公开(公告)号：US20050081910A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10922420

申请日：2004-08-20

申请人： David Danielson ,  Jeremy Graham ,  Kazumi Wada ,  Trisha Montalbo ,  Lionel Kimerling

发明人： David Danielson ,  Jeremy Graham ,  Kazumi Wada ,  Trisha Montalbo ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/0687 ,  Y02E10/544

摘要： A system is disclosed for providing electrical power responsive to solar energy. The system includes a Si cell, an AlGaAs cell, and a Ge cell. The Si cell is for providing electrical power responsive to solar energy within a first frequency range. The AlGaAs cell is coupled to a first side of the Si cell, and is for providing electrical power responsive to solar energy within a second frequency range. The Ge cell is coupled to a second side of the Si cell, and the Ge cell provides electrical power responsive to solar energy within a third frequency range.

摘要翻译： 公开了一种用于提供响应于太阳能的电力的系统。 该系统包括Si电池，AlGaAs电池和Ge电池。 Si电池用于响应于第一频率范围内的太阳能提供电力。 AlGaAs单元耦合到Si单元的第一侧，并且用于在第二频率范围内响应于太阳能提供电功率。 Ge单元耦合到Si单元的第二侧，并且Ge单元提供响应于第三频率范围内的太阳能的电功率。

公开(公告)号：US20070286952A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US10566686

申请日：2004-07-29

申请人： Jifeng Liu ,  Douglas Cannon ,  Kazumi Wada ,  Samerkhae Jongthammanurak ,  David Danielson ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

发明人： Jifeng Liu ,  Douglas Cannon ,  Kazumi Wada ,  Samerkhae Jongthammanurak ,  David Danielson ,  Jurgen Michel ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B25/18

CPC分类号： H01L31/1808 ,  C30B25/18 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02656 ,  H01L31/028 ,  Y02E10/547

摘要： A SiGe or Ge structure comprises a substrate and a SiGe or Ge layer that is formed on a first surface of the substrate. A silicidation or germanide layer is formed on a second surface of the substrate so to increase the tensile strain of the SiGe or Ge layer on the first surface.

摘要翻译： SiGe或Ge结构包括衬底和形成在衬底的第一表面上的SiGe或Ge层。 在基板的第二表面上形成硅化物或锗化物层，以增加第一表面上的SiGe或Ge层的拉伸应变。

公开(公告)号：US20060022226A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US11191769

申请日：2005-07-28

申请人： Kazumi Wada ,  Lionel Kimerling

发明人： Kazumi Wada ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1105 ,  Y02E10/547

摘要： A phototransistor includes an emitter and a base that comprises Ge. A collector comprises Si. The base, emitter, and collector form at least one Si/Ge heterojunction allowing the unpinning of Fermi energy level (EF) of the phototransistor.

摘要翻译： 光电晶体管包括发射极和包含Ge的基极。 收集器包括Si。 基极，发射极和集电极形成至少一个Si / Ge异质结，允许去除光电晶体管的费米能级（E> F）。

公开(公告)号：US20050013575A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10869636

申请日：2004-06-16

申请人： Daniel Sparacin ,  Kazumi Wada ,  Lionel Kimerling

发明人： Daniel Sparacin ,  Kazumi Wada ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B6/10

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097

摘要： The light-guiding structure includes a waveguide structure that comprises a substrate and a low refractive index underclad material. The waveguide structure is oxidized to form an oxidized layer on a surface of the waveguide structure. The oxidized layer is isotropically etched after the reaction-limited oxidation regime is approaching the diffusion-limited regime and repeatedly oxidized and etched so that the waveguide structure is continuously oxidized in the reaction-limited regime, reducing the overall time of oxidation and volume of oxidized material so that the waveguide structure has its sidewall roughness reduced efficiently enabling high transmission rates of guided light.

摘要翻译： 导光结构包括波导结构，其包括基底和低折射率底层材料。 波导结构被氧化以在波导结构的表面上形成氧化层。 在反应限制氧化态接近扩散限制状态后，氧化层进行各向同性蚀刻，并被反复氧化和蚀刻，使得波导结构在反应限制状态下连续氧化，减少氧化的总时间和氧化的体积 材料，使得波导结构的侧壁粗糙度有效降低，导致导光的高透射率。

公开(公告)号：US20060233505A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11444541

申请日：2006-05-31

申请人： Jun-Fei Zheng ,  Kazumi Wada ,  Jurgen Michel ,  Donghwan Ahn ,  Lionel Kimerling

发明人： Jun-Fei Zheng ,  Kazumi Wada ,  Jurgen Michel ,  Donghwan Ahn ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： G02B6/10

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/42

摘要： An optical grating is disposed on a waveguide to redirect light from the interior of the waveguide through the opposite side of the waveguide from the grating. In one embodiment the waveguide, the grating, and an optical sensor are combined in a single monolithic structure. In another embodiment, an absorbing layer is directly connected to the waveguide in the region of the grating. In still another embodiment, efficiency of the grating is improved by having a high index contrast between the refractive index of the grating and the refractive index of the cladding disposed over the grating, and by having an appropriately sized discontinuity in the grating.

摘要翻译： 光波导设置在波导上，以将来自波导内部的光通过波导的与光栅相反的一侧引导。 在一个实施例中，波导，光栅和光学传感器被组合成单个整体结构。 在另一个实施例中，吸收层在光栅的区域中直接连接到波导。 在另一个实施例中，通过在光栅的折射率和设置在光栅上的包层的折射率之间具有高折射率对比度，以及通过在光栅中具有适当尺寸的不连续性来提高光栅的效率。

公开(公告)号：US20050259922A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10852386

申请日：2004-05-24

申请人： Shoji Akiyama ,  Lionel Kimerling ,  Kazumi Wada

发明人： Shoji Akiyama ,  Lionel Kimerling ,  Kazumi Wada

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02F1/21 ,  G02F1/313 ,  G02B6/30 ,  G02B6/26 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02F1/21 ,  G02F1/3136 ,  G02F2001/213 ,  G02F2202/32

摘要： An optical device includes at least two photonic bandgap crystal (PBG) stacks that are each comprised of alternating layers of high and low index materials. A defect region is formed in a cavity region between the at least two photonic bandgap crystal stacks so as to provide the properties needed to reflect light received by the optical device.

摘要翻译： 光学器件包括至少两个光子带隙晶体（PBG）堆叠，每个由高和低折射率材料的交替层组成。 在所述至少两个光子带隙晶体堆叠之间的空腔区域中形成缺陷区域，以便提供反射由光学器件接收的光所需的特性。

公开(公告)号：US20050040411A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10952055

申请日：2004-09-28

申请人： Kazumi Wada ,  Lionel Kimerling ,  Yasuhiko Ishikawa ,  Douglas Cannon ,  Jifeng Liu

发明人： Kazumi Wada ,  Lionel Kimerling ,  Yasuhiko Ishikawa ,  Douglas Cannon ,  Jifeng Liu

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L21/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L27/15 ,  H01L29/06 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/933

摘要： A photodetector device includes a plurality of Ge epilayers that are grown on a substrate and annealed in a defined temperature range. The Ge epilayers form a tensile strained Ge layer that allows the photodetector device to operate efficiently in the C-band and L-band.

摘要翻译： 光电检测器装置包括多个Ge外延层，其在衬底上生长并在限定的温度范围内退火。 Ge外延层形成拉伸应变Ge层，其允许光电检测器件在C波段和L波段中有效地工作。

公开(公告)号：US20140254620A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：US14124004

申请日：2012-03-01

申请人： Jonathan T. Bessette ,  Yan Cai ,  Rodolfo E. Camacho-Aguilera ,  Jifeng Liu ,  Lionel Kimerling ,  Jurgen Michel

发明人： Jonathan T. Bessette ,  Yan Cai ,  Rodolfo E. Camacho-Aguilera ,  Jifeng Liu ,  Lionel Kimerling ,  Jurgen Michel

IPC分类号： H01S5/30 ,  H01S5/227

CPC分类号： H01S5/3027 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/26513 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3223

摘要： In a method of forming a photonic device, a first silicon electrode is formed, and then a germanium active layer is formed on the first silicon electrode while including n-type dopant atoms in the germanium layer, during formation of the layer, to produce a background electrical dopant concentration that is greater than an intrinsic dopant concentration of germanium. A second silicon electrode is then formed on a surface of the germanium active layer. The formed germanium active layer is doped with additional dopant for supporting an electrically-pumped guided mode as a laser gain medium with an electrically-activated n-type electrical dopant concentration that is greater than the background dopant concentration to overcome electrical losses of the photonic device.

摘要翻译： 在形成光子器件的方法中，形成第一硅电极，然后在第一硅电极上形成锗活性层，同时在锗层中包含n型掺杂剂原子，在形成层期间产生 背景电子掺杂剂浓度大于锗的固有掺杂浓度。 然后在锗活性层的表面上形成第二硅电极。 所形成的锗活性层掺杂有额外的掺杂剂，用于支持电泵浦引导模式作为具有大于背景掺杂剂浓度的电活化的n型电掺杂剂浓度的激光增益介质，以克服光子器件的电损耗 。

公开(公告)号：US20070105251A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11553141

申请日：2006-10-26

申请人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

发明人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/3223 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3427

摘要： A laser structure includes at least one active layer having doped Ge so as to produce light emissions at approximately 1550 nm from the direct band gap of Ge. A first confinement structure is positioned on a top region of the at least one active layer. A second confinement structure is positioned on a bottom region the at least one active layer.

摘要翻译： 激光结构包括具有掺杂Ge的至少一个有源层，以便从Ge的直接带隙产生大约1550nm的光发射。 第一限制结构位于至少一个活性层的顶部区域上。 第二限制结构位于至少一个活性层的底部区域上。

公开(公告)号：US20050255619A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11113624

申请日：2005-04-25

申请人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Jurgen Michel ,  Yasha Yi ,  Victor Nguyen ,  Lionel Kimerling

发明人： Luca Negro ,  Jae Yi ,  Jurgen Michel ,  Yasha Yi ,  Victor Nguyen ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： G02B6/122 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/469 ,  H01L21/76 ,  H01L33/46 ,  H01S3/06 ,  H01S3/063 ,  H01S3/083 ,  H01S3/16 ,  H01S5/10 ,  H01S5/183

CPC分类号： H01S3/0627 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01L21/3144 ,  H01L33/46 ,  H01S3/0604 ,  H01S3/0632 ,  H01S3/0637 ,  H01S3/083 ,  H01S3/0933 ,  H01S3/0941 ,  H01S3/16 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/169 ,  H01S5/105 ,  H01S5/183

摘要： A fabrication method and materials produce high quality aperiodic photonic structures. Light emission can be activated by thermal annealing post growth treatments when thin film layers of SiO2 and SiNx or Si-rich oxide are used. From these aperiodic structures, that can be obtained in different vertical and planar device geometries, the presence of aperiodic order in a photonic device provides strong group velocity reduction (slow photons), enhanced light-matter interaction, light emission enhancement, gain enhancement, and/or nonlinear optical properties enhancement.

摘要翻译： 制造方法和材料产生高质量的非周期光子结构。 当使用SiO 2和SiN x 3或富Si氧化物的薄膜层时，可以通过生长后处理进行热退火来激发发光。 从这些非周期结构可以在不同的垂直和平面器件几何形状中获得，光子器件中非周期性顺序的存在提供了强的组速度降低（慢光子），增强的光物质相互作用，光发射增强，增益增强和 /或非线性光学性能增强。