公开(公告)号：US6110649A

公开(公告)日：2000-08-29

申请号：US974580

申请日：1997-11-19

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Bernhard Pogge

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Bernhard Pogge

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  G03F7/26

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801

摘要： The invention relates to a dielectric material and a process for forming an integrated circuit device comprising (i) a substrate; (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises condensed organic polysilica and porous particles.

摘要翻译： 本发明涉及一种介电材料和一种用于形成集成电路器件的工艺，该集成电路器件包括：（i）衬底; （ii）位于基板上的金属电路线，和（iii）位于电路线上的电介质材料。 介电材料包括冷凝的有机聚硅氧烷和多孔颗粒。

公开(公告)号：US06326237B1

公开(公告)日：2001-12-04

申请号：US09325988

申请日：1999-06-04

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

IPC分类号： H01L2148

CPC分类号： H01L23/295 ,  H01L23/293 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15174 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49146

摘要： The invention is an encapsulated circuit assembly including a chip; a substrate; at least one solder joint, wherein the solder joint spans between the chip and the substrate forming an electrically conductive connection between the chip and the substrate; and an encapsulant formed adjacent the solder joint, wherein the encapsulant comprises a hyperbranched polymer formed by the reaction of a monomer of the formula: (A)nRB, wherein A is a coupling group reactive with B, B is a coupling group reactive with A, n is greater than 1, and R is a group selected from the group consisting of an aromatic group, an aliphatic group, and mixtures thereof Also disclosed is a method of encapsulating a circuit assembly using the encapsulant of the invention.

摘要翻译： 本发明是一种包括芯片的封装电路组件; 底物; 至少一个焊点，其中所述焊点跨越所述芯片和所述衬底，在所述芯片和所述衬底之间形成导电连接; 以及邻近所述焊接接头形成的密封剂，其中所述密封剂包含通过下式的单体反应形成的超支化聚合物：（A）nRB，其中A是与B反应的偶联基团，B是与A反应的偶联基团 ，n大于1，R为选自芳族基团，脂族基团和其混合物的基团。还公开了一种使用本发明的密封剂封装电路组件的方法。

公开(公告)号：US6143643A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US111997

申请日：1998-07-08

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor YeeWay Lee ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor YeeWay Lee ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682

摘要： The invention relates to a process for forming an integrated circuit device comprising (i) a substrate; (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises porous organic polysilica.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成集成电路器件的方法，该器件包括：（i）衬底; （ii）位于基板上的金属电路线，和（iii）位于电路线上的电介质材料。 电介质材料包括多孔有机聚硅氧烷。

公开(公告)号：US5998876A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US501

申请日：1997-12-30

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/295 ,  H01L23/293 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15174 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49146

摘要： The invention is an encapsulated circuit assembly including a chip; a substrate; at least one solder joint, wherein the solder joint spans between the chip and the substrate forming an electrically conductive connection between the chip and the substrate; and an encapsulant formed adjacent the solder joint, wherein the encapsulant comprises a hyperbranched polymer formed by the reaction of a monomer of the formula: (A).sub.n RB, wherein A is a coupling group reactive with B, B is a coupling group reactive with A, n is greater than 1, and R is a group selected from the group consisting of an aromatic group, an aliphatic group, and mixtures thereof.

摘要翻译： 本发明是一种包括芯片的封装电路组件; 底物; 至少一个焊点，其中所述焊点跨越所述芯片和所述衬底，在所述芯片和所述衬底之间形成导电连接; 以及邻近所述焊接接头形成的密封剂，其中所述密封剂包含通过下式的单体反应形成的超支化聚合物：（A）nRB，其中A是与B反应的偶联基团，B是与A反应的偶联基团 ，n大于1，R为选自芳族基团，脂族基团及其混合物的基团。

公开(公告)号：US06531343B1

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：US09587336

申请日：2000-06-05

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2224/0401

摘要： A method of encapsulating a circuit assembly including a chip; a substrate; at least one solder joint which spans between the chip and the substrate forming an electrically conductive connection between the chip and the substrate by applying an encapsulant adjacent the solder joint, wherein the encapsulant comprises a thermoplastic polymer formed by ring opening polymerization of a cyclic oligomer.

摘要翻译： 一种封装包括芯片的电路组件的方法; 底物; 在芯片和衬底之间跨越的至少一个焊点通过在焊料接头附近施加密封剂而形成芯片和衬底之间的导电连接，其中密封剂包括通过环状低聚物的开环聚合形成的热塑性聚合物。

公开(公告)号：US6111323A

公开(公告)日：2000-08-29

申请号：US754

申请日：1997-12-30

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Michael Anthony Gaynes ,  Stephen Leslie Buchwalter

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/09701

摘要： The invention is an encapsulated circuit assembly including a chip; a substrate; at least one solder joint which spans between the chip and the substrate forming an electrically conductive connection between the chip and the substrate; and an encapsulant formed adjacent the solder joint, wherein the encapsulant comprises a thermoplastic polymer formed by ring opening polymerization of a cyclic oligomer.

摘要翻译： 本发明是一种包括芯片的封装电路组件; 底物; 至少一个跨接在所述芯片和所述基板之间的焊接接头，在所述芯片和所述基板之间形成导电连接; 以及邻近所述焊接接头形成的密封剂，其中所述密封剂包括通过环状低聚物的开环聚合形成的热塑性聚合物。

公开(公告)号：US5953627A

公开(公告)日：1999-09-14

申请号：US965541

申请日：1997-11-06

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Francis Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Sung-Mog Kim ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Francis Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Sung-Mog Kim ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801

摘要： The invention relates to a process for making an integrated circuit device comprising (I) a substrate, (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate, and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises the condensation product of silsesquioxane precursor in the presence of an organic amine having a boiling point greater than 150.degree. C.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造集成电路器件的方法，包括（I）衬底，（ii）位于衬底上的金属电路线，以及（iii）位于电路线上的电介质材料。 电介质材料包括在沸点大于150℃的有机胺存在下倍半硅氧烷前体的缩合产物。

公开(公告)号：US5895263A

公开(公告)日：1999-04-20

申请号：US770620

申请日：1996-12-19

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Daniel Joseph Dawson ,  Richard Anthony DiPietro ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Do Yeung Yoon

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Daniel Joseph Dawson ,  Richard Anthony DiPietro ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Robert Dennis Miller ,  Do Yeung Yoon

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/7682

摘要： The invention relates to a process for forming an integrated circuit device comprising (i) a substrate; (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises porous organic polysilica.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成集成电路器件的方法，该器件包括：（i）衬底; （ii）位于基板上的金属电路线，和（iii）位于电路线上的电介质材料。 电介质材料包括多孔有机聚硅氧烷。

公开(公告)号：US06333141B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09111840

申请日：1998-07-08

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Richard Anthony Dipietro ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor YeeWay Lee ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Richard Anthony Dipietro ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor YeeWay Lee ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

IPC分类号： G03C500

CPC分类号： H01L21/02126 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0758 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a process for forming an integrated circuit device comprising (i) a substrate; (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises porous organic polysilica.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成集成电路器件的方法，该器件包括：（i）衬底; （ii）位于基板上的金属电路线，和（iii）位于电路线上的电介质材料。 电介质材料包括多孔有机聚硅氧烷。

公开(公告)号：US06177360B1

公开(公告)日：2001-01-23

申请号：US08965384

申请日：1997-11-06

申请人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Frances Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor Yee-Way Lee ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

发明人： Kenneth Raymond Carter ,  Robert Frances Cook ,  Martha Alyne Harbison ,  Craig Jon Hawker ,  James Lupton Hedrick ,  Victor Yee-Way Lee ,  Eric Gerhard Liniger ,  Robert Dennis Miller ,  Willi Volksen ,  Do Yeung Yoon

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801

摘要： The invention relates to a process for making an integrated circuit device comprising (i) a substrate, (ii) metallic circuit lines positioned on the substrate, and (iii) a dielectric material positioned on the circuit lines. The dielectric material comprises the condensation product of silsesquioxane in the presence of a photosensitive or thermally sensitive base generator.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造集成电路器件的方法，该集成电路器件包括（i）衬底，（ii）位于衬底上的金属电路线，以及（iii）位于电路线上的电介质材料。 电介质材料包括在感光或热敏基​​底发生器存在下倍半硅氧烷的缩合产物。