公开(公告)号：US08431479B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12797837

申请日：2010-06-10

申请人： Ki-Hyuk Kim ,  Nam-Seog Kim ,  Hyun-Soo Chung ,  Seok-Ho Kim ,  Myeong-Soon Park ,  Chang-Woo Shin

发明人： Ki-Hyuk Kim ,  Nam-Seog Kim ,  Hyun-Soo Chung ,  Seok-Ho Kim ,  Myeong-Soon Park ,  Chang-Woo Shin

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76813 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Semiconductor devices and methods of forming the same, including forming a chip pad on a chip substrate, forming a passivation layer on the chip pad and the chip substrate, forming a first insulation layer on the passivation layer, forming a recess and a first opening in the first insulation layer, forming a second opening in the passivation layer to correspond to the first opening, forming a redistribution line in a redistribution line area of the recess, the first opening, and the second opening, forming a second insulation layer on the redistribution line and the first insulation layer, and forming an opening in the second insulation to expose a portion of the redistribution line as a redistribution pad.

摘要翻译： 半导体器件及其形成方法，包括在芯片衬底上形成芯片焊盘，在芯片焊盘和芯片衬底上形成钝化层，在钝化层上形成第一绝缘层，形成凹槽和第一开口 所述第一绝缘层在所述钝化层中形成对应于所述第一开口的第二开口，在所述凹部，所述第一开口和所述第二开口的再分布线区域中形成再分配线，在所述再分布上形成第二绝缘层 线和第一绝缘层，并且在第二绝缘体中形成开口以将再分配线的一部分暴露为再分布焊盘。

公开(公告)号：US08111520B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12344817

申请日：2008-12-29

申请人： Hyun-Soo Chung ,  Dong-Ho Lee ,  Dong-Han Kim ,  Seong-Deok Hwang ,  Ki-Hyuk Kim

发明人： Hyun-Soo Chung ,  Dong-Ho Lee ,  Dong-Han Kim ,  Seong-Deok Hwang ,  Ki-Hyuk Kim

IPC分类号： H05K1/18

CPC分类号： H05K1/185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H05K3/3457 ,  H05K3/4694 ,  H05K2201/10719

摘要： A semiconductor module can include a printed circuit board (PCB) and a semiconductor package inserted into an inner space of the PCB. The semiconductor package may be electrically connected to the PCB. The PCB may thus surround the semiconductor package so that cracks may not be generated in the outer terminals.

摘要翻译： 半导体模块可以包括插入到PCB的内部空间中的印刷电路板（PCB）和半导体封装。 半导体封装可以电连接到PCB。 因此，PCB可以围绕半导体封装，从而可能不会在外部端子中产生裂纹。

公开(公告)号：US20090109642A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12249047

申请日：2008-10-10

申请人： Hyun-Soo Chung ,  Dong-Ho Lee ,  Seong-Deok Hwang ,  Sun-Won Kang ,  Ki-Hyuk Kim

发明人： Hyun-Soo Chung ,  Dong-Ho Lee ,  Seong-Deok Hwang ,  Sun-Won Kang ,  Ki-Hyuk Kim

IPC分类号： H05K7/00

CPC分类号： H05K1/0271 ,  H01L23/498 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/12044 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/0133 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1572

摘要： Semiconductor devices and electronic devices using the same. The semiconductor module may include a first semiconductor chip, and a module substrate having a top surface on which the first semiconductor chip is mounted and a second surface opposite the top surface, wherein the module substrate includes a first buffer layer to relieve stress occurring due to a difference of thermal expansions between the first semiconductor chip and the module substrate.

摘要翻译： 半导体器件和使用其的电子器件。 半导体模块可以包括第一半导体芯片和具有安装有第一半导体芯片的顶表面的模块衬底和与顶表面相对的第二表面，其中模块衬底包括第一缓冲层，以缓解由于 第一半导体芯片和模块基板之间的热膨胀差异。