公开(公告)号：US20110084369A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12575532

申请日：2009-10-08

申请人： Hannes Eder ,  Ivan Nikitin ,  Manfred Schneegans ,  Jens Goerlich ,  Karsten Guth ,  Alexander Heinrich

发明人： Hannes Eder ,  Ivan Nikitin ,  Manfred Schneegans ,  Jens Goerlich ,  Karsten Guth ,  Alexander Heinrich

IPC分类号： H01L23/495 ,  B23K31/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83399 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A description is given of a method. In one embodiment the method includes providing a semiconductor chip with semiconductor material being exposed at a first surface of the semiconductor chip. The semiconductor chip is placed over a carrier with the first surface facing the carrier. An electrically conductive material is arranged between the semiconductor chip and the carrier. Heat is applied to attach the semiconductor chip to the carrier.

摘要翻译： 给出了一种方法的描述。 在一个实施例中，该方法包括提供半导体芯片，该半导体芯片在半导体芯片的第一表面处被暴露。 半导体芯片放置在载体上，第一表面面向载体。 在半导体芯片和载体之间布置导电材料。 施加热量以将半导体芯片附接到载体上。

公开(公告)号：US08637379B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12575532

申请日：2009-10-08

申请人： Hannes Eder ,  Ivan Nikitin ,  Manfred Schneegans ,  Jens Goerlich ,  Karsten Guth ,  Alexander Heinrich

发明人： Hannes Eder ,  Ivan Nikitin ,  Manfred Schneegans ,  Jens Goerlich ,  Karsten Guth ,  Alexander Heinrich

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L21/44 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83399 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A description is given of a method. In one embodiment the method includes providing a semiconductor chip with semiconductor material being exposed at a first surface of the semiconductor chip. The semiconductor chip is placed over a carrier with the first surface facing the carrier. An electrically conductive material is arranged between the semiconductor chip and the carrier. Heat is applied to attach the semiconductor chip to the carrier.

摘要翻译： 给出了一种方法的描述。 在一个实施例中，该方法包括提供半导体芯片，该半导体芯片在半导体芯片的第一表面处被暴露。 半导体芯片放置在载体上，第一表面面向载体。 在半导体芯片和载体之间布置导电材料。 施加热量以将半导体芯片附接到载体上。

公开(公告)号：US08415207B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US13591607

申请日：2012-08-22

申请人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

发明人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

摘要： A module includes a substrate including a first copper surface and a semiconductor chip. The module includes a first sintered joint bonding the semiconductor chip directly to the first copper surface.

摘要翻译： 模块包括包括第一铜表面和半导体芯片的衬底。 模块包括将半导体芯片直接连接到第一铜表面的第一烧结接头。

公开(公告)号：US20090294963A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12128224

申请日：2008-05-28

申请人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

发明人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10S977/777 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83205

摘要： A method comprises applying a paste comprising metal grains, a solvent, and a sintering inhibitor to one of a die and a metal layer. The method comprises evaporating the solvent in the paste and placing the one of the die and the metal layer on the other of the die and the metal layer such that the paste contacts the die and the metal layer. The method comprises applying a force to the one of the die and the metal layer and decomposing the sintering inhibitors to form a sintered joint joining the die to the metal layer.

摘要翻译： 一种方法包括将包含金属颗粒，溶剂和烧结抑制剂的糊料涂覆在模具和金属层之一中。 该方法包括蒸发糊料中的溶剂，并将模具和金属层中的一个放置在管芯和金属层的另一个上，使得膏体与管芯和金属层接触。 该方法包括向模具和金属层中的一个施加力并分解烧结抑制剂以形成将金属模与金属层接合的烧结接头。

公开(公告)号：US08603864B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US12208862

申请日：2008-09-11

申请人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

发明人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  C25D7/123 ,  H01L23/142 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of fabricating a semiconductor device. One embodiment provides a metal carrier. A semiconductor chip is provided. A porous layer is produced at a surface of at least one of the carrier and the semiconductor chip. The semiconductor chip is placed on the carrier. The resulting structure is heated until the semiconductor chip is attached to the carrier.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法。 一个实施例提供一种金属载体。 提供半导体芯片。 在载体和半导体芯片中的至少一个的表面上产生多孔层。 将半导体芯片放置在载体上。 将所得到的结构加热直到半导体芯片附着到载体上。

公开(公告)号：US20120312864A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13591607

申请日：2012-08-22

申请人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

发明人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： B23K31/02

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

摘要： A module includes a substrate including a first copper surface and a semiconductor chip. The module includes a first sintered joint bonding the semiconductor chip directly to the first copper surface.

摘要翻译： 模块包括包括第一铜表面和半导体芯片的衬底。 模块包括将半导体芯片直接连接到第一铜表面的第一烧结接头。

公开(公告)号：US08253233B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12031377

申请日：2008-02-14

申请人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

发明人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

摘要： A module includes a substrate including a first copper surface and a semiconductor chip. The module includes a first sintered joint bonding the semiconductor chip directly to the first copper surface.

摘要翻译： 模块包括包括第一铜表面和半导体芯片的衬底。 模块包括将半导体芯片直接连接到第一铜表面的第一烧结接头。

公开(公告)号：US07682875B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US12128224

申请日：2008-05-28

申请人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

发明人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10S977/777 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83205

摘要： A method comprises applying a paste comprising metal grains, a solvent, and a sintering inhibitor to one of a die and a metal layer. The method comprises evaporating the solvent in the paste and placing the one of the die and the metal layer on the other of the die and the metal layer such that the paste contacts the die and the metal layer. The method comprises applying a force to the one of the die and the metal layer and decomposing the sintering inhibitors to form a sintered joint joining the die to the metal layer.

摘要翻译： 一种方法包括将包含金属颗粒，溶剂和烧结抑制剂的糊料涂覆在模具和金属层之一中。 该方法包括蒸发糊料中的溶剂，并将模具和金属层中的一个放置在管芯和金属层的另一个上，使得膏体与管芯和金属层接触。 该方法包括向模具和金属层中的一个施加力并分解烧结抑制剂以形成将金属模与金属层接合的烧结接头。

公开(公告)号：US20100059857A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12208862

申请日：2008-09-11

申请人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

发明人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/83 ,  C25D7/123 ,  H01L23/142 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of fabricating a semiconductor device. One embodiment provides a metal carrier. A semiconductor chip is provided. A porous layer is produced at a surface of at least one of the carrier and the semiconductor chip. The semiconductor chip is placed on the carrier. The resulting structure is heated until the semiconductor chip is attached to the carrier.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法。 一个实施例提供一种金属载体。 提供半导体芯片。 在载体和半导体芯片中的至少一个的表面上产生多孔层。 将半导体芯片放置在载体上。 将所得到的结构加热直到半导体芯片附着到载体上。

公开(公告)号：US20090206456A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12031377

申请日：2008-02-14

申请人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

发明人： Karsten Guth ,  Ivan Nikitin

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

摘要： A module includes a substrate including a first copper surface and a semiconductor chip. The module includes a first sintered joint bonding the semiconductor chip directly to the first copper surface.

摘要翻译： 模块包括包括第一铜表面和半导体芯片的衬底。 模块包括将半导体芯片直接连接到第一铜表面的第一烧结接头。