公开(公告)号：US20070066061A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11523604

申请日：2006-09-20

申请人： Jung-Sik Choi ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho ,  Dong-Jun Lee

发明人： Jung-Sik Choi ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho ,  Dong-Jun Lee

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C07F5/069 ,  C23C16/18 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： An organic aluminum precursor includes aluminum as a central metal, and borohydride and trimethylamine as ligands. In a method of forming an aluminum layer or wire, the organic aluminum presursor is introduced onto a substrate, and then thermally decomposed. The aluminum decomposed from the organic aluminum precursor is deposited on the substrate.

摘要翻译： 有机铝前体包括铝作为中心金属，硼氢化物和三甲胺作为配体。 在形成铝层或线材的方法中，将有机铝前驱体引入到基板上，然后热分解。 从有机铝前体分解的铝沉积在基材上。

公开(公告)号：US07488684B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US11523604

申请日：2006-09-20

申请人： Jung-Sik Choi ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho ,  Dong-Jun Lee

发明人： Jung-Sik Choi ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho ,  Dong-Jun Lee

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C07F5/069 ,  C23C16/18 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： An organic aluminum precursor includes aluminum as a central metal, and borohydride and trimethylamine as ligands. In a method of forming an aluminum layer or wire, the organic aluminum presursor is introduced onto a substrate, and then thermally decomposed. The aluminum decomposed from the organic aluminum precursor is deposited on the substrate.

摘要翻译： 有机铝前体包括铝作为中心金属，硼氢化物和三甲胺作为配体。 在形成铝层或线材的方法中，将有机铝前驱体引入到基板上，然后热分解。 从有机铝前体分解的铝沉积在基材上。

公开(公告)号：US07582573B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11889123

申请日：2007-08-09

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Jung-Sik Choi ,  Dong-Jun Lee

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Jung-Sik Choi ,  Dong-Jun Lee

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L27/10894 ,  C09D183/16 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  Y10T428/31663

摘要： A spin-on glass (SOG) composition and a method of forming a silicon oxide layer utilizing the SOG composition are disclosed. The method includes coating on a semiconductor substrate having a surface discontinuity, an SOG composition containing polysilazane having a compound of the formula —(SiH2NH)n— wherein n represents a positive integer, a weight average molecular weight within the range of about 3,300 to 3,700 to form a planar SOG layer. The SOG layer is converted to a silicon oxide layer with a planar surface by curing the SOG layer. Also disclosed is a semiconductor device made by the method.

摘要翻译： 公开了旋涂玻璃（SOG）组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。 该方法包括在具有表面不连续性的半导体衬底上涂覆，含有具有式 - （SiH 2 NH）n - 的化合物的聚硅氮烷的SOG组合物，其中n表示正整数，重均分子量在约3300至3,700 以形成平面SOG层。 通过固化SOG层将SOG层转化为具有平坦表面的氧化硅层。 还公开了通过该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：US20070281498A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11889123

申请日：2007-08-09

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Jung-Sik Choi ,  Dong-Jun Lee

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Jung-Sik Choi ,  Dong-Jun Lee

IPC分类号： C08G77/00

CPC分类号： H01L27/10894 ,  C09D183/16 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  Y10T428/31663

摘要： A spin-on glass (SOG) composition and a method of forming a silicon oxide layer utilizing the SOG composition are disclosed. The method includes coating on a semiconductor substrate having a surface discontinuity, an SOG composition containing polysilazane having a compound of the formula —(SiH2NH)n— wherein n represents a positive integer, a weight average molecular weight within the range of about 3,300 to 3,700 to form a planar SOG layer. The SOG layer is converted to a silicon oxide layer with a planar surface by curing the SOG layer. Also disclosed is a semiconductor device made by the method.

公开(公告)号：US07270886B2

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US10861517

申请日：2004-06-07

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Jung-Sik Choi ,  Dong-Jun Lee

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Jung-Sik Choi ,  Dong-Jun Lee

IPC分类号： B32B7/02 ,  H01L21/316 ,  C08L83/00

CPC分类号： H01L27/10894 ,  C09D183/16 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  Y10T428/31663

摘要： A spin-on glass (SOG) composition and a method of forming a silicon oxide layer utilizing the SOG composition are disclosed. The method includes coating on a semiconductor substrate having a surface discontinuity, an SOG composition containing polysilazane having a compound of the formula —(SiH2NH)n— wherein n represents a positive integer, a weight average molecular weight within the range of about 3,300 to 3,700 to form a planar SOG layer. The SOG layer is converted to a silicon oxide layer with a planar surface by curing the SOG layer. Also disclosed is a semiconductor device made by the method.

摘要翻译： 公开了旋涂玻璃（SOG）组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。 该方法包括在具有表面不连续性的半导体衬底上涂覆，含有具有下式化合物的聚硅氮烷的SOG组合物 - （SiH 2 NH 3）n - 其中n表示 正整数，重均分子量在约3300至3,700的范围内以形成平面SOG层。 通过固化SOG层将SOG层转化为具有平坦表面的氧化硅层。 还公开了通过该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：US06479405B2

公开(公告)日：2002-11-12

申请号：US09985615

申请日：2001-11-05

申请人： Jung-Ho Lee ,  Dong-Jun Lee ,  Dae-Won Kang ,  Sung-Taek Moon ,  Gi-Hag Lee ,  Jung-Sik Choi

发明人： Jung-Ho Lee ,  Dong-Jun Lee ,  Dae-Won Kang ,  Sung-Taek Moon ,  Gi-Hag Lee ,  Jung-Sik Choi

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： C23C18/1283 ,  C08G77/62 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521

摘要： A method of forming a silicon oxide layer of a semiconductor device comprising coating a spin-on glass (SOG) composition including perhydropolysilazane having a compound of the formula (SiH2NH2)n where n represents a positive integer on a semiconductor substrate having a surface discontinuity, to form a planar SOG layer; and forming a silicon oxide layer with a planar surface by implementing a first heat treatment to convert an SOG solution into oxide and a second heat treatment to densify thus obtained oxide. The silicon oxide layer of the present invention can bury a gap between gaps of VLSI having a high aspect ratio and gives the same characteristics as a CVD oxide layer. Further, the oxidation of silicon in the active region is restrained in the present invention to secure dimension stability. Also disclosed is a semiconductor device made by the method.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的氧化硅层的方法，包括在具有表面不连续性的半导体衬底上涂覆包含具有式（SiH 2 NH 2）n的化合物的全氢聚硅氮烷的旋涂玻璃（SOG）组合物，其中n表示正整数， 以形成平面SOG层; 以及通过实施第一热处理以将SOG溶液转化为氧化物并进行第二热处理以致密化由此获得的氧化物，形成具有平坦表面的氧化硅层。 本发明的氧化硅层可以在具有高纵横比的VLSI的间隙之间埋设间隙，并赋予与CVD氧化物层相同的特性。 此外，本发明中限制了活性区域中硅的氧化以确保尺寸稳定性。 还公开了通过该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：US07053005B2

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：US10779733

申请日：2004-02-18

申请人： Jung-Ho Lee ,  Dong-Jun Lee ,  Jung-Sik Choi

发明人： Jung-Ho Lee ,  Dong-Jun Lee ,  Jung-Sik Choi

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10894 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  Y10T428/31663

摘要： A method of forming a silicon oxide layer in a semiconductor manufacturing process includes forming a planar spin on glass (SOG) layer by coating an SOG composition onto a semiconductor substrate having a stepped portion formed thereon, pre-baking the substrate at a temperature of from about 100 to about 500° C. for about 1 to about 10 minutes, maintaining a loading temperature of a furnace into which the substrate will be loaded at about 500° C. or less, loading the substrate into the furnace, and main-baking the substrate at a temperature of from about 500 to about 1200° C. for about 10 to about 120 minutes to form a silicon oxide layer on the substrate. The SOG layer is transformed into the silicon oxide layer through an optimized process condition. Thus, the silicon oxide layer may have minimal defects and a good layer property.

摘要翻译： 在半导体制造工艺中形成氧化硅层的方法包括通过将SOG组合物涂覆到其上形成有阶梯部分的半导体衬底上，在玻璃（SOG）层上形成平面自旋， 约100至约500℃约1至约10分钟，保持基材将在约500℃或更低的温度下加载到其中的炉的装载温度，将基底装入炉中，并将主烘烤 该衬底在约500至约1200℃的温度下进行约10至约120分钟，以在衬底上形成氧化硅层。 SOG层通过优化的工艺条件转化为氧化硅层。 因此，氧化硅层可以具有最小的缺陷和良好的层特性。

公开(公告)号：US07179537B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US10278992

申请日：2002-10-24

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Hong-Ki Kim ,  Dong-Jun Lee ,  Dae-Won Kang ,  Sang-Mun Chon

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Hong-Ki Kim ,  Dong-Jun Lee ,  Dae-Won Kang ,  Sang-Mun Chon

IPC分类号： B32B27/06 ,  H01L21/31 ,  C08L83/04

CPC分类号： H01L21/76229 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/823481 ,  Y10T428/31663

摘要： A spin-on glass (SOG) composition and a method of forming a silicon oxide layer utilizing the SOG composition are disclosed. The method includes coating on a semiconductor substrate having a surface discontinuity, an SOG composition containing perhydropolysilazane having a compound of the formula —(SiH2NH)n— wherein n represents a positive integer, a weight average molecular weight within the range of about 4,000 to 8,000, and a molecular weight dispersion within the range of about 3.0 to 4.0, to form a planar SOG layer. The SOG layer is converted to a silicon oxide layer with a planar surface by curing the SOG layer. Also disclosed is a semiconductor device made by the method.

摘要翻译： 公开了旋涂玻璃（SOG）组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。 该方法包括在具有表面不连续性的半导体衬底上涂覆，含有具有下式化合物的全氢聚硅氮烷的SOG组合物 - （SiH 2 NH 3）n - 其中n表示 正整数，重均分子量在约4,000至8,000范围内，分子量分散在约3.0至4.0的范围内，以形成平面SOG层。 通过固化SOG层将SOG层转化为具有平坦表面的氧化硅层。 还公开了通过该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：US06706646B1

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US09686624

申请日：2000-10-12

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Hong-Ki Kim ,  Dong-Jun Lee ,  Dae-Won Kang ,  Sang-Mun Chon

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Hong-Ki Kim ,  Dong-Jun Lee ,  Dae-Won Kang ,  Sang-Mun Chon

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/76229 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/823481 ,  Y10T428/31663

摘要： A spin-on glass (SOG) composition and a method of forming a silicon oxide layer utilizing the SOG composition are disclosed. The method includes coating on a semiconductor substrate having a surface discontinuity, an SOG composition containing perhydropolysilazane having a compound of the formula —(SiH2NH)n— wherein n represents a positive integer, a weight average molecular weight within the range of about 4,000 to 8,000, and a molecular weight dispersion within the range of about 3.0 to 4.0, to form a planar SOG layer. The SOG layer is converted to a silicon oxide layer with a planar surface by curing the SOG layer. Also disclosed is a semiconductor device made by the method.

摘要翻译： 公开了旋涂玻璃（SOG）组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。 该方法包括在具有表面不连续性的半导体衬底上涂覆，含有具有式 - （SiH 2 NH）n - 的化合物的全氢聚硅氮烷的SOG组合物，其中n表示正整数，重均分子量在约4,000至8,000范围内 ，分子量分散在约3.0〜4.0的范围内，形成平面状的SOG层。 通过固化SOG层将SOG层转化为具有平坦表面的氧化硅层。 还公开了通过该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：US08412457B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13551172

申请日：2012-07-17

申请人： Dong-Jun Lee

发明人： Dong-Jun Lee

IPC分类号： G01C21/12 ,  G01S3/02

CPC分类号： G01C21/00 ,  G01C21/362

摘要： A method and apparatus are provided for setting a desired destination in a navigation terminal. A position information message is received. Position coordinates corresponding to the position information included in the position information message are set as the position coordinates of a desired destination related to a certain route.

摘要翻译： 提供了一种用于在导航终端中设置所需目的地的方法和装置。 接收位置信息消息。 将与包括在位置信息消息中的位置信息相对应的位置坐标设置为与特定路线相关的期望目的地的位置坐标。