GAS SENSOR APPARATUS 有权
    ACETONE气体传感器装置

    公开(公告)号：US20130259748A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：US13432108

    申请日：2012-03-28

    申请人： Jer-Liang Andrew Yeh ,  Shang-Jr Gwo

    发明人： Jer-Liang Andrew Yeh ,  Shang-Jr Gwo

    IPC分类号： G01N1/22

    CPC分类号： G01N33/0047 ,  G01N2033/4975

    摘要： An acetone gas sensor apparatus, including: a chamber, used for containing a gas sample taken from a breath of a person; and an acetone gas sensor, placed in the chamber for generating an output current in response to an acetone concentration of the gas sample, the acetone gas sensor including: a substrate; a buffer layer, deposited on the substrate; an InN epilayer, deposited on the buffer layer for providing a current path for the output current; a first conductive contact, deposited on the InN epilayer for providing a drain contact; and a second conductive contact, deposited on the InN epilayer for providing a source contact.

    摘要翻译： 一种丙酮气体传感器装置，包括：用于容纳从人的呼吸中取出的气体样品的室; 以及丙酮气体传感器，其被放置在所述室中，用于响应于所述气体样品的丙酮浓度产生输出电流，所述丙酮气体传感器包括：基底; 沉积在衬底上的缓冲层; 沉积在缓冲层上以提供用于输出电流的电流路径的InN外延层; 沉积在InN外延层上以提供漏极接触的第一导电接触; 以及沉积在InN外延层上以提供源极接触的第二导电接触。

    Ion sensitive field effect transistor and production method thereof
    3.
    发明授权
    Ion sensitive field effect transistor and production method thereof 有权
    离子敏感场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号：US08008691B2

    公开(公告)日：2011-08-30

    申请号：US12506733

    申请日：2009-07-21

    申请人： Jer-Liang Andrew Yeh ,  Shang-Jr Gwo

    发明人： Jer-Liang Andrew Yeh ,  Shang-Jr Gwo

    IPC分类号： G01N27/403

    CPC分类号： G01N27/414 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/772

    摘要： The present invention discloses an ion sensitive field effect transistor, comprising: a GaN/sapphire layer, used as a substrate; an a-InN:Mg epilayer, deposited on the GaN/sapphire layer, used to provide a current path; a first metal contact, deposited on the a-InN:Mg epilayer to provide drain contact; and a second metal contact, deposited on the a-InN:Mg epilayer to provide source contact; and a patterned insulating layer, used to cover the first metal contact, the second metal contact and the a-InN:Mg epilayer, wherein the patterned insulating layer has a contact window defining an exposure area of the a-InN:Mg epilayer.

    摘要翻译： 本发明公开了一种离子敏感场效应晶体管，包括：用作衬底的GaN /蓝宝石层; 沉积在GaN /蓝宝石层上的用于提供电流路径的a-InN：Mg外延层; 沉积在a-InN：Mg外延层上以提供漏极接触的第一金属接触; 和沉积在a-InN：Mg外延层上以提供源极接触的第二金属接触; 以及用于覆盖第一金属接触，第二金属接触和a-InN：Mg外延层的图案化绝缘层，其中图案化绝缘层具有限定a-InN：Mg外延层的曝光面积的接触窗口。

    Acetone gas sensor apparatus
    4.
    发明授权
    Acetone gas sensor apparatus 有权
    丙酮气体传感器装置

    公开(公告)号：US08950240B2

    公开(公告)日：2015-02-10

    申请号：US13432108

    申请日：2012-03-28

    申请人： Jer-Liang Andrew Yeh ,  Shang-Jr Gwo

    发明人： Jer-Liang Andrew Yeh ,  Shang-Jr Gwo

    IPC分类号： G01N33/497 ,  G01N27/00 ,  G01N1/22

    CPC分类号： G01N33/0047 ,  G01N2033/4975

    摘要： An acetone gas sensor apparatus, including: a chamber, used for containing a gas sample taken from a breath of a person; and an acetone gas sensor, placed in the chamber for generating an output current in response to an acetone concentration of the gas sample, the acetone gas sensor including: a substrate; a buffer layer, deposited on the substrate; an InN epilayer, deposited on the buffer layer for providing a current path for the output current; a first conductive contact, deposited on the InN epilayer for providing a drain contact; and a second conductive contact, deposited on the InN epilayer for providing a source contact.

    摘要翻译： 一种丙酮气体传感器装置，包括：用于容纳从人的呼吸中取出的气体样品的室; 以及丙酮气体传感器，其被放置在所述室中，用于响应于所述气体样品的丙酮浓度产生输出电流，所述丙酮气体传感器包括：基底; 沉积在衬底上的缓冲层; 沉积在缓冲层上以提供用于输出电流的电流路径的InN外延层; 沉积在InN外延层上以提供漏极接触的第一导电接触; 以及沉积在InN外延层上以提供源极接触的第二导电接触。

    Light-emitting diode display and method of producing the same
    6.
    发明授权
    Light-emitting diode display and method of producing the same 有权
    发光二极管显示器及其制造方法

    公开(公告)号：US08835903B2

    公开(公告)日：2014-09-16

    申请号：US13471329

    申请日：2012-05-14

    申请人： Shang-Jr Gwo ,  Yu-Jung Lu

    发明人： Shang-Jr Gwo ,  Yu-Jung Lu

    IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

    CPC分类号： H01L27/156 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

    摘要： This invention relates light-emitting diode displays with simple structure and fabricating method as well as excellent efficiency. In an embodiment, the display features a nanorod LED array arranged on a substrate and divided into a first, second, and third sub-pixels. Two electrodes are preferably arranged in a vertical configuration for driving the sub-pixels. In another embodiment, a method features the sub-pixels for emitting multi-primary colors being formed on a conductive substrate and thus simplifies the steps.

    摘要翻译： 本发明涉及具有简单结构和制造方法以及优异效率的发光二极管显示器。 在一个实施例中，显示器具有布置在衬底上并被分成第一，第二和第三子像素的纳米棒LED阵列。 两个电极优选地布置成垂直配置以驱动子像素。 在另一个实施例中，一种方法的特征在于用于发射多原色的子像素形成在导电衬底上，并因此简化了步骤。

    Method of producing III-nitride light-emitting diode
    7.
    发明授权
    Method of producing III-nitride light-emitting diode 有权
    生产III族氮化物发光二极管的方法

    公开(公告)号：US08669128B2

    公开(公告)日：2014-03-11

    申请号：US13335199

    申请日：2011-12-22

    申请人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

    发明人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

    摘要： This invention relates to structures and fabricating methods of light-emitting diodes capable of emitting white or a color within full-visible-spectrum with better efficiency and flexibility. An embodiment provides a light-emitting diode array consisted of one or more light-emitting diodes on a substrate. Each light-emitting diode comprises a first doped nanorod, an active light-emitting region consisted of one or more nanodisks on the first doped nanorod, and a second doped nanorod on the active light-emitting region. Another embodiment provides a fabricating method of the light-emitting diode array.

    摘要翻译： 本发明涉及能够以更好的效率和灵活性在全可见光谱内发射白色或彩色的发光二极管的结构和制造方法。 实施例提供了由基板上的一个或多个发光二极管组成的发光二极管阵列。 每个发光二极管包括第一掺杂纳米棒，由第一掺杂纳米棒上的一个或多个纳米棒组成的有源发光区域和在有源发光区域上的第二掺杂纳米棒。 另一实施例提供了一种发光二极管阵列的制造方法。

    Nanoparticle film and forming method and application thereof
    8.
    发明授权
    Nanoparticle film and forming method and application thereof 有权
    纳米微粒薄膜及其成型方法及应用

    公开(公告)号：US08309185B2

    公开(公告)日：2012-11-13

    申请号：US12773565

    申请日：2010-05-04

    申请人： Meng-Hsien Lin ,  Hung-Ying Chen ,  Shang-Jr Gwo

    发明人： Meng-Hsien Lin ,  Hung-Ying Chen ,  Shang-Jr Gwo

    IPC分类号： H05H1/24 ,  B05D3/00 ,  B05D1/38 ,  B05D1/18

    CPC分类号： B05D1/00 ,  B05D1/18 ,  B82Y30/00 ,  Y10T428/25

    摘要： One embodiment of the present invention provides a method for forming a nanoparticle film, which comprises the steps of: preparing a nanoparticle solution, which comprises a solvent and supersaturated nanoparticles with surface ligand molecules; and dip coating a substrate to the nanoparticle solutions to form a first monolayer of the nanoparticles on the substrate, the first monolayer and repeatedly formed monolayers on top of the first monolayer constructing the nanoparticle film. Another embodiment of the present invention provides a nanoparticle film, comprising a first monolayer consisted of a two-dimensional nanoparticles array that are near-field coupled with each other to have tunable plasmonic properties by changing the number of stacked monolayers.

    摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了形成纳米颗粒膜的方法，其包括以下步骤：制备纳米颗粒溶液，其包含溶剂和具有表面配体分子的过饱和纳米颗粒; 并将底物浸涂到纳米颗粒溶液中以在衬底上形成纳米颗粒的第一单层，第一单层并且在构成纳米颗粒膜的第一单层的顶部上重复形成单层。 本发明的另一个实施方案提供一种纳米颗粒膜，其包含由二维纳米颗粒组成的第一单层，其通过改变层叠单层的数量而彼此近场耦合以具有可调谐的等离子体特性。

    III-Nitride light-emitting diode and method of producing the same
    9.
    发明授权
    III-Nitride light-emitting diode and method of producing the same 有权
    III型氮化物发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号：US08242523B2

    公开(公告)日：2012-08-14

    申请号：US12846443

    申请日：2010-07-29

    申请人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

    发明人： Shang-Jr Gwo ,  Hon-Way Lin ,  Yu-Jung Lu

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

    摘要： Embodiments of the present invention provides III-nitride light-emitting diodes, which primarily include a first electrode, a n-type gallium nitride (GaN) nanorod array consisted of one or more n-type GaN nanorods ohmic contacting with the first electrode, one or more indium gallium nitride (InGaN) nanodisks disposed on each of the n-type GaN nanorods, a p-type GaN nanorod array consisted of one or more p-type GaN nanorods, where one p-type GaN nanorod is disposed on top of the one ore more InGaN nanodisks disposed on each of the n-type GaN nanorods, and a second electrode ohmic contacts with the p-type GaN nanorod array.

    摘要翻译： 本发明的实施方案提供了III族氮化物发光二极管，其主要包括第一电极，由与第一电极欧姆接触的一个或多个n型GaN纳米棒组成的n型氮化镓（GaN）纳米棒阵列，一个 或更多的配置在n型GaN纳米棒每一个上的氮化铟镓（InGaN）纳米磁盘，由一个或多个p型GaN纳米棒构成的p型GaN纳米棒阵列，其中一个p型GaN纳米棒位于 设置在每个n型GaN纳米棒上的一个或多个InGaN纳米磁盘，以及与p型GaN纳米棒阵列欧姆接触的第二电极。