公开(公告)号：US5705424A

公开(公告)日：1998-01-06

申请号：US215555

申请日：1994-03-21

申请人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

发明人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02B27/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H04N5/74 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC分类号： A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3105 ,  H04N9/312 ,  H04N9/3141 ,  H04N9/3144 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0198 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/13473 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/01 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0259 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/04 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78618 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H04N5/7491 ,  Y10S438/977

摘要： The present invention relates to methods of fabricating pixel electrodes for active matrix displays including the formation of arrays of transistor circuits in thin film silicon on an insulating substrate and transfer of this active matrix circuit onto an optically transmissive substrate. An array of color filter elements can be formed prior to transfer of the active matrix circuit that are aligned between a light source for the display and the array of pixel electrodes to provide a color display.

摘要翻译： 本发明涉及制造用于有源矩阵显示器的像素电极的方法，包括在绝缘衬底上形成薄膜硅中晶体管电路的阵列并将该有源矩阵电路传送到光学透射衬底上。 可以在转移有源矩阵电路之前形成彩色滤光片元件阵列，该有源矩阵电路在用于显示器的光源和像素电极阵列之间对齐以提供彩色显示。

公开(公告)号：US5976953A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US986998

申请日：1997-12-08

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

公开(公告)号：US5793115A

公开(公告)日：1998-08-11

申请号：US315027

申请日：1994-09-29

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L23/48 ,  H01L21/18 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

公开(公告)号：US5656548A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：US531177

申请日：1995-09-19

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

摘要翻译： 制造多层结构，其中微处理器被配置在不同的层中，并且通过隔离结构的每个电路层的绝缘层垂直互连。 每个电路层可以制造在单独的晶片或薄膜材料中，然后转移到分层结构上并互连。

公开(公告)号：US06624046B1

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US09430968

申请日：1999-11-01

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L2146

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

摘要翻译： 制造多层结构，其中微处理器被配置在不同的层中，并且通过隔离结构的每个电路层的绝缘层垂直互连。 每个电路层可以制造在单独的晶片或薄膜材料中，然后转移到分层结构上并互连。

公开(公告)号：US06608654B2

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：US08716409

申请日：1997-03-17

申请人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

发明人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

IPC分类号： G02F1136

CPC分类号： H01L27/1266 ,  G02B27/0093 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13473 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/01 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0259 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H04N5/7441 ,  H04N5/7491 ,  H04N9/3141

摘要： The present invention relates to methods of fabricating pixel electrodes (44) for active matrix displays including the formation of arrays of transistor circuits in thin film silicon (10) on an insulating substrate and transfer of this active matrix circuit onto an optically transmissive substrate (24). An array of color filter elements can be formed prior to transfer of the active matrix circuit that are aligned between a light source for the display and the array of pixel electrodes to provide a color display.

摘要翻译： 本发明涉及制造用于有源矩阵显示器的像素电极（44）的方法，包括在绝缘衬底上形成薄膜硅（10）中的晶体管电路阵列，并将该有源矩阵电路转移到光学透射衬底（24 ）。 可以在转移有源矩阵电路之前形成彩色滤光片元件阵列，该有源矩阵电路在用于显示器的光源和像素电极阵列之间对齐以提供彩色显示。

公开(公告)号：US5258325A

公开(公告)日：1993-11-02

申请号：US834849

申请日：1992-02-13

申请人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

发明人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

IPC分类号： A61B3/113 ,  G02B5/30 ,  G02B27/00 ,  G02B27/01 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L21/98 ,  H01L25/075 ,  H01L25/10 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H05B33/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC分类号： A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/0172 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/10 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3141 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0138 ,  G02B2027/0187 ,  G02B2027/0198 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13336 ,  G02F2001/13613 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/423 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7491 ,  Y10T29/41

摘要： The invention relates to device processing, packaging and interconnects that will yield integrated electronic circuitry of high density and complexity. Processes include the formation of complex multi-function circuitry on common module substrates using circuit tiles of silicon thin-films which are transferred, interconnected and packaged. Circuit modules using integrated transfer/interconnect processes compatible with extremely high density and complexity provide large-area active-matrix displays with on-board drivers and logic in modules.

摘要翻译： 本发明涉及将产生高密度和复杂性的集成电子电路的设备处理，封装和互连。 过程包括使用传输，互连和封装的硅薄膜的电路板在共同的模块衬底上形成复杂的多功能电路。 使用与极高密度和复杂性相兼容的集成传输/互连处理的电路模块提供具有板载驱动器和模块逻辑的大面积有源矩阵显示器。

公开(公告)号：US5539550A

公开(公告)日：1996-07-23

申请号：US119292

申请日：1993-09-09

申请人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

发明人： Mark B. Spitzer ,  Jack P. Salerno ,  Jeffrey Jacobsen ,  Brenda Dingle ,  Duy-Phach Vu ,  Paul M. Zavracky

IPC分类号： A61B3/113 ,  G02B5/30 ,  G02B27/00 ,  G02B27/01 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L21/98 ,  H01L25/075 ,  H01L25/10 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H05B33/12

CPC分类号： A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/0172 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136209 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/10 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3141 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0138 ,  G02B2027/0187 ,  G02B2027/0198 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13336 ,  G02F2001/13613 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/423 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7491 ,  Y10T29/41

摘要： Circuit modules including complex multi-function circuitry on common module substrates using circuit tiles of silicon thin-films which are transferred, interconnected and packaged. The modules include integrated transfer/interconnects with extremely high density and complexity with large-area active-matrix liquid crystal displays and on-board drivers and logic in glass-based modules.

摘要翻译： 电路模块包括使用传输，互连和封装的硅薄膜电路板的公共模块基板上的复杂多功能电路。 这些模块包括具有极高密度和复杂性的集成传输/互连，大面积有源矩阵液晶显示器和板载驱动器以及基于玻璃的模块中的逻辑。

公开(公告)号：US6143582A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US249012

申请日：1999-02-12

申请人： Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Ngwe Cheong

发明人： Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Ngwe Cheong

IPC分类号： A61B3/113 ,  G02B5/30 ,  G02B27/00 ,  G02B27/01 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L25/075 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H05B33/12 ,  H10L21/00

CPC分类号： G02F1/13454 ,  A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/017 ,  G02B27/0172 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136277 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0756 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3141 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0138 ,  G02B2027/0187 ,  G02B2027/0198 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13336 ,  G02F1/13473 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/423 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7491

摘要： The invention relates to device processing, packaging and interconnects that will yield integrated electronic circuitry of higher density and complexity than can be obtained by using conventional multi-chip modules. Processes include the formation of complex multi-function circuitry on common module substrates using circuit tiles of silicon thin-films which are transferred, interconnected and packaged. Circuit modules using integrated transfer/interconnect processes compatible with extremely high density and complexity provide large-area active-matrix displays with on-board drivers and logic in a complete glass-based modules. Other applications are contemplated, such as, displays, microprocessor and memory devices, and communication circuits with optical input and output.

公开(公告)号：US5021119A

公开(公告)日：1991-06-04

申请号：US600246

申请日：1990-10-18

申请人： John C.C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu

发明人： John C.C. Fan ,  Paul M. Zavracky ,  Jagdish Narayan ,  Lisa P. Allen ,  Duy-Phach Vu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/2022

摘要： A method for reducing defects after zone melting and recrystallization of semiconductor films formed on an insulator over a semiconductor substrate by selectively removing portion of a first layer over the semiconductor film, amorphizing the exposed film portion and laterally regrowing the amorphized region.

摘要翻译： 通过选择性地去除半导体膜上的第一层的部分，使暴露的膜部分非晶化并横向再生无定形区域来减少在半导体衬底上的绝缘体上形成的半导体膜的区域熔融和再结晶之后的缺陷的方法。