公开(公告)号：US20100102309A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12525537

申请日：2008-02-04

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki ,  Tomoteru Fukumura ,  Masaki Nakano

IPC分类号： H01L29/221

CPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/045 ,  H01L29/225 ,  H01L29/402 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0296 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/4233 ,  Y02E10/549

摘要： To solve the foregoing problems, provided is a ZnO-based semiconductor element having an entirely novel function distinct from hitherto, using a ZnO-based semiconductor and organic matter for an active role. An organic electrode 2 is formed on a ZnO-based semiconductor 1, and an Au film 3 is formed on the organic electrode 2. An electrode formed of a multilayer metal film including a Ti film 4 and an Au film 5 is formed on the back surface of the ZnO-based semiconductor 1 so as to be opposed to the organic electrode 2. A bonding interface between the organic electrode 2 and the ZnO-based semiconductor 1 is in a pn junction-like state. Thus, rectification occurs therebetween.

摘要翻译： 为了解决上述问题，提供了使用ZnO类半导体和有机物作为主动作用的具有与迄今不同的全新功能的ZnO类半导体元件。 在ZnO类半导体1上形成有机电极2，在有机电极2上形成Au膜3.在背面形成由包含Ti膜4和Au膜5的多层金属膜形成的电极 ZnO基半导体1的表面与有机电极2相对。有机电极2和ZnO系半导体1之间的接合界面处于pn结状态。 因此，在它们之间发生整流。

公开(公告)号：US20100323160A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12526113

申请日：2008-02-06

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B32B33/00 ,  C30B29/16 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L21/02554 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612

摘要： Provided is a ZnO-based thin film for growing a flat film when the ZnO-based thin film is formed on a substrate. In FIG. 1(a), a ZnO-based film 2 is formed on a ZnO-based substrate 1. Meanwhile, in FIG. 1(b), a ZnO-based laminated body 10 that is a laminated body of ZnO-based thin films is formed on the ZnO-based substrate 1. The ZnO-based laminated body 10 is the laminated body in which multiple ZnO-based thin films including a ZnO-based thin film 3, a ZnO-based thin film 4 and the like are laminated. When forming the ZnO-based thin film 2 or the ZnO-based laminated body 10, the film or the body is formed at a growth temperature of 750° C. or above, or alternatively, a step structure on a surface of the film is formed into a predetermined structure such that roughness on the surface of the film is in a predetermined range.

摘要翻译： 提供了当在基板上形成ZnO基薄膜时用于生长平坦膜的ZnO基薄膜。 在图 如图1（a）所示，在ZnO系基板1上形成ZnO系膜2。 如图1（b）所示，在ZnO系基板1上形成作为ZnO系薄膜的层叠体的ZnO系叠层体10. ZnO系叠层体10为多层ZnO系 层叠包含ZnO系薄膜3，ZnO系薄膜4等的薄膜。 当形成ZnO基薄膜2或ZnO基层叠体10时，在750℃以上的生长温度下形成薄膜或者本体，或者也可以在薄膜的表面上形成台阶结构 形成为预定结构，使得薄膜表面上的粗糙度处于预定范围内。

公开(公告)号：US20100270533A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12733440

申请日：2008-09-05

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L29/22

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/28

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of achieving easier conversion into p-type by alleviating the self-compensation effect and by preventing donor impurities from mixing in. The ZnO-based semiconductor device includes a MgxZn1-xO substrate (0≦x≦1) having such a principal surface that: a projection axis obtained by projecting a normal line to the principal surface onto a plane formed by an a-axis and a c-axis of substrate crystal axes is inclined towards the a-axis by an angle of φa degrees; a projection axis obtained by projecting the normal line to the principal surface onto a plane formed by an m-axis and the c-axis of the substrate crystal axes is inclined towards the m-axis by an angle of Φm degrees; the angle Φa satisfies 70≦{90−(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(πΦm/180))≦110; and the angle Φm≧1. Accordingly, a ZnO-based semiconductor layer formed on the principal surface can be easily converted into p-type because the donor impurities are prevented from mixing in and the self-compensation effect is alleviated. Thus, the desired ZnO-based semiconductor device can be fabricated.

摘要翻译： 提供了一种通过减轻自补偿效应并防止供体杂质混入，可以实现更容易地转换成p型的ZnO基半导体器件。ZnO基半导体器件包括Mg x Zn 1-x O衬底（0＆amp; nlE; x＆ 1）具有这样的主表面：使通过将主线垂直于基体晶轴的a轴和c轴所形成的平面投影到由a轴和c轴构成的平面而获得的投影轴向a轴倾斜一定角度 一度; 通过将由主体的法线投影到由m轴形成的平面和基板晶体轴的c轴而获得的投影轴朝向m轴倾斜Φm度的角度; 角度Φa满足70＆nlE; {90-（180 /＆pgr;）arctan（tan（＆pgr;Φa/ 180）/ tan（＆pgr;Φm/ 180））＆ 角度Φm≥1。 因此，由于防止供体杂质混入，因此能够容易地将形成在主面上的ZnO系半导体层变为p型，从而可以缓和自补偿效果。 因此，可以制造所需的ZnO基半导体器件。

公开(公告)号：US20110114938A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12735798

申请日：2009-02-20

申请人： Ken Nakahara ,  Kentaro Tamura ,  Hiroyuki Yuji ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Kentaro Tamura ,  Hiroyuki Yuji ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/02

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device in which, in the case of forming a laminate including an acceptor-doped layer made of a ZnO-based semiconductor, the properties of a film can be stabilized by preventing deterioration of the flatness of the acceptor-doped layer or a layer after the acceptor-doped layer and an increase of crystal defect in the layer, without lowering the concentration of an acceptor element.

摘要翻译： 提供了一种ZnO基半导体器件，其中在形成包含由ZnO基半导体制成的受主掺杂层的层压体的情况下，可以通过防止受体 - 掺杂层或受体掺杂层之后的层，并且层中的晶体缺陷增加，而不降低受主元素的浓度。

公开(公告)号：US20110033718A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12450597

申请日：2008-04-02

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： C30B29/16 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L21/02472 ,  C30B23/025 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/31678

摘要： Provided is a ZnO-based thin film which is doped with p-type impurities and which can be used for various devices. An MgxZn1-xO film (0≦x≦0.5) is formed on top of a substrate so as to have an acceptor concentration of a p-type dopant that is 5×1020 cm−3 or less. An acceptor concentration exceeding 5×1020 cm−3 results in the formation of a mixed crystal of the p-type impurities and the ZnO crystal as the base material. Accordingly, no high-quality ZnO-based thin film doped to be p-type can be obtained. This fact is testified by the change observed in the ZnO secondary ion intensity.

摘要翻译： 提供了掺杂有p型杂质并可用于各种器件的ZnO基薄膜。 在衬底的顶部形成Mg x Zn 1-x O膜（0＆amp; nlE; x＆lt; lE; 0.5），使其具有5×1020cm-3以下的p型掺杂剂的受主浓度。 受体浓度超过5×1020cm-3导致形成p型杂质和ZnO晶体的混合晶体作为基材。 因此，不能获得掺杂为p型的高品质ZnO基薄膜。 这个事实是通过在ZnO二次离子强度中观察到的变化来证明的。

公开(公告)号：US20090200545A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x≦1) substrate 1 having a +C surface (0001), as a main surface, inclined at least in an m-axis direction. A p-electrode 8 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 5, and an n-electrode 9 is formed on the underside of the MgxZn1-xO substrate 1. Thereby, steps regularly arranged in the m-axis direction can be formed on the surface of the MgxZn1-xO substrate 1, and a phenomenon called step bunching is prevented. Consequently, the flatness of a film of the semiconductor layers laminated on the substrate 1 can be improved.

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C表面（0001）的作为主表面的Mg x Zn 1-x O（0 <= x <= 1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6，至少在m轴方向 。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。

公开(公告)号：US20080187776A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12026863

申请日：2008-02-06

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Yoshio Nishimoto ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Yoshio Nishimoto ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： B32B15/00

CPC分类号： C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  Y10T428/12778

摘要： Provided is a multilayer substrate having the configuration in which a multilayer film is formed on a principal surface opposite to a principal surface in the oxide-thin-film lamination direction in a translucent substrate. The multilayer film is formed by sequentially laminating a dielectric film, Au (gold) film, and oxide film in this order from the translucent substrate. On the principal surface opposite to the principal surface on which the oxide thin film is disposed, the multilayer film containing the Au film is formed, the Au film can reflect and block the excessive infrared light from a substrate holder or a heat source at the time of growth. As a result, temperature can be accurately measured.

摘要翻译： 提供一种多层基板，其具有在透光性基板中在与氧化物薄膜层叠方向的主面相反的主面上形成多层膜的结构。 通过从透光性基板依次层叠电介质膜Au（金）膜和氧化膜而形成多层膜。 在与设置有氧化物薄膜的主表面相对的主表面上形成含有Au膜的多层膜，Au膜可以反映并阻挡来自衬底保持器或热源的过多红外光 的增长。 结果，可以精确地测量温度。

公开(公告)号：US08410478B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12672444

申请日：2008-08-01

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/285 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/0083

摘要： A p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is formed on a substrate (2) made of a ZnO-based semiconductor. The p-type MgxZn1-xO-based thin film (1) is composed so that X as a ratio of Mg with respect to Zn therein can be 0≦X

摘要翻译： 在由ZnO类半导体制成的基板（2）上形成p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）。 p型Mg x Zn 1-x O系薄膜（1）的构成为，使Mg相对于Zn的比例的X为0以上，X <1，优选为0＆lt; nlE; X＆lt; lE; 0.5。 在p型MgZnO薄膜（1）中，作为受体的p型杂质的氮含量约为5.0×1018 cm -3以上。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硅的IV族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×10 17 cm -3以下。 p型MgZnO薄膜（1）构成为使得成为供体的诸如硼和铝的III族元素制成的n型杂质的浓度可以为约1.0×1016 cm -3以下。

公开(公告)号：US20100230671A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12680406

申请日：2008-09-26

申请人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

发明人： Ken Nakahara ,  Shunsuke Akasaka ,  Hiroyuki Yuji ,  Masashi Kawasaki ,  Akira Ohtomo ,  Atsushi Tsukazaki

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/18 ,  H01L33/28

摘要： Provided are a ZnO-based semiconductor capable of alleviating the self-compensation effect and of achieving easier conversion into p-type, and a ZnO-based semiconductor device. The ZnO-based semiconductor includes a nitrogen-doped MgXZn1-XO (0

摘要翻译： 提供能够减轻自补偿效果并且实现更容易转化为p型的ZnO基半导体以及ZnO类半导体器件。 ZnO基半导体包括氮掺杂的MgXZn1-XO（0

公开(公告)号：US07741637B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12308064

申请日：2007-06-08

申请人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

发明人： Ken Nakahara ,  Hiroyuki Yuji ,  Kentaro Tamura ,  Shunsuke Akasaka ,  Masashi Kawasaki ,  Atsushi Tsukazaki ,  Akira Ohtomo

IPC分类号： H01L29/22

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： Provided is a ZnO-based semiconductor device capable of growing a flat ZnO-based semiconductor layer on an MgZnO substrate having a main surface on the lamination side oriented in a c-axis direction. ZnO-based semiconductor layers 2 to 6 are epitaxially grown on an MgxZn1-xO (0≦x

摘要翻译： 提供一种ZnO基半导体器件，其能够在层叠侧的主表面在c轴方向上取向的MgZnO基板上生长平坦的ZnO基半导体层。 在具有+ C面（0001）的作为主表面的至少在m轴方向上倾斜的MgxZn1-xO（0＆lt; nlE; x <1）衬底1上外延生长ZnO基半导体层2至6。 在ZnO系半导体层5上形成p电极8，在Mg x Zn 1-x O基板1的下侧形成n电极9.由此，能够在m轴方向上规则排列的工序形成在 MgxZn1-xO基板1的表面，以及称为步骤聚束的现象。 因此，可以提高层叠在基板1上的半导体层的膜的平坦度。