公开(公告)号：US20060284166A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US10556404

申请日：2004-05-12

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Henning Sirringhaus ,  Richard Friend

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Henning Sirringhaus ,  Richard Friend

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07C247/16 ,  G03C1/695 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/052

摘要： A transistor including a semiconductive layer; and a gate dielectric layer comprising an insulating polymer, characterised in that the insulating polymer is crosslinked and comprises one or more units having a low cohesive-energy-density and one or more crosslinking groups and the insulating polymer includes substantially no residual —OH leaving groups.

摘要翻译： 一种包括半导体层的晶体管; 以及包含绝缘聚合物的栅极电介质层，其特征在于，所述绝缘聚合物是交联的并且包含具有低内聚能量密度和一个或多个交联基团的一个或多个单元，并且所述绝缘聚合物基本上不包括残余的-OH离去基团 。

公开(公告)号：US20070278478A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US10586244

申请日：2005-01-17

申请人： Jana Zaumseil ,  Henning Sirringhaus ,  Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Richard Friend

发明人： Jana Zaumseil ,  Henning Sirringhaus ,  Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Richard Friend

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L51/5296 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H05B33/08

摘要： An ambipolar, light-emitting transistor comprising an organic semiconductive layer in contact with an electron injecting electrode and a hole injecting electrode separated by a distance L defining the channel length of the transistor, in which the zone of the organic semiconductive layer from which the light is emitted is located more than L/10 away from both the electron as well as the hole injecting electrode.

摘要翻译： 一种双极型发光晶体管，包括与电子注入电极接触的有机半导体层和分隔开距离L的空穴注入电极，所述距离限定了所述晶体管的沟道长度，其中所述有机半导体层的所述区域 被发射的位置距离电子以及空穴注入电极都大于L / 10。

公开(公告)号：US20070172978A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US10556841

申请日：2004-05-12

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Richard Friend

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Richard Friend

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C07C247/16 ,  C07C311/37 ,  G03C1/695 ,  G03F7/008 ,  G03F7/012 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/052 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： A method of forming a polymer device including the steps of: (i) depositing on a substrate a solution comprising a polymer or oligomer and a crosslinking moiety, to form a layer; (ii) curing the layer formed in step (i) under conditions to form an insoluble crosslinked polymer, characterized in that the crosslinking moiety is present in step (i) in an amount in the range of from 0.05 to 5 mol % based on the total number of moles of repeat units of the polymer or oligomer and the crosslinking moiety in the solution.

摘要翻译： 一种形成聚合物器件的方法，包括以下步骤：（i）在基底上沉积包含聚合物或低聚物和交联部分的溶液以形成层; （ii）在形成不溶性交联聚合物的条件下固化步骤（i）中形成的层，其特征在于，所述交联部分以步骤（i）中的0.05至5mol％的量存在，基于 聚合物或低聚物的重复单元的总摩尔数和溶液中的交联部分。

公开(公告)号：US20070295955A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US10586149

申请日：2005-01-17

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Richard Friend

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Richard Friend

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/5296 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H05B33/08

摘要： An n-channel or ambipolar field-effect transistor including an organic semiconductive layer having an electron affinity EAsemicond; and an organic gate dielectric layer forming an interface with the semiconductive layer; characterised in that the bulk concentration of trapping groups in the gate dielectric layer is less than 1018cm−3, where a trapping group is a group having (i) an electron affinity EAX greater than or equal to EAsemicondand/or (ii) a reactive electron affinity EArxngreater than or equal to (EAsemicond. −2eV).

摘要翻译： 一种n沟道或双极场效应晶体管，包括具有电子亲和力半导体层的有机半导体层; 以及形成与半导体层的界面的有机栅极介电层; 其特征在于，所述栅极电介质层中捕获基团的堆积浓度小于10μA·cm -3，其中捕获基团是具有（i）电子 大于或等于EA半胱氨酸的亲和力EA X和/或（ii）大于或等于（EA）的反应性电子亲和力EA _{semicond。 -2eV）。}

公开(公告)号：US07884355B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US10556404

申请日：2004-05-12

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Kian-Hoon Ho ,  Henning Sirringhaus ,  Richard Henry Friend

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Kian-Hoon Ho ,  Henning Sirringhaus ,  Richard Henry Friend

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07C247/16 ,  G03C1/695 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/052

摘要： A transistor including a semiconductive layer; and a gate dielectric layer comprising an insulating polymer, characterised in that the insulating polymer is crosslinked and comprises one or more units having a low cohesive-energy-density and one or more crosslinking groups and the insulating polymer includes substantially no residual —OH leaving groups.

摘要翻译： 一种包括半导体层的晶体管; 以及包含绝缘聚合物的栅极电介质层，其特征在于，所述绝缘聚合物是交联的，并且包含具有低内聚能量密度和一个或多个交联基团的一个或多个单元，并且所述绝缘聚合物基本上不包括残余的-OH离去基团 。

公开(公告)号：US08421231B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US11988183

申请日：2006-07-03

申请人： Kian-Hoon Peter Ho ,  Lay-Lay Chua ,  Sankaran Sivaramakrishnan ,  Perq Jon Chia

发明人： Kian-Hoon Peter Ho ,  Lay-Lay Chua ,  Sankaran Sivaramakrishnan ,  Perq Jon Chia

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01B1/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a conductive composite comprising: suspension matrix, metal nanoparticles suspended within the suspension matrix, wherein the conductive composite has a conductivity greater than 104 S cm−1.

摘要翻译： 本发明提供一种导电复合材料，其包括：悬浮基质，悬浮在悬浮基质内的金属纳米颗粒，其中导电复合材料的导电率大于104Scm-1。

公开(公告)号：US20130273345A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13977366

申请日：2011-12-28

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Geok Kieng Lim

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Geok Kieng Lim

IPC分类号： G02F1/361 ,  G02F1/35

CPC分类号： G02F1/3611 ,  B82Y20/00 ,  G02B1/002 ,  G02F1/3523 ,  G02F2203/52 ,  H01S3/005 ,  Y10T428/249921

摘要： An optical-limiter is disclosed herein. In an embodiment, the optical limiter comprises chemically functionalized graphene substantially spaced apart as single sheets in a substantially transparent liquid cell or solid thin film. A method of fabricating an optical response material is also disclosed.

摘要翻译： 本文公开了光学限制器。 在一个实施例中，光学限制器包括在基本上透明的液体电池或实体薄膜中基本间隔开的单一片材的化学官能化石墨烯。 还公开了制造光学响应材料的方法。

公开(公告)号：US20110089406A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12744800

申请日：2008-11-28

申请人： Peter Ho ,  Perq-Jon Chia ,  Lay-Lay Chua ,  Rui-Qi Png ,  Richard Henry Friend

发明人： Peter Ho ,  Perq-Jon Chia ,  Lay-Lay Chua ,  Rui-Qi Png ,  Richard Henry Friend

IPC分类号： H01L51/52 ,  B32B5/00 ,  B32B9/04 ,  H01L51/56 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

CPC分类号： H01L51/0015 ,  C08J3/24 ,  C08J3/28 ,  C08J2365/00 ,  C08J2365/02 ,  C09D165/00 ,  C09D165/02 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31855 ,  Y10T428/31909

摘要： This invention relates to a supported polymer heterostructure and methods of manufacture. The heterostructure is suitable for use in a range of applications which require semiconductor devices, including photovoltaic devices and light-emitting diodes.

摘要翻译： 本发明涉及负载型聚合物异质结构及其制造方法。 异质结构适用于需要半导体器件（包括光伏器件和发光二极管）的一系列应用。

公开(公告)号：US10723112B2

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：US14119830

申请日：2012-05-23

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Rui-Qi Png ,  Fong Yu Kam ,  Jie Song ,  Loke-Yuen Wong ,  Jing-Mei Zhuo ,  Kian Ping Loh ,  Geok Kieng Lim

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Rui-Qi Png ,  Fong Yu Kam ,  Jie Song ,  Loke-Yuen Wong ,  Jing-Mei Zhuo ,  Kian Ping Loh ,  Geok Kieng Lim

IPC分类号： B23B37/00 ,  B32B37/00 ,  H01L21/20

摘要： The present invention discloses a method for transferring a thin film from a first substrate to a second substrate comprising the steps of: providing a transfer structure and a thin film provided on a surface of a first substrate, the transfer structure comprising a support layer and a film contact layer, wherein the transfer structure contacts the thin film; removing the first substrate to obtain the transfer structure with the thin film in contact with the film contact layer; contacting the transfer structure obtained with a surface of a second substrate; and removing the film contact layer, thereby transferring the thin film onto the surface of the second substrate.

公开(公告)号：US20140087191A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US14119830

申请日：2012-05-23

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Rui-Qi Png ,  Fong Yu Kam ,  Jie Song ,  Loke-Yuen Wong ,  Jing-Mei Zhuo ,  Kian Ping Loh ,  Geok Kieng Lim

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Ho ,  Rui-Qi Png ,  Fong Yu Kam ,  Jie Song ,  Loke-Yuen Wong ,  Jing-Mei Zhuo ,  Kian Ping Loh ,  Geok Kieng Lim

IPC分类号： B32B37/00

CPC分类号： B32B37/025 ,  H01L21/2007 ,  Y10T428/30

摘要： The present invention discloses a method for transferring a thin film from a first substrate to a second substrate comprising the steps of: providing a transfer structure and a thin film provided on a surface of a first substrate, the transfer structure comprising a support layer and a film contact layer, wherein the transfer structure contacts the thin film; removing the first substrate to obtain the transfer structure with the thin film in contact with the film contact layer; contacting the transfer structure obtained with a surface of a second substrate; and removing the film contact layer, thereby transferring the thin film onto the surface of the second substrate.

摘要翻译： 本发明公开了一种将薄膜从第一衬底转移到第二衬底的方法，包括以下步骤：提供设置在第一衬底的表面上的转移结构和薄膜，所述转移结构包括支撑层和 膜接触层，其中所述转移结构接触所述薄膜; 去除第一衬底以获得具有与膜接触层接触的薄膜的转移结构; 使获得的转印结构与第二基板的表面接触; 并除去膜接触层，从而将薄膜转移到第二基板的表面上。