公开(公告)号：US06461435B1

公开(公告)日：2002-10-08

申请号：US09603117

申请日：2000-06-22

申请人： Karl A. Littau ,  Bevan Vo ,  Salvador P. Umotoy ,  Son N. Trinh ,  Chien-Teh Kao ,  Ken Kaung Lai ,  Bo Zheng ,  Ping Jian ,  Siqing Lu ,  Anzhong Chang

发明人： Karl A. Littau ,  Bevan Vo ,  Salvador P. Umotoy ,  Son N. Trinh ,  Chien-Teh Kao ,  Ken Kaung Lai ,  Bo Zheng ,  Ping Jian ,  Siqing Lu ,  Anzhong Chang

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244

摘要： A showerhead for distributing gases in a semiconductor process chamber. In one embodiment, a showerhead comprising a perforated center portion, a mounting portion circumscribing the perforated center portion and a plurality of bosses extending from the mounting portion each having a hole disposed therethrough is provided. Another embodiment of the invention provides a showerhead that includes a mounting portion having a first side circumscribing a perforated center portion. A ring extends from the first side of the mounting portion. A plurality of mounting holes are disposed in the mounting portion radially to either side of the ring. The showerhead provides controlled thermal transfer between the showerhead and chamber lid resulting in less deposition on the showerhead.

摘要翻译： 用于在半导体处理室中分配气体的喷头。 在一个实施例中，提供了一种喷头，包括穿孔中心部分，围绕穿孔中心部分的安装部分和从安装部分延伸的多个凸起，每个凸起具有穿过其中设置的孔。 本发明的另一个实施例提供了一种喷头，其包括具有围绕穿孔中心部分的第一侧面的安装部分。 环从安装部分的第一侧延伸。 多个安装孔径向地设置在安装部分的环的任一侧。 淋浴头在喷头和室盖之间提供受控的热转印，从而在喷头上沉积较少。

公开(公告)号：US06603269B1

公开(公告)日：2003-08-05

申请号：US09593586

申请日：2000-06-13

申请人： Be Van Vo ,  Salvador P. Umotoy ,  Son N. Trinh ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Sergio Edelstein ,  Avi Tepman ,  Chien-Teh Kao ,  Kenneth Tsai

发明人： Be Van Vo ,  Salvador P. Umotoy ,  Son N. Trinh ,  Lawrence Chung-Lai Lei ,  Sergio Edelstein ,  Avi Tepman ,  Chien-Teh Kao ,  Kenneth Tsai

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： H01J37/32192

摘要： An improved plasma applicator for remotely generating a plasma for use in semiconductor manufacturing is provided. In one embodiment, a plasma applicator is comprised of a chamber assembly, a removable waveguide adapter and a circular clamp which secures the adapter to the chamber assembly. The chamber assembly includes an aperture plate, a microwave transparent window, a chamber body and a microwave sensor which is mounted on the chamber body. The chamber body has a proximate end opening adapted to admit microwave energy into the cavity and a distal end disposed generally on the opposite side of the cavity from the proximate end opening. The chamber body further has a gas outlet port adapted to permit the flow of an excited gas out of the cavity and a gas inlet port adapted to admit a precursor gas into the cavity. The gas inlet port has a center axis which is disposed between the proximate end opening of the chamber body and the midpoint between the proximate end opening and the distal end of the body.

摘要翻译： 提供了用于远程产生用于半导体制造的等离子体的改进的等离子体施加器。 在一个实施例中，等离子体施加器由腔室组件，可移除波导适配器和将适配器固定到腔室组件的圆形夹具构成。 腔室组件包括孔板，微波透明窗，室主体和安装在腔体上的微波传感器。 室主体具有适于将微波能量引入空腔中的近端开口，以及大致位于与近端开口相反的空腔相对侧的远端。 腔体还具有气体出口端口，其适于允许将激发气体流出空腔，气体入口端口适于将前体气体引入空腔。 气体入口具有中心轴线，该中心轴线设置在腔室主体的近端开口和本体的近端开口和远端之间的中点之间。

公开(公告)号：US08318605B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12173331

申请日：2008-07-15

申请人： Chien-Teh Kao ,  Haichun Yang ,  Xinliang Lu ,  Mei Chang

发明人： Chien-Teh Kao ,  Haichun Yang ,  Xinliang Lu ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

摘要： Formation of BPSG surface defects upon exposure to atmosphere is prevented by a plasma treatment method for converting boron and/or phosphorus materials separated from silicon near the surface of the doped glass layer to gas phase compounds. The treatment plasma is generated from a treatment process gas containing one of (a) a fluorine compound or (b) a hydrogen compound.

摘要翻译： 通过等离子体处理方法防止在暴露于大气中形成BPSG表面缺陷，用于将从掺杂玻璃层表面附近的硅分离的硼和/或磷材料转化为气相化合物。 处理等离子体由含有（a）氟化合物或（b）氢化合物的处理气体产生。

公开(公告)号：US08252696B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12247059

申请日：2008-10-07

申请人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

发明人： Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  Nan Lu ,  David T. Or ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： Methods for etching dielectric layers comprising silicon and nitrogen are provided herein. In some embodiments, such methods may include providing a substrate having a dielectric layer comprising silicon and nitrogen disposed thereon, forming reactive species from a process gas comprising hydrogen (H2) and nitrogen trifluoride (NF3) using a remote plasma; and etching the dielectric layer using the reactive species. In some embodiments, an oxide layer is disposed adjacent to the dielectric layer. In some embodiments, the flow rate ratio of the process gas can be adjusted such that an etch selectivity of the dielectric layer to at least one of the oxide layer or the substrate is between about 0.8 to about 4.

摘要翻译： 本文提供了用于蚀刻包含硅和氮的电介质层的方法。 在一些实施例中，这样的方法可以包括提供具有介于其上的硅和氮的电介质层的衬底，使用远程等离子体从包括氢（H 2）和三氟化氮（NF 3）的工艺气体形成反应物种; 并使用反应性物质蚀刻介电层。 在一些实施例中，氧化物层邻近电介质层设置。 在一些实施方案中，可以调节处理气体的流速比，使得介电层与氧化物层或基底中的至少一个的蚀刻选择性在约0.8至约4之间。

公开(公告)号：US07955510B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12642268

申请日：2009-12-18

申请人： Reza Arghavani ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu

发明人： Reza Arghavani ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/20 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

摘要： The present invention generally provides apparatus and methods for selectively removing various oxides on a semiconductor substrate. One embodiment of the invention provides a method for selectively removing an oxide on a substrate at a desired removal rate using an etching gas mixture. The etching gas mixture comprises a first gas and a second gas, and a ratio of the first gas and a second gas is determined by the desired removal rate.

摘要翻译： 本发明通常提供用于选择性地去除半导体衬底上的各种氧化物的装置和方法。 本发明的一个实施方案提供了一种使用蚀刻气体混合物以期望的去除速率选择性地去除衬底上的氧化物的方法。 蚀刻气体混合物包括第一气体和第二气体，并且第一气体和第二气体的比例由所需的去除速率确定。

公开(公告)号：US20100099263A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12254716

申请日：2008-10-20

申请人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  David T. Or ,  Mei Chang

发明人： Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu ,  Haichun Yang ,  Zhenbin Ge ,  David T. Or ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/465 ,  H01L21/428

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

摘要： A method and apparatus for selectively etching doped semiconductor oxides faster than undoped oxides. The method comprises applying dissociative energy to a mixture of nitrogen trifluoride and hydrogen gas remotely, flowing the activated gas toward a processing chamber to allow time for charged species to be extinguished, and applying the activated gas to the substrate. Reducing the ratio of hydrogen to nitrogen trifluoride increases etch selectivity. A similar process may be used to smooth surface defects in a silicon surface.

摘要翻译： 一种用于比未掺杂氧化物更快地选择性地蚀刻掺杂半导体氧化物的方法和装置。 所述方法包括将离解能量远离将三氯化氢和氢气的混合物应用，将活化气体向处理室流动，以使带电物质的时间消失，并将活性气体施加到基底上。 降低氢气与三氟化氮的比例提高了蚀刻选择性。 可以使用类似的工艺来平滑硅表面中的表面缺陷。

公开(公告)号：US20100093151A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12642268

申请日：2009-12-18

申请人： Reza Arghavani ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu

发明人： Reza Arghavani ,  Chien-Teh Kao ,  Xinliang Lu

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/20 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

摘要： The present invention generally provides apparatus and methods for selectively removing various oxides on a semiconductor substrate. One embodiment of the invention provides a method for selectively removing an oxide on a substrate at a desired removal rate using an etching gas mixture. The etching gas mixture comprises a first gas and a second gas, and a ratio of the first gas and a second gas is determined by the desired removal rate.

摘要翻译： 本发明通常提供用于选择性地去除半导体衬底上的各种氧化物的装置和方法。 本发明的一个实施方案提供了一种使用蚀刻气体混合物以期望的去除速率选择性地去除衬底上的氧化物的方法。 蚀刻气体混合物包括第一气体和第二气体，并且第一气体和第二气体的比例由所需的去除速率确定。

公开(公告)号：US07550381B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11183999

申请日：2005-07-18

申请人： Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Chiukin Steve Lai ,  Mei Chang

发明人： Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Chiukin Steve Lai ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/321 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  Y10S438/906

摘要： Method for recovering treated metal silicide surfaces or layers are provided. In at least one embodiment, a substrate having an at least partially oxidized metal silicide surface disposed thereon is cleaned to remove the oxidized regions to provide an altered metal silicide surface. The altered metal silicide surface is then exposed to one or more silicon-containing compounds at conditions sufficient to recover the metal silicide surface.

摘要翻译： 提供了处理金属硅化物表面或层的回收方法。 在至少一个实施例中，清洁具有设置在其上的至少部分氧化的金属硅化物表面的衬底以除去氧化区域以提供改变的金属硅化物表面。 然后在足以回收金属硅化物表面的条件下将改变的金属硅化物表面暴露于一种或多种含硅化合物。

公开(公告)号：US20090104764A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11876649

申请日：2007-10-22

申请人： Li-Qun Xia ,  Mihaela Balseanu ,  Victor Nguyen ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad ,  Haichun Yang ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

发明人： Li-Qun Xia ,  Mihaela Balseanu ,  Victor Nguyen ,  Derek R. Witty ,  Hichem M'Saad ,  Haichun Yang ,  Xinliang Lu ,  Chien-Teh Kao ,  Mei Chang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23F1/00 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a structure includes forming at least one feature across a surface of a substrate. A nitrogen-containing dielectric layer is formed over the at least one feature. A first portion of the nitrogen-containing layer on at least one sidewall of the at least one feature is removed at a first rate and a second portion of the nitrogen-containing layer over the substrate adjacent to a bottom region of the at least one feature is removed at a second rate. The first rate is greater than the second rate. A dielectric layer is formed over the nitrogen-containing dielectric layer.

摘要翻译： 一种用于形成结构的方法包括在衬底的表面上形成至少一个特征。 在至少一个特征上形成含氮介电层。 在至少一个特征的至少一个侧壁上的含氮层的第一部分以第一速率除去，并且含氮层的第二部分在邻近至少一个特征的底部区域的衬底上 以第二速率被去除。 第一个比率大于第二个比率。 在含氮介电层上形成介电层。

公开(公告)号：US20090095621A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12257093

申请日：2008-10-23

申请人： Chien-Teh Kao ,  Joel M. Huston ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Joel M. Huston ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan

IPC分类号： C25F7/00

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one aspect, the apparatus comprises a support assembly. In one embodiment, the support assembly includes a shaft coupled to a disk-shaped body. The shaft has a vacuum conduit, a heat transfer fluid conduit and a gas conduit formed therein. The disk-shaped body includes an upper surface, a lower surface and a cylindrical outer surface. A thermocouple is embedded in the disk-shaped body. A flange extends radially outward from the cylindrical outer surface, wherein the lower surface of the disk-shaped body comprises one side of the flange. A fluid channel is formed in the disk-shaped body proximate the flange and lower surface. The fluid channel is coupled to the heat transfer fluid conduit of the shaft. A plurality of grooves are formed in the upper surface of the disk-shaped body, and are coupled by a hole in the disk-shaped body to the vacuum conduit of the shaft. A gas conduit is formed through the disk-shaped body and couples the gas conduit of the shaft to the cylindrical outer surface of the disk-shaped body. The gas conduit in the disk-shaped body has an orientation substantially perpendicular to a centerline of the disk-shaped body.

摘要翻译： 提供了一种从衬底表面去除天然氧化物的方法和装置。 在一个方面，该装置包括支撑组件。 在一个实施例中，支撑组件包括联接到盘形主体的轴。 轴具有真空导管，传热流体导管和形成在其中的气体导管。 盘状体包括上表面，下表面和圆柱形外表面。 热电偶嵌入盘状体。 凸缘从圆柱形外表面径向向外延伸，其中盘形体的下表面包括凸缘的一侧。 液体通道形成在靠近凸缘和下表面的盘形体中。 流体通道联接到轴的传热流体导管。 在盘状体的上表面上形成有多个槽，并且通过盘状体中的孔与轴的真空管道连接。 气体导管通过盘状体形成并将轴的气体导管连接到盘形体的圆柱形外表面。 盘状体中的气体导管具有与盘状体的中心线大致垂直的取向。