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    Method for forming a surface film of cured organosilicon polymer on a substrate surface
    1.
    发明授权
    Method for forming a surface film of cured organosilicon polymer on a substrate surface 失效
    在基材表面上形成固化的有机硅聚合物的表面膜的方法

    公开(公告)号：US4678688A

    公开(公告)日：1987-07-07

    申请号：US834906

    申请日：1986-02-28

    申请人： Kunio Itoh ,  Shohei Kozakai ,  Yoshinori Hida ,  Hiroshige Okinoshima ,  Fumio Okada ,  Toshio Oba ,  Hisashi Shimizu ,  Yuji Hinoto ,  Hiroshi Yoshioka

    发明人： Kunio Itoh ,  Shohei Kozakai ,  Yoshinori Hida ,  Hiroshige Okinoshima ,  Fumio Okada ,  Toshio Oba ,  Hisashi Shimizu ,  Yuji Hinoto ,  Hiroshi Yoshioka

    IPC分类号： C08G77/54 ,  C09D183/14 ,  B05D3/02

    CPC分类号： C08J7/047 ,  C08G77/54 ,  C09D183/14 ,  C08J2483/00

    摘要： The inventive method for forming a cured film on a substrate surface comprises coating the surface with a room temperature curable organosiloxazane polymer comprising, in a molecule, (a) at least one organosiloxane unit represented by the unit formula (a) at least one organosiloxane unit represented by the unit formulaR.sup.1.sub.a SiO.sub.(4-a)/2,and (b) at least one organosilazane unit represented by the unit formulaR.sup.2.sub.b Si(NR.sup.3).sub.(4-b)/2,in which R.sup.1, R.sup.2 and R.sup.3 are each a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, not all of them being simultaneously hydrogen atoms, and the subscripts a and b are each a positive integer of 1, 2 or 3 with the proviso that a and b cannot be simultaneously equal to 3, in a molecule and subjecting the coating film to exposure to a moisture-containing atmosphere. The method is useful for forming a surface-protecting film or for imparting surface releasability.

    摘要翻译： 用于在基材表面上形成固化膜的本发明方法包括用室温可固化的有机硅氮烷聚合物涂覆表面，所述室温可固化的有机硅氮烷聚合物在分子中包含（a）至少一个由式（a）表示的有机硅氧烷单元，至少一个有机硅氧烷单元 由式R1aSiO（4-a）/ 2表示的至少一种有机硅氮烷单元，（b）由单元式R2bSi（NR3）（4-b）/ 2表示的至少一种有机硅氮烷单元，其中R1，R2和R3各自为 氢原子或取代或未取代的一价烃基，并不全部同时为氢原子，下标a和b各自为正整数1,2或3，条件是a和b不能同时为3 在分子中并使涂膜暴露于含水气氛。 该方法可用于形成表面保护膜或赋予表面剥离性。

    Silicone-coated release paper and a method for the preparation thereof
    2.
    发明授权
    Silicone-coated release paper and a method for the preparation thereof 失效
    有机硅涂层剥离纸及其制备方法

    公开(公告)号：US4770942A

    公开(公告)日：1988-09-13

    申请号：US808866

    申请日：1985-12-13

    申请人： Kunio Itoh ,  Fumio Okada ,  Hisashi Aoki ,  Yasushi Yamamoto

    发明人： Kunio Itoh ,  Fumio Okada ,  Hisashi Aoki ,  Yasushi Yamamoto

    IPC分类号： C09J7/02 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/07 ,  C09D5/00 ,  C09D183/04 ,  A23B4/04

    CPC分类号： C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  Y10T428/31663

    摘要： The invention provides a silicone-coated release paper having a coating surface film of an organopolysiloxane composition curable by irradiation with ultraviolet light or electron beams to give a fully cured film resistant to migration of the organopolysiloxane constituents therefrom on to other surfaces in contact therewith. The composition comprises (a) a diorganopolysiloxane terminatd at both molecular chain ends each with a divinylmethylsilyl group or trivinylsilyl group, (b) an organohydrogenpolysiloxane having at least 2 hydrogen atoms directly bonded to the silicon atoms in a molecule, (c) a catalytic amount of a platinum or rhodium catalyst and, optionally, (d) a compound of a rare earth element such as ceric oxide.

    摘要翻译： 本发明提供一种具有硅氧烷涂层的剥离纸，其具有通过用紫外线或电子束照射可固化的有机聚硅氧烷组合物的涂层表面膜，以产生耐受其中的有机聚硅氧烷组分从而与其接触的其它表面的完全固化膜。 该组合物包含（a）在两个分子链端分别具有二乙烯基甲基甲硅烷基或三乙烯基甲硅烷基的二有机聚硅氧烷，（b）具有至少2个氢原子的有机氢聚硅氧烷，其直接与分子中的硅原子键合，（c）催化量 的铂或铑催化剂，和任选地（d）稀土元素如氧化铈的化合物。

    Radiation-curable organopolysiloxane compositions
    3.
    发明授权
    Radiation-curable organopolysiloxane compositions 失效
    可辐射固化的有机聚硅氧烷组合物

    公开(公告)号：US4707503A

    公开(公告)日：1987-11-17

    申请号：US800087

    申请日：1985-11-21

    申请人： Kunio Itoh ,  Fumio Okada ,  Yasushi Yamamoto ,  Hisashi Aoki

    发明人： Kunio Itoh ,  Fumio Okada ,  Yasushi Yamamoto ,  Hisashi Aoki

    IPC分类号： C08L83/00 ,  C08K5/54 ,  C08K5/548 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  C08L83/07 ,  C08L83/08 ,  C09J7/02 ,  C08G75/04 ,  C08G77/28

    CPC分类号： C08K5/5406 ,  C08L83/08

    摘要： The radiation-curable organopolysiloxane composition of the invention is quite free from the problem of the migration of silicone toward the surface of a body in contact with the surface of the cured film of the composition even by curing with an extremely small dose of radiation, e.g. ultraviolet light and electron beams, for curing. The mechanism for curing is in principle the radiation-induced addition reaction between the aliphatically unsaturated bonds in a first organopolysiloxane and the mercapto groups in a second organopolysiloxane but the aliphatically unsaturated bond in the first organopolysiloxane is bonded preferably remotely from the silicon atom with an electron-attractive atom or group intervening therebetween such as the divalent groups of the formula --O--CH.sub.2).sub.2 S-- and --CH.sub.2 --O--CH.sub.2 --S--.

    摘要翻译： 本发明的可辐射固化的有机基聚硅氧烷组合物，甚至通过用极小剂量的辐射固化，例如与组合物的固化膜的表面相接触的方式，完全没有硅离子迁移到身体表面的问题。 紫外光和电子束，用于固化。 固化机理原则上是第一有机聚硅氧烷中的脂族不饱和键与第二有机聚硅氧烷中的巯基之间的辐射诱导的加成反应，但第一有机聚硅氧烷中的脂族不饱和键优选与硅原子远离电子 吸收原子或介于其间的基团，例如式-O-CH2）2S-和-CH2-O-CH2-S-的二价基团。

    Epoxy resin composition
    5.
    发明授权
    Epoxy resin composition 失效
    环氧树脂组合物

    公开(公告)号：US4877822A

    公开(公告)日：1989-10-31

    申请号：US179538

    申请日：1988-04-08

    申请人： Kunio Itoh ,  Toshio Shiobara ,  Koji Futatsumori ,  Kazutoshi Tomiyoshi ,  Hisashi Shimizu

    发明人： Kunio Itoh ,  Toshio Shiobara ,  Koji Futatsumori ,  Kazutoshi Tomiyoshi ,  Hisashi Shimizu

    IPC分类号： C08G59/34 ,  C08G77/42 ,  C08L63/00 ,  H05K1/03

    CPC分类号： C08G59/027 ,  C08G77/42 ,  C08L63/00 ,  H05K1/0353

    摘要： An epoxy resin composition which comprises a curable epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler, and at least one copolymer selected from copolymers obtained by an addition reaction between aromatic polymers containing one or more epoxy groups and one or more alkenyl groups and the specific organopolysiloxanes; copolymers obtained by an addition reaction between aromatic polymers containing one or more epoxy groups and the specific amino group-containing organopolysiloxanes.

    摘要翻译： 一种环氧树脂组合物，其包含可固化环氧树脂，固化剂，无机填料和至少一种共聚物，所述共聚物选自通过在含有一个或多个环氧基和一个或多个烯基的芳族聚合物之间的加成反应获得的共聚物， 有机聚硅氧烷; 通过含有一个或多个环氧基的芳族聚合物与特定含氨基的有机聚硅氧烷之间的加成反应获得的共聚物。

    Low operating current and low noise semiconductor laser device for optical disk memories
    9.
    发明授权
    Low operating current and low noise semiconductor laser device for optical disk memories 失效
    用于光盘存储器的低工作电流和低噪声半导体激光器件

    公开(公告)号：US5386429A

    公开(公告)日：1995-01-31

    申请号：US40655

    申请日：1993-03-31

    申请人： Hiroki Naito ,  Masahiro Kume ,  Hideyuki Sugiura ,  Toru Takayama ,  Kunio Itoh ,  Issei Ohta ,  Hirokazu Shimizu

    发明人： Hiroki Naito ,  Masahiro Kume ,  Hideyuki Sugiura ,  Toru Takayama ,  Kunio Itoh ,  Issei Ohta ,  Hirokazu Shimizu

    IPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S3/19

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2013 ,  H01S5/221 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32308 ,  H01S5/3432

    摘要： A semiconductor laser device suitable as a light source for an optical disk may be operated at a low operating current with low noise for the 780 nm band. The device comprises: a certain conduction type Ga.sub.1-Y1 Al.sub.Y1 As first light guide layer, a Ga.sub.1-Y2 Al.sub.Y2 As second light guide layer of said certain conduction type, or an In.sub.0.5 Ga.sub.0.5 P or an In.sub.0.5 (GaAl).sub.0.5 P or an InGaAsP second light guide layer, successively formed one upon another at least in one side of the principal plane of an active layer; an opposite conduction type Ga.sub.1-Z Al.sub.Z As current blocking layer formed on the second light guide layer and provided with a stripe-like window; and a Ga.sub.1-Y3 Al.sub.Y3 As cladding layer of the same conduction type as the light guide layers formed on the stripe-like window. The relations of Z>Y3>Y2 and Y1>Y2 define the AlAs mole fractions.

    摘要翻译： 适合作为光盘的光源的半导体激光器装置可以在780nm波段的低噪声的低工作电流下工作。 该装置包括：一定导电型Ga1-Y1AlY1As第一导光层，具有所述一定导电类型的Ga1-Y2AlY2As第二导光层，或In0.5Ga0.5P或In0.5（GaAl）0.5P或InGaAsP 第二导光层，在有源层的主平面的至少一个侧面依次形成; 形成在第二导光层上并具有条状窗的相反导电型Ga1-ZAlZAs电流阻挡层; 以及与形成在条状窗上的导光层相同的导电类型的Ga1-Y3AlY3As包覆层。 Z> Y3> Y2和Y1> Y2的关系定义了AlAs摩尔分数。