公开(公告)号：US20120187576A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13437533

申请日：2012-04-02

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。

公开(公告)号：US20100062693A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12205266

申请日：2008-09-05

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Ku-Feng Yang ,  Jung-Chih Hu

IPC分类号： B24C3/00

CPC分类号： H01L21/67219 ,  B24B37/04

摘要： A method and apparatus for removing a metal or conductive film from over a surface of a semiconductor wafer provides a two step process carried out within a single wafer processing apparatus. A first step is a wet chemical or mechanical removal process that removes an upper portion of the film at a high removal rate and is followed by a second step of a lower removal rate, the second step being CMP, chemical mechanical polishing.

摘要翻译： 从半导体晶片表面上去除金属或导电膜的方法和装置提供了在单个晶片处理装置内执行的两步工艺。 第一步是湿化学或机械去除工艺，其以高去除速率去除膜的上部，随后是较低去除速率的第二步骤，第二步是CMP，化学机械抛光。

公开(公告)号：US20080268614A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11740178

申请日：2007-04-25

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： A method for providing a stacked wafer configuration is provided. The method includes bonding a first wafer to a second wafer. A filler material is applied in a gap formed along edges of the first wafer and the second wafer. The filler material provides support along the edges during a thinning and transportation process to help reduce cracking or chipping. The filler material may be cured to reduce any bubbling that may have occurred while applying the filler material. Thereafter, the second wafer may be thinned by grinding, plasma etching, wet etching, or the like. In some embodiments of the present invention, this process may be repeated multiple times to create a stacked wafer configuration having three or more stacked wafers.

摘要翻译： 提供一种用于提供堆叠晶片配置的方法。 该方法包括将第一晶片接合到第二晶片。 将填料施加在沿着第一晶片和第二晶片的边缘形成的间隙中。 填充材料在减薄和运输过程中沿着边缘提供支撑以帮助减少开裂或碎裂。 可以固化填充材料以减少在施加填充材料时可能发生的任何起泡。 此后，可以通过研磨，等离子体蚀刻，湿蚀刻等来减薄第二晶片。 在本发明的一些实施例中，该过程可以重复多次以产生具有三个或更多个堆叠晶片的堆叠晶片配置。

公开(公告)号：US20110309647A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US12818022

申请日：2010-06-17

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Jing-Cheng Lin ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： B25J15/06 ,  B66C1/02

CPC分类号： H01L21/67346 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68785

摘要： An apparatus for supporting a wafer includes a base, and a gas-penetration layer. The gas-penetration layer and a portion of the base directly underlying the gas-penetration layer form a gas passage therebetween. The gas passage is configured to be sealed by the wafer placed directly over the gas-penetration layer. The apparatus further includes a valve connected to the gas passage.

摘要翻译： 用于支撑晶片的装置包括基座和气体穿透层。 气体渗透层和直接位于气体穿透层下方的基底的一部分在它们之间形成气体通道。 气体通道被直接设置在气体穿透层上方的晶片密封。 该装置还包括连接到气体通道的阀。

公开(公告)号：US07989318B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12330209

申请日：2008-12-08

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin Wu ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2224/11

摘要： A system and method for stacking semiconductor dies is disclosed. A preferred embodiment comprises forming through-silicon vias through the wafer, protecting a rim edge of the wafer, and then removing the unprotected portions so that the rim edge has a greater thickness than the thinned wafer. This thickness helps the fragile wafer survive further transport and process steps. The rim edge is then preferably removed during singulation of the individual dies from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于堆叠半导体管芯的系统和方法。 优选实施例包括形成通过晶片的穿硅通孔，保护晶片的边缘边缘，然后去除未受保护的部分，使得边缘边缘的厚度大于薄的晶片。 该厚度有助于脆弱的晶片在进一步的运输和工艺步骤中保持生存。 然后优选在从晶片分离单个模具期间移除边缘。

公开(公告)号：US20100330743A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12878112

申请日：2010-09-09

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。

公开(公告)号：US08405225B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US13437533

申请日：2012-04-02

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。

公开(公告)号：US08148826B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US13273845

申请日：2011-10-14

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。

公开(公告)号：US08053277B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12878112

申请日：2010-09-09

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu ,  Hung-Jung Tu ,  Ku-Feng Yang

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor structure includes a first die comprising a first substrate and a first bonding pad over the first substrate, a second die having a first surface and a second surface opposite the first surface, wherein the second die is stacked on the first die and a protection layer having a vertical portion on a sidewall of the second die, and a horizontal portion extending over the first die.

摘要翻译： 半导体结构包括第一裸片，其包括第一衬底和第一衬底上的第一焊盘，第二裸片，具有与第一表面相对的第一表面和第二表面，其中第二裸片堆叠在第一裸片上， 层，其具有在第二管芯的侧壁上的垂直部分，以及在第一管芯上延伸的水平部分。

公开(公告)号：US20110248409A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13168351

申请日：2011-06-24

申请人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin WU ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ku-Feng Yang ,  Weng-Jin WU ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2224/11

摘要： A system and method for stacking semiconductor dies is disclosed. A preferred embodiment comprises forming through-silicon vias through the wafer, protecting a rim edge of the wafer, and then removing the unprotected portions so that the rim edge has a greater thickness than the thinned wafer. This thickness helps the fragile wafer survive further transport and process steps. The rim edge is then preferably removed during singulation of the individual dies from the wafer.

摘要翻译： 公开了一种用于堆叠半导体管芯的系统和方法。 优选实施例包括形成通过晶片的穿硅通孔，保护晶片的边缘边缘，然后去除未受保护的部分，使得边缘边缘的厚度大于薄的晶片。 该厚度有助于脆弱的晶片在进一步的运输和工艺步骤中保持生存。 然后优选在从晶片分离单个模具期间移除边缘。