公开(公告)号：US06274518B1

公开(公告)日：2001-08-14

申请号：US09546881

申请日：2000-04-10

申请人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita

发明人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention provides a method for producing a group III nitride compound semiconductor substrate including: (a) forming a first semiconductor film over a substrate, the first semiconductor film made of a first group III nitride compound semiconductor and provided with a step; (b) forming a second semiconductor film made of a second group III nitride compound semiconductor having a different thermal expansion coefficient from that of the first group III nitride compound semiconductor on the first semiconductor film; and (c) cooling the substrate and separating the second semiconductor film from the first semiconductor film. Thus, a large-area group III nitride compound semiconductor substrate can be produced in high yields and with high reproducibility.

摘要翻译： 本发明提供了一种制造III族氮化物化合物半导体衬底的方法，包括：（a）在衬底上形成第一半导体膜，所述第一半导体膜由第一III族氮化物化合物半导体制成并具有步骤; （b）在第一半导体膜上形成具有与第一III族氮化物半导体不同的热膨胀系数的第二III族氮化物化合物半导体的第二半导体膜; 和（c）冷却基板并将第二半导体膜与第一半导体膜分离。 因此，可以以高产率和高重现性制造大面积III族氮化物化合物半导体衬底。

公开(公告)号：US06821805B1

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US09680054

申请日：2000-10-05

申请人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

发明人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

摘要： Disclosed is a semiconductor device which comprises a substrate in which surface is formed a depression having a closed figure when viewed from the substrate normal and a semiconductor layer which is formed on the surface of the substrate by crystal growth from at least an inside face of the depression.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括基板，其中从基板法线观察时，表面形成有具有闭合图形的凹陷;以及半导体层，其通过晶体生长从基板法线的至少内表面形成在基板的表面上 萧条。

公开(公告)号：US06566231B2

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US09790908

申请日：2001-02-23

申请人： Masahiro Ogawa ,  Kenji Orita ,  Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

发明人： Masahiro Ogawa ,  Kenji Orita ,  Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

摘要： A first semiconductor layer is epitaxially grown on a semiconductor substrate and patterned to form concave and convex portions. A second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer using a top epitaxial mask covering the top surface of the convex portion. Lattice defects D propagating from the first semiconductor layer exist only in a region located above the center of the concave portion (a defect region Ra), while in the other region (a low defect region Rb) lattice defects D propagating from the first semiconductor layer hardly exist.

摘要翻译： 第一半导体层在半导体衬底上外延生长并图案化以形成凹凸部分。 使用覆盖凸部的顶面的顶部外延掩模，在第一半导体层上形成第二半导体层。 从第一半导体层传播的晶格缺陷D仅存在于位于凹部的中心以上的区域（缺陷区域Ra），而在另一区域（低缺陷区域Rb）中，从第一半导体层传播的缺陷D 几乎不存在

公开(公告)号：US06563140B1

公开(公告)日：2003-05-13

申请号：US09392376

申请日：1999-09-09

申请人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Kenji Orita

发明人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  Y10S438/956

摘要： A semiconductor light emitting device of the present invention includes: a substrate; a light emitting layer; a semiconductor layer of a hexagonal first III-group nitride crystal; and a cladding layer of a second III-group nitride crystal. A stripe groove is provided in the semiconductor layer along a direction.

公开(公告)号：US06815726B2

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：US10249116

申请日：2003-03-17

申请人： Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

发明人： Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01L2922

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A semiconductor device includes: a crystalline substrate including a primary surface and a crystal plane provided within the primary surface so as to have a surface orientation different from a surface orientation of the primary surface; a semiconductor layered structure grown over the crystalline substrate; and an active region provided at a portion in the semiconductor layer structure above the crystal plane.

公开(公告)号：US06420197B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09511371

申请日：2000-02-23

申请人： Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita

发明人： Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/32341

摘要： A semiconductor device comprises a substrate having a first thermal expansion coefficient T1, a strain reducing layer formed on the substrate and having a second thermal expansion coefficient T2, and a semiconductor layer formed on the strain reducing layer, having a third thermal expansion coefficient T3, and made of a nitride compound represented by AlyGa1−y−zInzN (0≦y≦1, 0≦z ≦1). The second thermal expansion coefficient T2 is lower than the first thermal expansion coefficient T1. The third thermal expansion coefficient T3 is lower than the first thermal expansion coefficient T1 and higher than the second thermal expansion coefficient T2.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一热膨胀系数T1的基板和形成在基板上并具有第二热膨胀系数T2的应变减小层，以及形成在应变减小层上的具有第三热膨胀系数T3的半导体层， 并由由Al y Ga 1-y-z In z N（0≤y≤1,0<= z <= 1）表示的氮化物组成。 第二热膨胀系数T2低于第一热膨胀系数T1。 第三热膨胀系数T3比第一热膨胀系数T1低，高于第二热膨胀系数T2。

公开(公告)号：US06773948B2

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10405791

申请日：2003-04-02

申请人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Kenji Orita

发明人： Shinji Nakamura ,  Masahiro Ishida ,  Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  Y10S438/956

摘要： A semiconductor light emitting device of the present invention includes: a substrate; a light emitting layer; a semiconductor layer of a hexagonal first III-group nitride crystal; and a cladding layer of a second III-group nitride crystal. A stripe groove is provided in the semiconductor layer along a direction.

摘要翻译： 本发明的半导体发光器件包括：衬底; 发光层; 六方晶系的第一III族氮化物晶体的半导体层; 以及第二III族氮化物晶体的包覆层。 在半导体层中沿着<1,1，-2,0>方向设置条纹槽。

公开(公告)号：US06617182B2

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09395261

申请日：1999-09-14

申请人： Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

发明人： Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita ,  Osamu Imafuji ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

摘要： A semiconductor device includes: a crystalline substrate including a primary surface and a crystal plane provided within the primary surface so as to have a surface orientation different from a surface orientation of the primary surface; a semiconductor layered structure grown over the crystalline substrate; and an active region provided at a portion in the semiconductor layer structure above the crystal plane.

摘要翻译： 半导体器件包括：晶体衬底，其包括主表面和设置在主表面内的晶面，以具有不同于主表面的表面取向的表面取向; 在晶体衬底上生长的半导体层状结构; 以及设置在半导体层结构中在晶面之上的部分的有源区。

公开(公告)号：US6150674A

公开(公告)日：2000-11-21

申请号：US434005

申请日：1999-11-04

申请人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita

发明人： Masaaki Yuri ,  Osamu Imafuji ,  Shinji Nakamura ,  Kenji Orita

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075

摘要： A semiconductor device includes a substrate formed of Al.sub.x Ga.sub.1-x N (0

摘要翻译： 半导体器件包括由Al x Ga 1-x N（0

公开(公告)号：US6117700A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US389024

申请日：1999-09-02

申请人： Kenji Orita ,  Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Masaaki Yuri

发明人： Kenji Orita ,  Masahiro Ishida ,  Shinji Nakamura ,  Masaaki Yuri

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/28575 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： First, n-type contact layer of GaN, n-type cladding layer of AlGaN, active layer of InGaN, first Mg-doped layer of AlGaN and second Mg-doped layer of GaN are grown in this order over a sapphire substrate. Thereafter, the substrate, including the second Mg-doped layer, is exposed to nitrogen plasma for about 40 minutes. As a result, Mg, which has been introduced into the first and second Mg-doped layers, is activated as an acceptor. Thus, p-type cladding layer and p-type contact layer with low resistance and excellent crystallinity can be formed out of the first and second Mg-doped layers, respectively.

摘要翻译： 首先，在蓝宝石衬底上依次生长GaN的n型接触层，AlGaN的n型包覆层，InGaN的有源层，AlGaN的第一Mg掺杂层和第二Mg掺杂GaN层。 此后，包括第二Mg掺杂层的衬底暴露于氮等离子体约40分钟。 结果，被引入到第一和第二Mg掺杂层中的Mg被激活作为受主。 因此，可以分别从第一和第二Mg掺杂层形成具有低电阻和优异结晶度的p型覆层和p型接触层。