公开(公告)号：US07916522B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12400262

申请日：2009-03-09

申请人： Kiyotaro Itagaki ,  Tsuneo Inaba ,  Yoshihiro Ueda ,  Yoshiaki Asao

发明人： Kiyotaro Itagaki ,  Tsuneo Inaba ,  Yoshihiro Ueda ,  Yoshiaki Asao

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78

摘要： A semiconductor memory device includes n resistance change elements which are arranged in one cell, have a low-resistance state and a high resistance state, are connected in series or parallel, have different resistance values in the same resistance state, and change between the low-resistance state and the high-resistance state under different conditions, and a write circuit which is connected to one end of the n resistance change elements, and applies a pulse current m (1≦m≦n) times to the n resistance change elements during a write operation. Letting Im be a current value of an mth pulse current, condition I1>I2> . . . >Im holds.

摘要翻译： 半导体存储器件包括在一个单元中布置的具有低电阻状态和高电阻状态的n个电阻变化元件串联或并联连接，在相同电阻状态下具有不同的电阻值，并且在低电平 电阻状态和不同条件下的高电阻状态，以及与n个电阻变化元件的一端连接的写入电路，并向n个电阻变化元件施加脉冲电流m（1＆nlE; m＆nlE; n）次 在写操作期间。 令Im为第m个脉冲电流的当前值，条件I1> I2>。 。 。 > Im持有。

公开(公告)号：US20090257274A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12400262

申请日：2009-03-09

申请人： Kiyotaro Itagaki ,  Tsuneo Inaba ,  Yoshihiro Ueda ,  Yoshiaki Asao

发明人： Kiyotaro Itagaki ,  Tsuneo Inaba ,  Yoshihiro Ueda ,  Yoshiaki Asao

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/78

摘要： A semiconductor memory device includes n resistance change elements which are arranged in one cell, have a low-resistance state and a high resistance state, are connected in series or parallel, have different resistance values in the same resistance state, and change between the low-resistance state and the high-resistance state under different conditions, and a write circuit which is connected to one end of the n resistance change elements, and applies a pulse current m (1≦m≦n) times to the n resistance change elements during a write operation. Letting Im be a current value of an mth pulse current, condition I1>I2> . . . >Im holds.

摘要翻译： 半导体存储器件包括在一个单元中布置的具有低电阻状态和高电阻状态的n个电阻变化元件串联或并联连接，在相同电阻状态下具有不同的电阻值，并且在低电平 电阻状态和不同条件下的高电阻状态，以及与n个电阻变化元件的一端连接的写入电路，并向n个电阻施加脉冲电流m（1 <= m <= n）次 在写入操作期间更改元素。 令Im为第m个脉冲电流的当前值，条件I1> I2>。 。 。 > Im持有。

公开(公告)号：US20070206406A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11673241

申请日：2007-02-09

申请人： Yoshihiro Ueda ,  Kenji Tsuchida ,  Tsuneo Inaba ,  Kiyotaro Itagaki

发明人： Yoshihiro Ueda ,  Kenji Tsuchida ,  Tsuneo Inaba ,  Kiyotaro Itagaki

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  Y10S977/935

摘要： A spin injection write type magnetic memory device includes memory cells which have a magnetoresistance effect element and a select transistor. The magnetoresistance effect element has one end connected to a first node. The select transistor has a first diffusion area connected to another end of the magnetoresistance effect element and a second diffusion area connected to a second node. A select line extends along a first direction and is connected to a gate electrode of the select transistor. A first interconnect extends along a second direction and is connected to the first node. A second interconnect extends along the second direction and is connected to the second node. Two of the memory cells adjacent along the first direction share the first node. Two of the memory cells adjacent along the second direction share the second node.

摘要翻译： 自旋注入写入型磁存储器件包括具有磁阻效应元件和选择晶体管的存储单元。 磁阻效应元件的一端连接到第一节点。 选择晶体管具有连接到磁阻效应元件的另一端的第一扩散区域和连接到第二节点的第二扩散区域。 选择线沿着第一方向延伸并连接到选择晶体管的栅电极。 第一互连沿着第二方向延伸并连接到第一节点。 第二互连沿着第二方向延伸并且连接到第二节点。 沿着第一方向相邻的两个存储单元共享第一节点。 沿着第二方向相邻的两个存储单元共享第二节点。

公开(公告)号：US07545672B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11673241

申请日：2007-02-09

申请人： Yoshihiro Ueda ,  Kenji Tsuchida ,  Tsuneo Inaba ,  Kiyotaro Itagaki

发明人： Yoshihiro Ueda ,  Kenji Tsuchida ,  Tsuneo Inaba ,  Kiyotaro Itagaki

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  Y10S977/935

摘要： A spin injection write type magnetic memory device includes memory cells which have a magnetoresistance effect element and a select transistor. The magnetoresistance effect element has one end connected to a first node. The select transistor has a first diffusion area connected to another end of the magnetoresistance effect element and a second diffusion area connected to a second node. A select line extends along a first direction and is connected to a gate electrode of the select transistor. A first interconnect extends along a second direction and is connected to the first node. A second interconnect extends along the second direction and is connected to the second node. Two of the memory cells adjacent along the first direction share the first node. Two of the memory cells adjacent along the second direction share the second node.

摘要翻译： 自旋注入写入型磁存储器件包括具有磁阻效应元件和选择晶体管的存储单元。 磁阻效应元件的一端连接到第一节点。 选择晶体管具有连接到磁阻效应元件的另一端的第一扩散区域和连接到第二节点的第二扩散区域。 选择线沿着第一方向延伸并连接到选择晶体管的栅电极。 第一互连沿着第二方向延伸并连接到第一节点。 第二互连沿着第二方向延伸并且连接到第二节点。 沿着第一方向相邻的两个存储单元共享第一节点。 沿着第二方向相邻的两个存储单元共享第二节点。

公开(公告)号：US08036015B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12536341

申请日：2009-08-05

申请人： Yoshihiro Ueda ,  Kenji Tsuchida ,  Kiyotaro Itagaki

发明人： Yoshihiro Ueda ,  Kenji Tsuchida ,  Kiyotaro Itagaki

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/10

CPC分类号： G11C13/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C29/02 ,  G11C29/026 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79

摘要： A resistive memory includes a plurality of memory cells, a plurality of reference cells having mutually different resistance values, at least one sense amplifier having a first input terminal connected to one selected memory cell which is selected from the plurality of memory cells at a time of read, and a second input terminal connected to one selected reference cell which is selected from the plurality of reference cells at the time of read, and one latch circuit which holds offset information of the at least one sense amplifier. The resistive memory further includes a decoder which selects, in accordance with the offset information, the one selected reference cell from the plurality of reference cells, and connects the one selected reference cell to the second input terminal of the at least one sense amplifier.

摘要翻译： 电阻存储器包括多个存储单元，具有相互不同的电阻值的多个参考单元，至少一个读出放大器，其具有连接到从多个存储单元中选择的一个选定存储单元的第一输入端， 读取，以及连接到在读取时从多个参考单元中选择的一个选择的参考单元的第二输入端子，以及保持所述至少一个读出放大器的偏移信息的一个锁存电路。 电阻存储器还包括解码器，其根据偏移信息从多个参考单元中选择一个选定的参考单元，并将所选择的一个参考单元连接到至少一个读出放大器的第二输入端。

公开(公告)号：US07936591B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US12356722

申请日：2009-01-21

申请人： Kiyotaro Itagaki ,  Yoshihiro Ueda

发明人： Kiyotaro Itagaki ,  Yoshihiro Ueda

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/1673

摘要： A word line voltage is applied to a plurality of word lines. A read/write voltage is applied to a plurality of bit lines. The read/write voltage is applied to a plurality of source lines. A word line selector selects the word line and applies the word line voltage. A driver applies a predetermined voltage to the bit line and the source line, thereby supplying a current to the memory cell. A read circuit reads a first current having flowed through the memory cell, and determines data stored in the memory cell. When performing the read, the driver supplies a second current to second bit lines among other bit lines, which are adjacent to the first bit line through which the first current has flowed. The second current generates a magnetic field in a direction to suppress a write error in the memory cell from which data is to be read.

摘要翻译： 字线电压被施加到多个字线。 读/写电压被施加到多个位线。 读/写电压被施加到多条源极线。 字线选择器选择字线并施加字线电压。 驱动器将预定电压施加到位线和源极线，从而向存储器单元提供电流。 读取电路读取已经流过存储器单元的第一电流，并且确定存储在存储单元中的数据。 当执行读取时，驱动器向与第一电流流过的第一位线相邻的其它位线中的第二位线提供第二电流。 第二电流在抑制要从其读取数据的存储单元中的写入错误的方向上产生磁场。

公开(公告)号：US07529113B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US11736300

申请日：2007-04-17

申请人： Yoshihiro Ueda ,  Tsuneo Inaba

发明人： Yoshihiro Ueda ,  Tsuneo Inaba

IPC分类号： G11C5/06

CPC分类号： G11C11/16

摘要： A magnetic storage device includes magnetoresistance effect elements. First and second write lines extend along a first direction. Current flows in the first and second write lines only in the first direction and a second direction opposite to the first direction, respectively. A third write line extends along a third direction orthogonal to the first direction. The elements are respectively placed where the first and third write lines cross and the second and third write lines cross. First and second electrodes are provided between the first and third write lines and between the second and third write lines. First and second plugs are respectively connected to the first and second electrodes. The first plug stands at a position apart from the first write line along the third direction. The second plug stands at a position apart from the second write line along the opposite direction to the third direction.

摘要翻译： 磁存储装置包括磁阻效应元件。 第一和第二写入线沿着第一方向延伸。 电流仅在第一方向和与第一方向相反的第二方向上分别在第一和第二写入线中流动。 第三写入线沿着与第一方向正交的第三方向延伸。 元件分别放置在第一和第三写入线交叉的位置，第二和第三写入线交叉。 第一和第二电极设置在第一和第三写入线之间以及第二和第三写入线之间。 第一和第二插头分别连接到第一和第二电极。 第一插头位于沿着第三方向与第一写入线分开的位置处。 第二插头沿着与第三方向相反的方向站立在与第二写入线分开的位置处。

公开(公告)号：US09415686B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US14361737

申请日：2012-12-25

申请人： Yoshihiro Ueda ,  Hitoshi Sugiyama ,  Shigeo Katoh

发明人： Yoshihiro Ueda ,  Hitoshi Sugiyama ,  Shigeo Katoh

IPC分类号： B60K37/02 ,  B60K35/00 ,  G06F3/14 ,  G01C21/36 ,  H04N21/472 ,  G06F5/00

CPC分类号： B60K37/02 ,  B60K35/00 ,  B60K2350/1096 ,  B60K2350/352 ,  G01C21/36 ,  G01C21/3602 ,  G06F3/1423 ,  G06F5/00 ,  G09G2380/10 ,  H04N21/472

摘要： A display control apparatus, with respect to multiple display areas of a display screen of a display apparatus, assigns one display image to one of the display areas by performing a predetermined calculation. The display control apparatus includes a display image managing section storing image information related to the display image, a display area managing section storing area information related to each display area, a mandatory exclusion information storing section storing mandatory exclusion information that defines multiple display image combinations so that the display image is included in each of the display image combinations, and a display image assignment control section. The display image assignment control section, based on the mandatory exclusion information, determines the display image combinations, generates a display image combination list, and assigns the display image to the display area based on the display image combination list.

摘要翻译： 显示控制装置相对于显示装置的显示画面的多个显示区域，通过执行预定的计算将一个显示图像分配给一个显示区域。 显示控制装置包括存储与显示图像相关的图像信息的显示图像管理部分，存储与每个显示区域相关的区域信息的显示区域管理部分，存储限定多个显示图像组合的强制排除信息的强制排除信息存储部分 显示图像被包括在每个显示图像组合中，以及显示图像分配控制部分。 显示图像分配控制部分基于强制排除信息确定显示图像组合，生成显示图像组合列表，并且基于显示图像组合列表将显示图像分配给显示区域。

公开(公告)号：US08858073B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13421047

申请日：2012-03-15

申请人： Hiroyuki Tada ,  Masato Asahara ,  Yoshihiro Ueda ,  Hideki Aoki ,  Akira Minoura

发明人： Hiroyuki Tada ,  Masato Asahara ,  Yoshihiro Ueda ,  Hideki Aoki ,  Akira Minoura

IPC分类号： G01K1/08 ,  G01K13/02

摘要： An exhaust gas temperature detection sensor is arranged at a predetermined position outside a muffler, or at a predetermined position outside an exhaust pipe constituting an exhaust gas flow passage on a more downstream side than the muffler in an exhaust direction. The sensor detects that an atmosphere temperature at the predetermined position outside the muffler has reached a predetermined temperature based on an increase in a temperature inside the muffler, or detects that an atmosphere temperature at the predetermined position outside the exhaust pipe has reached a predetermined temperature based on an increase in a temperature of an exhaust gas inside the exhaust pipe.

公开(公告)号：US20140114531A1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：US14127713

申请日：2012-08-09

申请人： Hitoshi Sugiyama ,  Shigeo Kato ,  Yoshihiro Ueda

发明人： Hitoshi Sugiyama ,  Shigeo Kato ,  Yoshihiro Ueda

IPC分类号： B60R1/00

CPC分类号： G01C21/3602 ,  B60K35/00 ,  B60K2350/1076 ,  B60K2350/1096 ,  B60K2350/352 ,  G01C21/3632 ,  G01C21/3647 ,  G01C21/3658 ,  G06F3/0481 ,  G06F3/1423 ,  G06F5/00 ,  G09G5/14 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2340/14 ,  H04N21/4314 ,  H04N21/472

摘要： A display control apparatus for controlling a display device including a screen having a plurality of areas so as to assign and display a content on a corresponding area, includes: a content managing unit managing the content by associating content information; an area managing unit managing the area by associating area information; and a content assignment control unit determining a combination of the content and the area. The content assignment control unit generates a content list, generates an area list, extracts a combination list based on the area list and the content list, calculates an evaluation reference value of each combination list based on the content information and the area information, selects the combination list based on the evaluation reference value of each combination list, and determines a combination.

摘要翻译： 一种显示控制装置，用于控制包括具有多个区域的屏幕的显示装置，以便在相应区域上分配和显示内容，包括：内容管理单元，通过关联内容信息来管理内容; 区域管理单元，通过关联区域信息来管理该区域; 以及内容分配控制单元，确定内容和区域的组合。 内容分配控制单元生成内容列表，生成区域列表，基于区域列表和内容列表提取组合列表，基于内容信息和区域信息来计算各组合列表的评价基准值， 基于每个组合列表的评估参考值的组合列表，并且确定组合。