公开(公告)号：US07355394B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US11522416

申请日：2006-09-18

申请人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu P. Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  G. Lorimer Miller

发明人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu P. Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  G. Lorimer Miller

IPC分类号： G01B7/06 ,  G01N27/72

CPC分类号： G01B7/105

摘要： A method and apparatus are provided for measuring the thickness of a test object. The apparatus includes an eddy current sensor having first and second sensor heads. The sensor heads are positioned to have a predetermined gap therebetween for passage by at least a portion of the test object through the gap. The sensor heads make measurements at given sampling locations on the test object as the test object is moved through the gap. The apparatus also includes a position sensing mechanism to determine positions of the sampling locations on the test object. The apparatus also includes an evaluation circuit in communication with the eddy current sensor and to the position sensing mechanism for determining the thickness of the test object at the sampling locations.

摘要翻译： 提供了一种用于测量被测物体的厚度的方法和装置。 该装置包括具有第一和第二传感器头的涡流传感器。 传感器头被定位成在其间具有预定的间隙，以通过该测试对象的至少一部分通过间隙。 当测试对象移动通过间隙时，传感器头在测试对象上的给定采样位置进行测量。 该装置还包括位置检测机构，用于确定测试对象上的采样位置的位置。 该装置还包括与涡流传感器和位置感测机构通信的评估电路，用于确定采样位置处的测试对象的厚度。

公开(公告)号：US07112961B2

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：US10685210

申请日：2003-10-14

申请人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Ping Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Lorimer Miller

发明人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Ping Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Lorimer Miller

IPC分类号： G01B7/06 ,  G01N27/72

CPC分类号： G01B7/105

摘要： A method and apparatus are provided for measuring the thickness of a test object. The apparatus includes an eddy current sensor having first and second sensor heads. The sensor heads are positioned to have a predetermined gap therebetween for passage by at least a portion of the test object through the gap. The sensor heads make measurements at given sampling locations on the test object as the test object is moved through the gap. The apparatus also includes a position sensing mechanism to determine positions of the sampling locations on the test object. The apparatus also includes an evaluation circuit in communication with the eddy current sensor and to the position sensing mechanism for determining the thickness of the test object at the sampling locations.

摘要翻译： 提供了一种用于测量被测物体的厚度的方法和装置。 该装置包括具有第一和第二传感器头的涡流传感器。 传感器头被定位成在其间具有预定的间隙，以通过该测试对象的至少一部分通过间隙。 当测试对象移动通过间隙时，传感器头在测试对象上的给定采样位置进行测量。 该装置还包括位置检测机构，用于确定测试对象上的采样位置的位置。 该装置还包括与涡流传感器和位置感测机构通信的评估电路，用于确定采样位置处的测试对象的厚度。

公开(公告)号：US20080186022A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12099747

申请日：2008-04-08

申请人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Ping Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Lorimer Miller

发明人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Ping Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Lorimer Miller

IPC分类号： G01B7/06

CPC分类号： G01B7/105

摘要： A method and apparatus are provided for measuring the thickness of a test object. The apparatus includes an eddy current sensor having first and second sensor heads. The sensor heads are positioned to have a predetermined gap therebetween for passage by at least a portion of the test object through the gap. The sensor heads make measurements at given sampling locations on the test object as the test object is moved through the gap. The apparatus also includes a position sensing mechanism to determine positions of the sampling locations on the test object. The apparatus also includes an evaluation circuit in communication with the eddy current sensor and to the position sensing mechanism for determining the thickness of the test object at the sampling locations.

摘要翻译： 提供了一种用于测量被测物体的厚度的方法和装置。 该装置包括具有第一和第二传感器头的涡流传感器。 传感器头被定位成在其间具有预定的间隙，以通过该测试对象的至少一部分通过间隙。 当测试对象移动通过间隙时，传感器头在测试对象上的给定采样位置进行测量。 该装置还包括位置检测机构，用于确定测试对象上的采样位置的位置。 该装置还包括与涡流传感器和位置感测机构通信的评估电路，用于确定采样位置处的测试对象的厚度。

公开(公告)号：US07777483B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US12099747

申请日：2008-04-08

申请人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Ping Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Lorimer Miller

发明人： Lawrence C. Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Ping Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Lorimer Miller

IPC分类号： G01B7/06 ,  G01N27/72

CPC分类号： G01B7/105

摘要： A method and apparatus are provided for measuring the thickness of a test object. The apparatus includes an eddy current sensor having first and second sensor heads. The sensor heads are positioned to have a predetermined gap therebetween for passage by at least a portion of the test object through the gap. The sensor heads make measurements at given sampling locations on the test object as the test object is moved through the gap. The apparatus also includes a position sensing mechanism to determine positions of the sampling locations on the test object. The apparatus also includes an evaluation circuit in communication with the eddy current sensor and to the position sensing mechanism for determining the thickness of the test object at the sampling locations.

摘要翻译： 提供了一种用于测量被测物体的厚度的方法和装置。 该装置包括具有第一和第二传感器头的涡流传感器。 传感器头被定位成在其间具有预定的间隙，以通过该测试对象的至少一部分通过间隙。 当测试对象移动通过间隙时，传感器头在测试对象上的给定采样位置进行测量。 该装置还包括位置检测机构，用于确定测试对象上的采样位置的位置。 该装置还包括与涡流传感器和位置感测机构通信的评估电路，用于确定采样位置处的测试对象的厚度。

公开(公告)号：US20070063698A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11522416

申请日：2006-09-18

申请人： Lawrence Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Miller

发明人： Lawrence Lei ,  Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Cecilia Martner ,  Quyen Pham ,  Yu Gu ,  Joel Huston ,  Paul Smith ,  Gabriel Miller

IPC分类号： G01B7/06

CPC分类号： G01B7/105

摘要： A method and apparatus are provided for measuring the thickness of a test object. The apparatus includes an eddy current sensor having first and second sensor heads. The sensor heads are positioned to have a predetermined gap therebetween for passage by at least a portion of the test object through the gap. The sensor heads make measurements at given sampling locations on the test object as the test object is moved through the gap. The apparatus also includes a position sensing mechanism to determine positions of the sampling locations on the test object. The apparatus also includes an evaluation circuit in communication with the eddy current sensor and to the position sensing mechanism for determining the thickness of the test object at the sampling locations.

摘要翻译： 提供了一种用于测量被测物体的厚度的方法和装置。 该装置包括具有第一和第二传感器头的涡流传感器。 传感器头被定位成在其间具有预定的间隙，以通过该测试对象的至少一部分通过间隙。 当测试对象移动通过间隙时，传感器头在测试对象上的给定采样位置进行测量。 该装置还包括位置检测机构，用于确定测试对象上的采样位置的位置。 该装置还包括与涡流传感器和位置感测机构通信的评估电路，用于确定采样位置处的测试对象的厚度。

公开(公告)号：US07201803B2

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：US10731651

申请日：2003-12-09

申请人： Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Dongxi Sun ,  Vinh Dang ,  Michael X. Yang ,  Anzhong (Andrew) Chang ,  Anh N. Nguyen ,  Ming Xi

发明人： Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Dongxi Sun ,  Vinh Dang ,  Michael X. Yang ,  Anzhong (Andrew) Chang ,  Anh N. Nguyen ,  Ming Xi

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： G05D11/133 ,  Y10T436/104998 ,  Y10T436/12

摘要： A valve control system for a semiconductor processing chamber includes a system control computer and a plurality of electrically controlled valves associated with the processing chamber. The system further includes a programmable logic controller in communication with the system control computer and operatively coupled to the electrically controlled valves. The refresh time for control of the valves may be less than 10 milliseconds. Consequently, valve control operations do not significantly extend the period of time required for highly repetitive cycling in atomic layer deposition processes. A hardware interlock may be implemented through the output power supply of the programmable logic controller.

摘要翻译： 用于半导体处理室的阀门控制系统包括系统控制计算机和与处理室相关联的多个电控阀。 该系统还包括与系统控制计算机通信并可操作地耦合到电控阀的可编程逻辑控制器。 控制阀的刷新时间可能小于10毫秒。 因此，阀门控制操作不会显着延长原子层沉积工艺中高度重复循环所需的时间。 可以通过可编程逻辑控制器的输出电源实现硬件互锁。

公开(公告)号：US06734020B2

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：US09800881

申请日：2001-03-07

申请人： Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Dongxi Sun ,  Vinh Dang ,  Michael X. Yang ,  Anzhong Chang ,  Anh N. Nguyen ,  Ming Xi

发明人： Siqing Lu ,  Yu Chang ,  Dongxi Sun ,  Vinh Dang ,  Michael X. Yang ,  Anzhong Chang ,  Anh N. Nguyen ,  Ming Xi

IPC分类号： G01N3508

CPC分类号： G05D11/133 ,  Y10T436/104998 ,  Y10T436/12

摘要： A valve control system for a semiconductor processing chamber includes a system control computer and a plurality of electrically controlled valves associated with the processing chamber. The system further includes a programmable logic controller in communication with the system control computer and operatively coupled to the electrically controlled valves. The refresh time for control of the valves may be less than 10 milliseconds. Consequently, valve control operations do not significantly extend the period of time required for highly repetitive cycling in atomic layer deposition processes. A hardware interlock may be implemented through the output power supply of the programmable logic controller.

摘要翻译： 用于半导体处理室的阀门控制系统包括系统控制计算机和与处理室相关联的多个电控阀。 该系统还包括与系统控制计算机通信并可操作地耦合到电控阀的可编程逻辑控制器。 控制阀的刷新时间可能小于10毫秒。 因此，阀门控制操作不会显着延长原子层沉积工艺中高度重复循环所需的时间。 可以通过可编程逻辑控制器的输出电源实现硬件互锁。

公开(公告)号：US20050218507A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11137199

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A lid assembly for semiconductor processing is provided. In at least one embodiment, the lid assembly includes a first electrode comprising an expanding section that has a gradually increasing inner diameter. The lid assembly also includes a second electrode disposed opposite the first electrode. A plasma cavity is defined between the inner diameter of the expanding section of the first electrode and a first surface of the second electrode.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体处理的盖组件。 在至少一个实施例中，盖组件包括第一电极，其包括具有逐渐增加的内径的扩张部分。 盖组件还包括与第一电极相对设置的第二电极。 在第一电极的扩展部分的内径和第二电极的第一表面之间限定等离子体腔。

公开(公告)号：US20050205110A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11137609

申请日：2005-05-24

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei (Connie) Chou ,  Chiukin (Steven) Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong (John) Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  C25F1/00

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In at least one embodiment, the method includes supporting the substrate surface in a vacuum chamber and generating reactive species from a gas mixture within the chamber. The substrate surface is then cooled within the chamber and the reactive species are directed to the cooled substrate surface to react with the native oxides thereon and form a film on the substrate surface. The substrate surface is then heated within the chamber to vaporize the film.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在至少一个实施例中，该方法包括将基板表面支撑在真空室中，并从室内的气体混合物产生反应物质。 然后将衬底表面在腔室内冷却，并且反应物质被引导到冷却的衬底表面以与其上的天然氧化物反应并在衬底表面上形成膜。 然后将衬底表面在室内加热以使膜蒸发。

公开(公告)号：US20050230350A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11063645

申请日：2005-02-22

申请人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei Chou ,  Chiukin Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

发明人： Chien-Teh Kao ,  Jing-Pei Chou ,  Chiukin Lai ,  Sal Umotoy ,  Joel Huston ,  Son Trinh ,  Mei Chang ,  Xiaoxiong Yuan ,  Yu Chang ,  Xinliang Lu ,  Wei Wang ,  See-Eng Phan

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one aspect, the chamber comprises a chamber body and a support assembly at least partially disposed within the chamber body and adapted to support a substrate thereon. The support assembly includes one or more fluid channels at least partially formed therein and capable of cooling the substrate. The chamber further comprises a lid assembly disposed on an upper surface of the chamber body. The lid assembly includes a first electrode and a second electrode which define a plasma cavity therebetween, wherein the second electrode is adapted to connectively heat the substrate.

摘要翻译： 提供了一种从衬底表面去除天然氧化物的方法和装置。 在一个方面，腔室包括室主体和至少部分地设置在腔体内并适于在其上支撑衬底的支撑组件。 支撑组件包括至少部分地形成在其中并能够冷却基底的一个或多个流体通道。 所述室还包括设置在所述室主体的上表面上的盖组件。 盖组件包括在其间限定等离子体腔的第一电极和第二电极，其中第二电极适于连接地加热衬底。