公开(公告)号：US06553932B2

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US09853397

申请日：2001-05-11

申请人： Kuo-Shih Liu ,  Ramana Veerasingam ,  Zhi Xu ,  Ping Xu ,  Mario Dave Silvetti ,  Gang Chen

发明人： Kuo-Shih Liu ,  Ramana Veerasingam ,  Zhi Xu ,  Ping Xu ,  Mario Dave Silvetti ,  Gang Chen

IPC分类号： C23C1600

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32935

摘要： An appparatus for confining plasma within a process zone of a substrate processing chamber. In one aspect, an apparatus comprises an annular member having an upper mounting surface, an inner confinement wall, and an outer confinement wall. The apparatus is disposed on or otherwise connected to a gas distribution assembly of the processing chamber to prevent plasma edge effects on the surface of a substrate. The apparatus provides a plasma choke aperture that reduces the volume of the process zone around the periphery of the substrate thereby eliminating uneven deposition of material around the edge of the substrate.

摘要翻译： 一种用于将等离子体限制在衬底处理室的处理区内的设备。 一方面，一种装置包括具有上安装表面，内限制壁和外约束壁的环形构件。 该设备设置在处理室的气体分配组件上或以其他方式连接到处理室的气体分配组件，以防止等离子体对基板表面的影响。 该装置提供等离子体扼流圈，其减小了基板周边周围处理区的体积，从而消除了材料在基板边缘周围的不均匀沉积。

公开(公告)号：US09322049B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US13516198

申请日：2010-12-14

申请人： Anthony Sauve ,  Ping Xu

发明人： Anthony Sauve ,  Ping Xu

IPC分类号： A61K31/70 ,  A61K31/185 ,  C12Q1/48

CPC分类号： C12Q1/48 ,  G01N2333/91142 ,  G01N2500/04

摘要： The invention provides a method of increasing a deacetylated activity of SIRT6 by contacting SIRT6 with an agent that binds SIRT6 and reduces the Km of SIRT6 for a substrate, thereby increasing the deacetylase activity of SIRT6. The invention also provides compounds of the formulas (II) and (III).

摘要翻译： 本发明提供了通过使SIRT6与结合SIRT6的试剂接触并降低底物的SIRT6的Km，从而增加SIRT6的脱乙酰酶活性而提高SIRT6脱乙酰化活性的方法。 本发明还提供式（II）和（III）的化合物。

公开(公告)号：US08658707B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US12886817

申请日：2010-09-21

申请人： Ping Xu ,  Jack J. Hegenbarth ,  Rachel Radspinner ,  Paul D. Drumheller ,  William B. Johnson ,  Wen K. Liu ,  Xin Kang Chen

发明人： Ping Xu ,  Jack J. Hegenbarth ,  Rachel Radspinner ,  Paul D. Drumheller ,  William B. Johnson ,  Wen K. Liu ,  Xin Kang Chen

IPC分类号： C08J9/16 ,  C08F214/26 ,  C08F228/02 ,  C08F220/50 ,  C08F220/28

CPC分类号： A61L31/041 ,  A61L31/048 ,  A61L31/16 ,  B01D67/0093 ,  B01D71/32 ,  B01J39/18 ,  B29C55/005 ,  B29K2027/18 ,  B29K2105/04 ,  B29K2995/0092 ,  C08F14/26 ,  C08F214/26 ,  C08F214/262 ,  C08F214/265 ,  C08F220/28 ,  C08F220/50 ,  C08F228/02 ,  C08J5/2237 ,  C08J9/28 ,  C08J9/35 ,  C08J2201/0502 ,  C08J2327/18 ,  C08L27/18 ,  C08L2205/02 ,  Y10T428/31544 ,  C08L2666/04 ,  C08F2/22

摘要： A functional TFE copolymer fine powder is described, wherein the TFE copolymer is a polymer of TFE and at least one functional comonomer, and wherein the TFE copolymer has functional groups that are pendant to the polymer chain. The functional TFE copolymer fine powder resin is paste extrudable and expandable. Methods for making the functional TFE copolymer are also described. The expanded functional TFE copolymer material may be post-reacted after expansion.

摘要翻译： 描述了一种功能性TFE共聚物细粉末，其中TFE共聚物是TFE和至少一种官能共聚单体的聚合物，并且其中TFE共聚物具有垂直于聚合物链的官能团。 功能性TFE共聚物细粉末树脂是可挤出和可膨胀的糊状物。 还描述了制备功能性TFE共聚物的方法。 膨胀的功能性TFE共聚物材料可以在膨胀后进行后反应。

公开(公告)号：US08623963B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12353514

申请日：2009-01-14

申请人： Ping Xu ,  Jack Hegenbarth

发明人： Ping Xu ,  Jack Hegenbarth

IPC分类号： C08F8/00 ,  C08J3/05

CPC分类号： C08L29/10 ,  C08K3/36 ,  C08L27/12 ,  C08L27/18 ,  C08L33/22 ,  C08L2205/02 ,  C08L2666/04

摘要： High purity perfluoroelastomer composites and processes for producing the same are provided. High purity composites may be formed from compositions comprising a crosslinkable fluoroelastomer terpolymer of TFE, PAVE, and CNVE, and functionalized PTFE, which may be crosslinked to form crosslinked composites having low metal content and low compression set. Emulsion mixtures for forming the high purity composites are also provided.

摘要翻译： 提供了高纯度全氟弹性体复合材料及其制备方法。 高纯度复合材料可以由包含TFE，PAVE和CNVE的交联性含氟弹性体三元共聚物和官能化PTFE的组合物形成，其可以交联以形成具有低金属含量和低压缩永久变形的交联复合材料。 还提供了用于形成高纯度复合材料的乳液混合物。

公开(公告)号：USD662469S1

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US29404385

申请日：2011-10-20

申请人： Mitch Mulder ,  Ping Xu

设计人： Mitch Mulder ,  Ping Xu

公开(公告)号：US20080070421A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11533505

申请日：2006-09-20

申请人： Ping Xu ,  Christopher Dennis Bencher

发明人： Ping Xu ,  Christopher Dennis Bencher

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76829 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76835

摘要： A method is provided for processing a substrate surface by delivering a first gas mixture comprising a first organosilicon compound, a first oxidizing gas, and one or more hydrocarbon compounds into a chamber at deposition conditions sufficient to deposit a first low dielectric constant film on the substrate surface. A second gas mixture having a second organosilicon compound and a second oxidizing gas is delivered into the chamber at deposition conditions sufficient to deposit a second low dielectric constant film on the first low dielectric constant film. The flow rate of the second oxidizing gas into the chamber is increased, and the flow rate of the second organosilicon compound into the chamber is decreased to deposit an oxide rich cap on the second low dielectric constant film.

摘要翻译： 提供了一种通过将包含第一有机硅化合物，第一氧化气体和一种或多种烃化合物的第一气体混合物输送到室中的方法来处理衬底表面，该沉积条件足以在衬底上沉积第一低介电常数膜 表面。 具有第二有机硅化合物和第二氧化气体的第二气体混合物在足以在第一低介电常数膜上沉积第二低介电常数膜的沉积条件下被输送到室中。 进入室内的第二氧化气体的流量增加，第二有机硅化合物进入室的流量减少，从而在第二低介电常数膜上沉积氧化物富集盖。

公开(公告)号：US20070042610A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11537928

申请日：2006-10-02

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US07125813B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10828441

申请日：2004-04-20

申请人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

发明人： Li-Qun Xia ,  Ping Xu ,  Louis Yang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76835 ,  C23C16/325 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

摘要： A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials.

摘要翻译： 提供了一种处理基材的方法，包括提供包含含有苯基的有机硅化合物的处理气体至处理室，并使处理气体反应沉积在大马士革或双镶嵌中可用作阻挡层的低k碳化硅阻挡层 低k电介质材料的应用。

公开(公告)号：US06890850B2

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：US10196498

申请日：2002-07-15

申请人： Ju-Hyung Lee ,  Ping Xu ,  Shankar Venkataraman ,  Li-Qun Xia ,  Fei Han ,  Ellie Yieh ,  Srinivas D. Nemani ,  Kangsub Yim ,  Farhad K. Moghadam ,  Ashok K. Sinha ,  Yi Zheng

发明人： Ju-Hyung Lee ,  Ping Xu ,  Shankar Venkataraman ,  Li-Qun Xia ,  Fei Han ,  Ellie Yieh ,  Srinivas D. Nemani ,  Kangsub Yim ,  Farhad K. Moghadam ,  Ashok K. Sinha ,  Yi Zheng

IPC分类号： C23C16/42 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829

摘要： Methods are provided for depositing an oxygen-doped dielectric layer. The oxygen-doped dielectric layer may be used for a barrier layer or a hardmask. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas comprising an oxygen-containing organosilicon compound, carbon dioxide, or combinations thereof, and an oxygen-free organosilicon compound to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit an oxygen-doped dielectric material on the substrate, wherein the dielectric material has an oxygen content of about 15 atomic percent or less. The oxygen-doped dielectric material may be used as a barrier layer in damascene or dual damascene applications.

摘要翻译： 提供了用于沉积氧掺杂介电层的方法。 氧掺杂介电层可用于阻挡层或硬掩模。 在一个方面，提供了一种处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，将包含含氧有机硅化合物，二氧化碳或其组合的处理气体和无氧有机硅化合物引入到处理 并且使所述处理气体反应以在所述衬底上沉积掺杂氧的电介质材料，其中所述介电材料的氧含量为约15原子％或更低。 氧掺杂的电介质材料可以用作镶嵌或双镶嵌应用中的阻挡层。

公开(公告)号：US06868856B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US09905515

申请日：2001-07-13

申请人： Thomas Nowak ,  Ian Latchford ,  Tsutomu Tanaka ,  Bok Heon Kim ,  Ping Xu ,  Jason Foster ,  Heath B. DeShong ,  Martin Seamons

发明人： Thomas Nowak ,  Ian Latchford ,  Tsutomu Tanaka ,  Bok Heon Kim ,  Ping Xu ,  Jason Foster ,  Heath B. DeShong ,  Martin Seamons

IPC分类号： B08B7/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  B08B6/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01J37/32862 ,  B08B7/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  Y10S134/902

摘要： Methods and apparatus for cleaning semiconductor processing equipment. The apparatus include both local and remote gas dissociators coupled to a semiconductor processing chamber to be cleaned. The methods include introducing a precursor gas into the remote dissociator where the gas is dissociated and introducing a portion of the dissociated gas into the chamber. Another portion of the dissociated gas which re-associates before introduction into the chamber is also introduced into the chamber where it is again dissociated. The dissociated gas combines with contaminants in the chamber and is exhausted from the chamber along with the contaminants.

摘要翻译： 半导体加工设备清洗方法及装置。 该装置包括耦合到待清洁的半导体处理室的局部和远程气体离解器。 所述方法包括将前体气体引入到远离解离器中，其中气体被解离并将一部分解离的气体引入室中。 在引入室之前重新结合的解离气体的另一部分也被引入室中，在那里再次解离。 解离的气体与室内的污染物结合，并与污染物一起从室中排出。